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公开(公告)号：CN101519774A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910005391.5
申请日：2009-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: C23C16/511 , H01L21/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32238 , H01J37/32192 , H01J37/3222
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，可以排除由安装状况或尺寸误差造成的缝隙天线中的电流流动的不均匀性，生成均匀的等离子体。将电介质板(4)配置为使构成处理容器的一部分的平板外罩(14)的上部开口封闭，在电介质板(4)的上部配置产生等离子体的缝隙天线(5)，将缝隙天线(5)的外缘与平板外罩(14)的内壁部在整体四周用具有弹性的导电性构件(20或25)直接接触，由于在向缝隙天线(5)供给微波时，可以确保平板外罩(14)与缝隙天线(5)的平板外罩(14)的内壁部与缝隙天线(5)的外缘的电连接，因此可以使平板外罩(14)的内壁部与缝隙天线(5)的外缘之间的电阻的大小大致相等。
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公开(公告)号：CN100380610C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN03822058.X
申请日：2003-08-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 本乡俊明
IPC: H01L21/316 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L21/31654
Abstract: 本发明提供一种在短时间内获得能够从LCD用TFT获得并具有大绝缘耐电压和小界面能级密度的绝缘膜的方法。对硅基体(101)进行等离子体氧化处理以形成第一绝缘膜(102)，并且通过用等离子体CVD在第一绝缘膜(102)上沉积第二绝缘膜(103)来形成绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1692478A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN03812483.1
申请日：2003-07-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/768
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J2237/336 , H01L21/31058 , H01L21/3121
Abstract: 一种形成绝缘膜的方法，它包括将低能量等离子体照射配置在电子器件用基片上的固化性材料含有膜，使所述固化性材料含有膜固化。该方法可以用于防止将过分的热加在该膜上，同时形成高质量的导电膜。
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公开(公告)号：CN101519774B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200910005391.5
申请日：2009-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: C23C16/511 , H01L21/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32238 , H01J37/32192 , H01J37/3222
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，可以排除由安装状况或尺寸误差造成的缝隙天线中的电流流动的不均匀性，生成均匀的等离子体。将电介质板(4)配置为使构成处理容器的一部分的平板外罩(14)的上部开口封闭，在电介质板(4)的上部配置产生等离子体的缝隙天线(5)，将缝隙天线(5)的外缘与平板外罩(14)的内壁部在整体四周用具有弹性的导电性构件(20或25)直接接触，由于在向缝隙天线(5)供给微波时，可以确保平板外罩(14)与缝隙天线(5)的平板外罩(14)的内壁部与缝隙天线(5)的外缘的电连接，因此可以使平板外罩(14)的内壁部与缝隙天线(5)的外缘之间的电阻的大小大致相等。
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公开(公告)号：CN1210768C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN02800920.7
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/3244
Abstract: 一种具有放射线槽天线的微波等离子体处理装置，可抑制异常放电，提高微波等离子体的激发效率。在放射线槽天线与同轴波导管的连接部中，使同轴波导管中的供电线前端部离开构成辐射面的槽板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101849444B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200980100907.2
申请日：2009-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222
Abstract: 本发明涉及一种平板天线部件，向等离子体处理装置的处理容器内导入由电磁波发生源发生的电磁波，其特征在于，具有由导电材料构成的平板状基材、和形成在上述平板状基材上的放射电磁波的多个贯通口，上述贯通口包含：沿中心与上述平板天线部件的中心重叠的圆的圆周排列的多个第一贯通口；在上述第一贯通口的外侧与上述圆呈同心圆状排列的多个第二贯通口，从上述平板天线部件的中心到上述第一贯通口的中心的距离L1与上述平板天线部件的半径r之比L1/r在0.35～0.5的范围内，从上述平板天线部件的中心到上述第二贯通口的中心的距离L2与上述平板天线部件的半径r之比L2/r在0.7～0.85的范围内。
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公开(公告)号：CN101849444A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200980100907.2
申请日：2009-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222
Abstract: 本发明涉及一种平板天线部件，向等离子体处理装置的处理容器内导入由电磁波发生源发生的电磁波，其特征在于，具有由导电材料构成的平板状基材、和形成在上述平板状基材上的放射电磁波的多个贯通口，上述贯通口包含：沿中心与上述平板天线部件的中心重叠的圆的圆周排列的多个第一贯通口；在上述第一贯通口的外侧与上述圆呈同心圆状排列的多个第二贯通口，从上述平板天线部件的中心到上述第一贯通口的中心的距离L1与上述平板天线部件的半径r之比L1/r在0.35～0.5的范围内，从上述平板天线部件的中心到上述第二贯通口的中心的距离L2与上述平板天线部件的半径r之比L2/r在0.7～0.85的范围内。
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公开(公告)号：CN100382251C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN03812483.1
申请日：2003-07-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/768
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J2237/336 , H01L21/31058 , H01L21/3121
Abstract: 一种形成绝缘膜的方法，它包括将低能量等离子体照射配置在电子器件用基片上的固化性材料含有膜，使所述固化性材料含有膜固化。该方法可以用于防止将过分的热加在该膜上，同时形成高质量的导电膜。
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公开(公告)号：CN1682357A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822058.X
申请日：2003-08-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 本乡俊明
IPC: H01L21/316 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L21/31654
Abstract: 提供一种在短时间内获得能够从LCD用TFT获得并具有大绝缘耐电压和小界面能级密度的绝缘膜的方法。对硅基体(101)进行等离子体氧化处理以形成第一绝缘膜(102)，并且通过用等离子体CVD在第一绝缘膜(102)上沉积第二绝缘膜(103)来形成绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1460287A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN02800920.7
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/3244
Abstract: 一种具有放射线槽天线的微波等离子体处理装置，可抑制异常放电，提高微波等离子体的激发效率。在放射线槽天线与同轴波导管的连接部中，使同轴波导管中的供电线前端部离开构成辐射面的槽板。
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