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公开(公告)号：CN101847598A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010163430.7
申请日：2002-11-14
申请人： 应用材料有限公司
发明人： P·丁 , R·陶 , Z·徐 , D·C·吕本 , S·伦加拉简 , M·A·米勒 , A·孙达拉简 , X·唐 , J·C·福斯特 , J·傅 , R·C·莫斯利 , F·陈 , P·戈帕尔拉亚
IPC分类号： H01L21/768 , C23C14/35
摘要： 公开一种磁控管溅射反应器(410)及其使用方法，其中促进SIP溅射和ICP溅射。公开在另一室(412)中，沿着磁控管溅射反应器从靶朝向晶片一侧上的侧壁(414)定位的辅助磁体阵列。磁控管(436)优选为具有包围第二磁极性的较弱内部磁极(440)的第一磁极的较强外部磁极(442)的小磁控管，所有的磁极在轭(444)尚且关于室的轴(438)利用旋转装置(446、448、450)旋转。辅助磁体(462)优选具有第一磁极性以将不平衡的磁场(460)拉向晶片(424)，晶片在供有功率(454)的底座(422)上。通过阀(428)供给氩(426)。靶(416)供有功率(434)。
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公开(公告)号：CN101847598B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010163430.7
申请日：2002-11-14
申请人： 应用材料有限公司
发明人： P·丁 , R·陶 , Z·徐 , D·C·吕本 , S·伦加拉简 , M·A·米勒 , A·孙达拉简 , X·唐 , J·C·福斯特 , J·傅 , R·C·莫斯利 , F·陈 , P·戈帕尔拉亚
IPC分类号： H01L21/768 , C23C14/35
摘要： 公开一种磁控管溅射反应器(410)及其使用方法，其中促进SIP溅射和ICP溅射。公开在另一室(412)中，沿着磁控管溅射反应器从靶朝向晶片一侧上的侧壁(414)定位的辅助磁体阵列。磁控管(436)优选为具有包围第二磁极性的较弱内部磁极(440)的第一磁极的较强外部磁极(442)的小磁控管，所有的磁极在轭(444)尚且关于室的轴(438)利用旋转装置(446、448、450)旋转。辅助磁体(462)优选具有第一磁极性以将不平衡的磁场(460)拉向晶片(424)，晶片在供有功率(454)的底座(422)上。通过阀(428)供给氩(426)。靶(416)供有功率(434)。
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公开(公告)号：CN1656243B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN02827101.7
申请日：2002-11-14
申请人： 应用材料有限公司
发明人： P·丁 , R·陶 , Z·徐 , D·C·吕本 , S·伦加拉简 , M·A·米勒 , A·孙达拉简 , X·唐 , J·C·福斯特 , J·傅 , R·C·莫斯利 , F·陈 , P·戈帕尔拉亚
摘要： 公开一种磁控管溅射反应器(410)及其使用方法，其中促进SIP溅射和ICP溅射。公开在另一室(412)中，沿着磁控管溅射反应器从靶朝向晶片一侧上的侧壁(414)定位的辅助磁体阵列。磁控管(436)优选为具有包围第二磁极性的较弱内部磁极(440)的第一磁极的较强外部磁极(442)的小磁控管，所有的磁极在轭(444)尚且关于室的轴(438)利用旋转装置(446、448、450)旋转。辅助磁体(462)优选具有第一磁极性以将不平衡的磁场(460)拉向晶片(424)，晶片在供有功率(454)的底座(422)上。通过阀(428)供给氩(426)。靶(416)供有功率(434)。
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公开(公告)号：CN1656243A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN02827101.7
申请日：2002-11-14
申请人： 应用材料有限公司
发明人： P·丁 , R·陶 , Z·徐 , D·C·吕本 , S·伦加拉简 , M·A·米勒 , A·孙达拉简 , X·唐 , J·C·福斯特 , J·傅 , R·C·莫斯利 , F·陈 , P·戈帕尔拉亚
摘要： 公开一种磁控管溅射反应器(410)及其使用方法，其中促进SIP溅射和ICP溅射。公开在另一室(412)中，沿着磁控管溅射反应器从靶朝向晶片一侧上的侧壁(414)定位的辅助磁体阵列。磁控管(436)优选为具有包围第二磁极性的较弱内部磁极(440)的第一磁极的较强外部磁极(442)的小磁控管，所有的磁极在轭(444)尚且关于室的轴(438)利用旋转装置(446、448、450)旋转。辅助磁体(462)优选具有第一磁极性以将不平衡的磁场(460)拉向晶片(424)，晶片在供有功率(454)的底座(422)上。通过阀(428)供给氩(426)。靶(416)供有功率(434)。
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