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公开(公告)号：CN1324641C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN02822495.7
申请日：2002-11-07
申请人： 应用材料有限公司
IPC分类号： H01J37/34
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/3408 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76838 , H01L21/76877
摘要： 辅助磁体的阵列(60)沿磁控溅射反应器的侧壁(14)一边设置，该边从靶(16)的一边对着晶片。该磁控管优选为一个小而强的磁控管，其具有第一磁极性的强度较高的外磁体(42)，外磁体围绕具有第二磁极性的强度较弱的磁体，且该磁控管绕室中心轴(38)旋转。该辅助磁体优选具有第一磁极性以吸引不平衡的磁场分量投向晶片。该辅助磁体可为永磁体(62)或电磁体(90)。
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公开(公告)号：CN101847598B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010163430.7
申请日：2002-11-14
申请人： 应用材料有限公司
发明人： P·丁 , R·陶 , Z·徐 , D·C·吕本 , S·伦加拉简 , M·A·米勒 , A·孙达拉简 , X·唐 , J·C·福斯特 , J·傅 , R·C·莫斯利 , F·陈 , P·戈帕尔拉亚
IPC分类号： H01L21/768 , C23C14/35
摘要： 公开一种磁控管溅射反应器(410)及其使用方法，其中促进SIP溅射和ICP溅射。公开在另一室(412)中，沿着磁控管溅射反应器从靶朝向晶片一侧上的侧壁(414)定位的辅助磁体阵列。磁控管(436)优选为具有包围第二磁极性的较弱内部磁极(440)的第一磁极的较强外部磁极(442)的小磁控管，所有的磁极在轭(444)尚且关于室的轴(438)利用旋转装置(446、448、450)旋转。辅助磁体(462)优选具有第一磁极性以将不平衡的磁场(460)拉向晶片(424)，晶片在供有功率(454)的底座(422)上。通过阀(428)供给氩(426)。靶(416)供有功率(434)。
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公开(公告)号：CN1606795A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN02822495.7
申请日：2002-11-07
申请人： 应用材料有限公司
IPC分类号： H01J37/34
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/3408 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76838 , H01L21/76877
摘要： 辅助磁体的阵列(60)沿磁控溅射反应器的侧壁(14)一边设置，该边从靶(16)的一边对着晶片。该磁控管优选为一个小而强的磁控管，其具有第一磁极性的强度较高的外磁体(42)，外磁体围绕具有第二磁极性的强度较弱的磁体，且该磁控管绕室中心轴(38)旋转。该辅助磁体优选具有第一磁极性以吸引不平衡的磁场分量投向晶片。该辅助磁体可为永磁体(62)或电磁体(90)。
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公开(公告)号：CN1656243B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN02827101.7
申请日：2002-11-14
申请人： 应用材料有限公司
发明人： P·丁 , R·陶 , Z·徐 , D·C·吕本 , S·伦加拉简 , M·A·米勒 , A·孙达拉简 , X·唐 , J·C·福斯特 , J·傅 , R·C·莫斯利 , F·陈 , P·戈帕尔拉亚
摘要： 公开一种磁控管溅射反应器(410)及其使用方法，其中促进SIP溅射和ICP溅射。公开在另一室(412)中，沿着磁控管溅射反应器从靶朝向晶片一侧上的侧壁(414)定位的辅助磁体阵列。磁控管(436)优选为具有包围第二磁极性的较弱内部磁极(440)的第一磁极的较强外部磁极(442)的小磁控管，所有的磁极在轭(444)尚且关于室的轴(438)利用旋转装置(446、448、450)旋转。辅助磁体(462)优选具有第一磁极性以将不平衡的磁场(460)拉向晶片(424)，晶片在供有功率(454)的底座(422)上。通过阀(428)供给氩(426)。靶(416)供有功率(434)。
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公开(公告)号：CN1656243A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN02827101.7
申请日：2002-11-14
申请人： 应用材料有限公司
发明人： P·丁 , R·陶 , Z·徐 , D·C·吕本 , S·伦加拉简 , M·A·米勒 , A·孙达拉简 , X·唐 , J·C·福斯特 , J·傅 , R·C·莫斯利 , F·陈 , P·戈帕尔拉亚
摘要： 公开一种磁控管溅射反应器(410)及其使用方法，其中促进SIP溅射和ICP溅射。公开在另一室(412)中，沿着磁控管溅射反应器从靶朝向晶片一侧上的侧壁(414)定位的辅助磁体阵列。磁控管(436)优选为具有包围第二磁极性的较弱内部磁极(440)的第一磁极的较强外部磁极(442)的小磁控管，所有的磁极在轭(444)尚且关于室的轴(438)利用旋转装置(446、448、450)旋转。辅助磁体(462)优选具有第一磁极性以将不平衡的磁场(460)拉向晶片(424)，晶片在供有功率(454)的底座(422)上。通过阀(428)供给氩(426)。靶(416)供有功率(434)。
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公开(公告)号：CN101847598A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010163430.7
申请日：2002-11-14
申请人： 应用材料有限公司
发明人： P·丁 , R·陶 , Z·徐 , D·C·吕本 , S·伦加拉简 , M·A·米勒 , A·孙达拉简 , X·唐 , J·C·福斯特 , J·傅 , R·C·莫斯利 , F·陈 , P·戈帕尔拉亚
IPC分类号： H01L21/768 , C23C14/35
摘要： 公开一种磁控管溅射反应器(410)及其使用方法，其中促进SIP溅射和ICP溅射。公开在另一室(412)中，沿着磁控管溅射反应器从靶朝向晶片一侧上的侧壁(414)定位的辅助磁体阵列。磁控管(436)优选为具有包围第二磁极性的较弱内部磁极(440)的第一磁极的较强外部磁极(442)的小磁控管，所有的磁极在轭(444)尚且关于室的轴(438)利用旋转装置(446、448、450)旋转。辅助磁体(462)优选具有第一磁极性以将不平衡的磁场(460)拉向晶片(424)，晶片在供有功率(454)的底座(422)上。通过阀(428)供给氩(426)。靶(416)供有功率(434)。
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公开(公告)号：CN1620712A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02828203.5
申请日：2002-12-10
申请人： 应用材料有限公司
发明人： P·丁 , Z·徐 , R·C·莫塞利 , S·伦加拉詹 , N·迈蒂 , D·A·卡尔 , B·秦 , P·F·史密斯 , D·安杰洛 , A·托利亚 , J·傅 , F·陈 , P·戈帕拉贾 , X·唐 , J·C·福斯特
CPC分类号： H01L21/76844 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/3408 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76805 , H01L21/76846 , H01L21/76862 , H01L21/76864 , H01L21/76865 , H01L21/76868 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L2221/1089
摘要： 一种磁控管溅射反应器及其使用方法，该反应器用于溅射沉积诸如例如钽、氮化钽和铜的材料，其中自离子化等离子体(SIP)溅射和电感耦合等离子体(ICP)溅射，两者一起或两者之一，在同一室中被促进。此外，通过ICP再溅射可减薄或消除底部覆盖。通过具有不均匀磁强度磁极的小磁控管和在溅射期间施加到靶的高功率来促进SIP。通过一个或多个将RF能量电感耦合进等离子体中的RF线圈来提供ICP。组合的SIP－ICP层可以充当用于孔的衬套或阻挡或籽晶或成核层。另外，可以溅射RF线圈以在ICP再溅射期间提供保护材料。
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