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公开(公告)号：CN101523576B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200780036402.5
申请日：2007-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/76 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/76229 , H01J37/32192 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/31662 , H01L21/7621
Abstract: 本发明提供的硅氧化膜的形成方法包括：在等离子体处理装置的处理容器内，配置表面由硅构成且在表面具有凹凸形状的图案的被处理体；在所述处理容器内，按照处理气体中的氧的比例在5～20％范围，并且处理压力在267Pa以上400Pa以下的范围的条件形成等离子体；并且，通过所述等离子体，氧化所述被处理体的表面的硅形成硅氧化膜。
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公开(公告)号：CN101523576A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780036402.5
申请日：2007-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/76 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/76229 , H01J37/32192 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/31662 , H01L21/7621
Abstract: 本发明提供的硅氧化膜的形成方法包括：在等离子体处理装置的处理容器内，配置表面由硅构成且在表面具有凹凸形状的图案的被处理体；在所述处理容器内，按照处理气体中的氧的比例在5～20％范围，并且处理压力在267Pa以上400Pa以下的范围的条件形成等离子体；并且，通过所述等离子体，氧化所述被处理体的表面的硅形成硅氧化膜。
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公开(公告)号：CN102396054A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201080016865.7
申请日：2010-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/31 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/28247 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/28282 , H01L29/66833
Abstract: 公开了在等离子体处理装置的处理容器内使氢气和含氧气体的等离子体对在表面上露出了硅和金属材料的被处理体发挥作用，用该等离子体有选择地对上述硅进行氧化处理的选择氧化处理方法，该选择氧化处理方法包括：气体导入工序，其将经由第一供给路径的第一惰性气体作为运载气体，开始供给来自氢气供给源的上述氢气的时刻以后，将上述等离子体点火之前，将经由与上述第一供给路径不同的第二供给路径的第二惰性气体作为运载气体，开始供给来自含氧气体供给源的上述含氧气体；等离子体点火工序，其在上述处理容器内将包括上述含氧气体和上述氢气的处理气体的等离子体点火；和选择氧化处理工序，其用上述等离子体有选择地对上述硅进行氧化处理。
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公开(公告)号：CN102165567A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137715.9
申请日：2009-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32559 , C23C16/4404 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32192
Abstract: 在对埋设于载置台(5)的电极(7)供给偏压用的高频电力的等离子体处理装置(100)中，在对于作为电极的载置台(5)作为相对电极作用的铝制的盖部(27)的暴露于等离子体中的表面，涂覆保护膜(48)，优选Y2O3膜(48)。在形成处理容器(1)的下侧部分的第一部分(2)和形成处理容器(1)的上侧部分的第二部分(3)，设置有绝缘性的上部衬套(49a)和形成得更厚的绝缘性的下部衬套(49b)。防止不希望出现的短路和异常放电，形成稳定的高频电流路径。
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