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公开(公告)号：CN103026462B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201180036678.X
申请日：2011-07-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76898 , C23C14/046 , C23C14/34 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/354 , C23C16/503 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01J37/3408 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76865 , H01L21/76873
Abstract: 本发明提供一种在形成于基板上的高深宽比特征结构中沉积金属的方法。在某些实施例中，一方法包括以超高频(VHF)频率施加第一射频(RF)功率至含金属的靶材以形成等离子体，该靶材设置在基板上方；施加直流(DC)功率至靶材，以引导等离子体朝向靶材；利用等离子体从靶材溅射金属原子，同时维持物理气相沉积(PVD)腔室内的压力使足以离子化大部分的金属原子；在开口的底表面上以及基板的第一表面上沉积第一多个金属原子；施加第二RF功率以将至少某些第一多个金属原子从底表面重分配至该开口侧壁的下部；以及通过减少PVD腔室内的离子化金属原子数量在侧壁上部沉积第二多个金属原子，其中第一多个金属原子与第二多个金属原子形成第一层，该第一层实质上沉积在开口的全表面上。
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公开(公告)号：CN103180483B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201180051170.7
申请日：2011-09-06
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/185 , C23C14/3492
Abstract: 在此提供在高深宽比特征结构中沉积金属的方法。一些实施例中，一种处理衬底的方法包括以下步骤：施加VHF频率的RF功率至包含金属的靶材以从等离子体形成气体形成等离子体，所述靶材配置在所述PVD腔室中于所述衬底上方；使用所述等离子体从所述靶材溅射金属原子，同时在所述PVD腔室中维持第一压力，所述第一压力足以离子化溅射的所述金属原子的主要部分；将所述离子化的金属原子沉积在所述开口的底部表面上以及沉积在所述衬底的第一表面上；施加第一RF功率以从所述底部表面与上表面再分配至少一些沉积的所述金属原子至所述开口的侧壁；以及重复所述沉积工艺与所述再分配工艺，直到金属的第一层沉积在所述开口的实质上所有表面上为止。
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公开(公告)号：CN102804397A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080025593.7
申请日：2010-06-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: C23C14/354 , C23C14/3471 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 描述了一种于PVD腔室中处理基板的方法，该PVD腔室包含靶材、基板以及处理气体，所述处理气体处在足以造成自该靶材溅射的物种的实质部份离子化的压力。通过施加甚高频功率至靶材，以维持电容耦合高密度等离子体。由于施加至基板的高频偏压功率，溅射的材料于等离子体中离子化，并朝基板加速。通过修饰压力及高频偏压功率中的一或多个，控制所产生的薄膜的微结构。
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公开(公告)号：CN101563560A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780047073.4
申请日：2007-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: F16J15/40
CPC classification number: C23C14/564 , C23C14/50 , H01L21/68735
Abstract: 本发明提供一种适用于物理气相沉积处理室的处理套件、以及具有非接触式处理套件的物理气相沉积处理室。在一实施例中，处理套件包括大致柱形的遮蔽件，其具有大致平坦的柱形本体、由该本体向下延伸的至少一个细长柱形环、以及由该本体的上表面向上延伸的安装部。在另一实施例中，处理套件包括大致柱形的沉积环。该沉积环包括大致平坦的柱形本体、向下延伸耦接至该本体外部的至少一个U形通道、由该本体内部区域的上表面向上延伸的内壁、以及由该内壁径向向内延伸的衬底支撑突出部。
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公开(公告)号：CN103180483A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051170.7
申请日：2011-09-06
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/185 , C23C14/3492
Abstract: 在此提供在高深宽比特征结构中沉积金属的方法。一些实施例中，一种处理衬底的方法包括以下步骤：施加VHF频率的RF功率至包含金属的靶材以从等离子体形成气体形成等离子体，所述靶材配置在所述PVD腔室中于所述衬底上方；使用所述等离子体从所述靶材溅射金属原子，同时在所述PVD腔室中维持第一压力，所述第一压力足以离子化溅射的所述金属原子的主要部分；将所述离子化的金属原子沉积在所述开口的底部表面上以及沉积在所述衬底的第一表面上；施加第一RF功率以从所述底部表面与上表面再分配至少一些沉积的所述金属原子至所述开口的侧壁；以及重复所述沉积工艺与所述再分配工艺，直到金属的第一层沉积在所述开口的实质上所有表面上为止。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101563560B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200780047073.4
申请日：2007-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: F16J15/40
CPC classification number: C23C14/564 , C23C14/50 , H01L21/68735
Abstract: 本发明提供一种适用于物理气相沉积处理室的处理套件、以及具有非接触式处理套件的物理气相沉积处理室。在一实施例中，处理套件包括大致柱形的遮蔽件，其具有大致平坦的柱形本体、由该本体向下延伸的至少一个细长柱形环、以及由该本体的上表面向上延伸的安装部。在另一实施例中，处理套件包括大致柱形的沉积环。该沉积环包括大致平坦的柱形本体、向下延伸耦接至该本体外部的至少一个U形通道、由该本体内部区域的上表面向上延伸的内壁、以及由该内壁径向向内延伸的衬底支撑突出部。
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公开(公告)号：CN103026462A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036678.X
申请日：2011-07-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76898 , C23C14/046 , C23C14/34 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/354 , C23C16/503 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01J37/3408 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76865 , H01L21/76873
Abstract: 本发明提供一种在形成于基板上的高深宽比特征结构中沉积金属的方法。在某些实施例中，一方法包括以超高频(VHF)频率施加第一射频(RF)功率至含金属的靶材以形成等离子体，该靶材设置在基板上方；施加直流(DC)功率至靶材，以引导等离子体朝向靶材；利用等离子体从靶材溅射金属原子，同时维持物理气相沉积(PVD)腔室内的压力使足以离子化大部分的金属原子；在开口的底表面上以及基板的第一表面上沉积第一多个金属原子；施加第二RF功率以将至少某些第一多个金属原子从底表面重分配至该开口侧壁的下部；以及通过减少PVD腔室内的离子化金属原子数量在侧壁上部沉积第二多个金属原子，其中第一多个金属原子与第二多个金属原子形成第一层，该第一层实质上沉积在开口的全表面上。
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公开(公告)号：CN1310281C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN02802623.3
申请日：2002-08-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡尔·布朗 , 维尼特·梅赫塔 , 仕恩·潘 , 谢苗·舍尔斯特尼斯凯 , 艾伦·劳
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/321 , H01J37/32623
Abstract: 本发明一般地提供了用于支撑衬底的衬底支撑构件。在一个实施例中，用于支撑衬底的衬底支撑构件包括连接到下屏蔽罩的主体。所述主体具有适用于支撑衬底的上表面和下表面。所述下屏蔽罩具有中央部分和凸缘。所述凸缘以与所述主体分隔开的关系放置。所述下屏蔽罩适用于与置于处理室中的上屏蔽罩结合来确定迷宫式间隙，该迷宫式间隙基本上可以防止等离子体迁移到低于构件的位置。在另一个实施例中，所述下屏蔽罩向等离子体提供短射频接地返回路径。
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公开(公告)号：CN1520606A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN02802623.3
申请日：2002-08-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡尔·布朗 , 维尼特·梅赫塔 , 仕恩·潘 , 谢苗·舍尔斯特尼斯凯 , 艾伦·劳
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/321 , H01J37/32623
Abstract: 本发明一般地提供了用于支撑衬底的衬底支撑构件。在一个实施例中，用于支撑衬底的衬底支撑构件包括连接到下屏蔽罩的主体。所述主体具有适用于支撑衬底的上表面和下表面。所述下屏蔽罩具有中央部分和凸缘。所述凸缘以与所述主体分隔开的关系放置。所述下屏蔽罩适用于与置于处理室中的上屏蔽罩结合来确定迷宫式间隙，该迷宫式间隙基本上可以防止等离子体迁移到低于构件的位置。在另一个实施例中，所述下屏蔽罩向等离子体提供短射频接地返回路径。
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公开(公告)号：CN2786784Y
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200420115729.5
申请日：2004-11-16
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/6831 , Y10T279/23
Abstract: 本实用新型提供了一种能够安装到处理室中底座上的静电吸盘。所述吸盘具有包括带嵌入电极的陶瓷体的静电圆盘。所述陶瓷体具有带环形外缘的衬底支撑表面。所述吸盘还具有在所述静电圆盘之下的基板，所述基板是陶瓷材料和金属的复合物。所述基板具有延伸到所述陶瓷体的外缘之外的环形凸缘。所述基板和静电圆盘可以由支撑底座来支撑，该支撑底座具有壳体和环形壁架，所述环形壁架从所述壳体向外延伸以安装到所述基板的所述环形凸缘。还可以设置具有嵌入热传递流体通道的热传递板。
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