公开(公告)号：CN1620712A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN02828203.5

申请日：2002-12-10

Applicant: 应用材料有限公司

Inventor： P·丁 ,  Z·徐 ,  R·C·莫塞利 ,  S·伦加拉詹 ,  N·迈蒂 ,  D·A·卡尔 ,  B·秦 ,  P·F·史密斯 ,  D·安杰洛 ,  A·托利亚 ,  J·傅 ,  F·陈 ,  P·戈帕拉贾 ,  X·唐 ,  J·C·福斯特

IPC: H01J37/34 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/76844 ,  C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3457 ,  C23C14/358 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3408 ,  H01J2237/3327 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

Abstract: 一种磁控管溅射反应器及其使用方法，该反应器用于溅射沉积诸如例如钽、氮化钽和铜的材料，其中自离子化等离子体(SIP)溅射和电感耦合等离子体(ICP)溅射，两者一起或两者之一，在同一室中被促进。此外，通过ICP再溅射可减薄或消除底部覆盖。通过具有不均匀磁强度磁极的小磁控管和在溅射期间施加到靶的高功率来促进SIP。通过一个或多个将RF能量电感耦合进等离子体中的RF线圈来提供ICP。组合的SIP－ICP层可以充当用于孔的衬套或阻挡或籽晶或成核层。另外，可以溅射RF线圈以在ICP再溅射期间提供保护材料。