公开(公告)号：CN103258706A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310051211.3

申请日：2013-02-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤野丰 ,  福田良则 ,  北川淳一 ,  山本伸彦

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其为从多个部位向处理容器内导入微波的方式的等离子体处理装置，分别监视通过多个微波生成的多个等离子体的状态。等离子体处理装置（1）具备将微波导入处理容器（2）内的微波导入装置（5）。微波导入装置（5）具有与顶部（11）的多个开口部嵌合的多个微波透过板（73）。发光传感器（92）分别设于微波导入装置（5）的各天线模块（61）。发光传感器（92）经由微波透过板（73）检测在微波透过板（73）的正下方的处理容器（2）内生成的等离子体的特定波长的发光。检测对象的波长基于通过从彼此相邻的两个微波透过板（73）分别导入的微波生成的两个等离子体的发光强度之比而被选择。

公开(公告)号：CN101842881B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200980100872.2

申请日：2009-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村秀雄 ,  山下润 ,  北川淳一 ,  壁义郎 ,  福田良则

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32633

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。在向埋设有载置台(5)的电极(7)供给偏压用的高频电力的等离子体氧化处理装置(100)中，在相对于载置台(5)作为相对电极起作用的铝制的盖部(27)的内周的暴露于等离子体的表面，涂敷作为保护膜的硅膜(48)。与硅膜(48)相邻在第二容器(3)和第一容器(2)的内面设置有上部衬里(49a)和壁厚形成为比该上部衬里(49a)厚的下部衬里(49b)，防止向这些部分的短路或异常放电，形成适当的高频电流路径，提高电力消耗效率。

公开(公告)号：CN103258706B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201310051211.3

申请日：2013-02-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤野丰 ,  福田良则 ,  北川淳一 ,  山本伸彦

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其为从多个部位向处理容器内导入微波的方式的等离子体处理装置，分别监视通过多个微波生成的多个等离子体的状态。等离子体处理装置（1）具备将微波导入处理容器（2）内的微波导入装置（5）。微波导入装置（5）具有与顶部（11）的多个开口部嵌合的多个微波透过板（73）。发光传感器（92）分别设于微波导入装置（5）的各天线模块（61）。发光传感器（92）经由微波透过板（73）检测在微波透过板（73）的正下方的处理容器（2）内生成的等离子体的特定波长的发光。检测对象的波长基于通过从彼此相邻的两个微波透过板（73）分别导入的微波生成的两个等离子体的发光强度之比而被选择。

公开(公告)号：CN101849444B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200980100907.2

申请日：2009-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 植田笃 ,  足立光 ,  田才忠 ,  福田良则 ,  本乡俊明 ,  吉冈正雄

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

Abstract: 本发明涉及一种平板天线部件，向等离子体处理装置的处理容器内导入由电磁波发生源发生的电磁波，其特征在于，具有由导电材料构成的平板状基材、和形成在上述平板状基材上的放射电磁波的多个贯通口，上述贯通口包含：沿中心与上述平板天线部件的中心重叠的圆的圆周排列的多个第一贯通口；在上述第一贯通口的外侧与上述圆呈同心圆状排列的多个第二贯通口，从上述平板天线部件的中心到上述第一贯通口的中心的距离L1与上述平板天线部件的半径r之比L1/r在0.35～0.5的范围内，从上述平板天线部件的中心到上述第二贯通口的中心的距离L2与上述平板天线部件的半径r之比L2/r在0.7～0.85的范围内。

公开(公告)号：CN101849444A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200980100907.2

申请日：2009-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 植田笃 ,  足立光 ,  田才忠 ,  福田良则 ,  本乡俊明 ,  吉冈正雄

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

Abstract: 本发明涉及一种平板天线部件，向等离子体处理装置的处理容器内导入由电磁波发生源发生的电磁波，其特征在于，具有由导电材料构成的平板状基材、和形成在上述平板状基材上的放射电磁波的多个贯通口，上述贯通口包含：沿中心与上述平板天线部件的中心重叠的圆的圆周排列的多个第一贯通口；在上述第一贯通口的外侧与上述圆呈同心圆状排列的多个第二贯通口，从上述平板天线部件的中心到上述第一贯通口的中心的距离L1与上述平板天线部件的半径r之比L1/r在0.35～0.5的范围内，从上述平板天线部件的中心到上述第二贯通口的中心的距离L2与上述平板天线部件的半径r之比L2/r在0.7～0.85的范围内。

公开(公告)号：CN101842881A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200980100872.2

申请日：2009-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村秀雄 ,  山下润 ,  北川淳一 ,  壁义郎 ,  福田良则

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32633

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。在向埋设有载置台(5)的电极(7)供给偏压用的高频电力的等离子体氧化处理装置(100)中，在相对于载置台(5)作为相对电极起作用的铝制的盖部(27)的内周的暴露于等离子体的表面，涂敷作为保护膜的硅膜(48)。与硅膜(48)相邻在第二容器(3)和第一容器(2)的内面设置有上部衬里(49a)和壁厚形成为比该上部衬里(49a)厚的下部衬里(49b)，防止向这些部分的短路或异常放电，形成适当的高频电流路径，提高电力消耗效率。