发明授权
CN101519774B 等离子体处理装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 等离子体处理装置
- 专利标题(英): Plasma processing apparatus
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申请号: CN200910005391.5申请日: 2009-02-24
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公开(公告)号: CN101519774B公开(公告)日: 2011-02-02
- 发明人: 本乡俊明 , 平山昌树 , 大见忠弘
- 申请人: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 东京毅力科创株式会社,国立大学法人东北大学
- 当前专利权人: 东京毅力科创株式会社,国立大学法人东北大学
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 高少蔚; 李伟
- 优先权: 2008-045014 2008.02.26 JP
- 主分类号: C23C16/511
- IPC分类号: C23C16/511 ; H01L21/00 ; H05H1/46
摘要:
本发明提供一种等离子体处理装置,可以排除由安装状况或尺寸误差造成的缝隙天线中的电流流动的不均匀性,生成均匀的等离子体。将电介质板(4)配置为使构成处理容器的一部分的平板外罩(14)的上部开口封闭,在电介质板(4)的上部配置产生等离子体的缝隙天线(5),将缝隙天线(5)的外缘与平板外罩(14)的内壁部在整体四周用具有弹性的导电性构件(20或25)直接接触,由于在向缝隙天线(5)供给微波时,可以确保平板外罩(14)与缝隙天线(5)的平板外罩(14)的内壁部与缝隙天线(5)的外缘的电连接,因此可以使平板外罩(14)的内壁部与缝隙天线(5)的外缘之间的电阻的大小大致相等。
公开/授权文献
- CN101519774A 等离子体处理装置 公开/授权日:2009-09-02
IPC分类: