公开(公告)号：CN110382733B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201880007540.9

申请日：2018-01-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王伟 ,  卡尔蒂克·萨哈 ,  维希瓦·库马尔·帕迪

IPC: C23C14/34 ,  H01J37/34

Abstract: 公开物理气相沉积靶材组件和冷却物理气相沉积靶材的方法。示例性靶材组件包括流动图案，流动图案包含流体地连接至入口端和出口端的多个列和弯曲部。

公开(公告)号：CN110382733A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880007540.9

申请日：2018-01-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王伟 ,  卡尔蒂克·萨哈 ,  维希瓦·库马尔·帕迪

IPC: C23C14/34 ,  H01J37/34

Abstract: 公开物理气相沉积靶材组件和冷却物理气相沉积靶材的方法。示例性靶材组件包括流动图案，流动图案包含流体地连接至入口端和出口端的多个列和弯曲部。

公开(公告)号：CN110582835A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201880012730.X

申请日：2018-02-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 寒冰·吴 ,  阿南塔·K·萨布拉曼尼 ,  阿希什·歌尔 ,  晓东·王 ,  王伟 ,  王荣钧 ,  慈航·清

IPC: H01J37/34 ,  C23C14/35

Abstract: 利用多阴极腔室处理基板的方法和设备。多阴极腔室包括具有多个孔和多个分流器的屏蔽件。屏蔽件是可旋转的，以定向这些孔和分流器与位于屏蔽件上方的多个阴极。这些分流器与来自阴极的多个磁体相互作用，以防止处理过程中的干扰。可升高和降低屏蔽件以调节在阴极的靶和孔之间的间隙，以在处理过程中提供暗空间。

公开(公告)号：CN109930118A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910054159.4

申请日：2014-08-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李靖珠 ,  刘国俊 ,  王伟 ,  普拉沙斯·科斯努

IPC: C23C14/34 ,  H01J37/34

Abstract: 本发明提供一种包括设置于物理气相沉积腔室中的双极准直器的设备和使用所述设备的方法。在一个实施方式中，设备包括腔室主体和设置在腔室主体上的腔室盖从而界定处理区于内、设置于处理区中的准直器及耦接至准直器的电源。

公开(公告)号：CN109930118B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN201910054159.4

申请日：2014-08-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李靖珠 ,  刘国俊 ,  王伟 ,  普拉沙斯·科斯努

IPC: C23C14/34 ,  H01J37/34

Abstract: 本发明提供一种包括设置于物理气相沉积腔室中的双极准直器的设备和使用所述设备的方法。在一个实施方式中，设备包括腔室主体和设置在腔室主体上的腔室盖从而界定处理区于内、设置于处理区中的准直器及耦接至准直器的电源。

公开(公告)号：CN105849863B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201480050843.0

申请日：2014-08-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李靖珠 ,  刘国俊 ,  王伟 ,  普拉沙斯·科斯努

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种包括设置于物理气相沉积腔室中的双极准直器的设备和使用所述设备的方法。在一个实施方式中，设备包括腔室主体和设置在腔室主体上的腔室盖从而界定处理区于内、设置于处理区中的准直器及耦接至准直器的电源。

公开(公告)号：CN110582835B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201880012730.X

申请日：2018-02-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 寒冰·吴 ,  阿南塔·K·萨布拉曼尼 ,  阿希什·歌尔 ,  晓东·王 ,  王伟 ,  王荣钧 ,  慈航·清

IPC: H01J37/34 ,  C23C14/35

Abstract: 利用多阴极腔室处理基板的方法和设备。多阴极腔室包括具有多个孔和多个分流器的屏蔽件。屏蔽件是可旋转的，以定向这些孔和分流器与位于屏蔽件上方的多个阴极。这些分流器与来自阴极的多个磁体相互作用，以防止处理过程中的干扰。可升高和降低屏蔽件以调节在阴极的靶和孔之间的间隙，以在处理过程中提供暗空间。

公开(公告)号：CN112219255A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201980036904.0

申请日：2019-05-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 汪荣军 ,  王晓东 ,  王伟

IPC: H01J37/34

Abstract: 一种用于处理半导体的设备，所述设备包括处理腔室，所述处理腔室具有设置在顶部适配器组件中的多个阴极。具有磁控管组件的多个阴极包括：用于支撑磁控管组件的分流板；环磁极组件，所述环磁极组件耦接至分流板且具有环磁极、线性磁极和中心磁极，线性磁极从环磁极延伸到位于磁控管组件的中心处的中心磁极；和开环磁极电弧组件，所述开环磁极电弧组件耦接至分流板且围绕中心磁极的至少一部分而不与线性磁极相交。磁控管组件被定向成使得开环磁极电弧组件的开口朝向屏蔽件的外壁加以定向。

公开(公告)号：CN105849863A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480050843.0

申请日：2014-08-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李靖珠 ,  刘国俊 ,  王伟 ,  普拉沙斯·科斯努

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种包括设置于物理气相沉积腔室中的双极准直器的设备和使用所述设备的方法。在一个实施方式中，设备包括腔室主体和设置在腔室主体上的腔室盖从而界定处理区于内、设置于处理区中的准直器及耦接至准直器的电源。

公开(公告)号：CN2786784Y

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200420115729.5

申请日：2004-11-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 卡尔·布朗 ,  诺拉·阿雷拉诺 ,  谢约恩·舍尔斯廷斯基 ,  刘家凌 ,  蔡振雄 ,  维尼特·梅赫塔 ,  史蒂夫·桑索尼 ,  王伟

IPC: H01L21/68 ,  B23Q3/154

CPC classification number: H01L21/6831 ,  Y10T279/23

Abstract: 本实用新型提供了一种能够安装到处理室中底座上的静电吸盘。所述吸盘具有包括带嵌入电极的陶瓷体的静电圆盘。所述陶瓷体具有带环形外缘的衬底支撑表面。所述吸盘还具有在所述静电圆盘之下的基板，所述基板是陶瓷材料和金属的复合物。所述基板具有延伸到所述陶瓷体的外缘之外的环形凸缘。所述基板和静电圆盘可以由支撑底座来支撑，该支撑底座具有壳体和环形壁架，所述环形壁架从所述壳体向外延伸以安装到所述基板的所述环形凸缘。还可以设置具有嵌入热传递流体通道的热传递板。