公开(公告)号：CN105849863A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480050843.0

申请日：2014-08-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李靖珠 ,  刘国俊 ,  王伟 ,  普拉沙斯·科斯努

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种包括设置于物理气相沉积腔室中的双极准直器的设备和使用所述设备的方法。在一个实施方式中，设备包括腔室主体和设置在腔室主体上的腔室盖从而界定处理区于内、设置于处理区中的准直器及耦接至准直器的电源。

公开(公告)号：CN109930118B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN201910054159.4

申请日：2014-08-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李靖珠 ,  刘国俊 ,  王伟 ,  普拉沙斯·科斯努

IPC: C23C14/34 ,  H01J37/34

Abstract: 本发明提供一种包括设置于物理气相沉积腔室中的双极准直器的设备和使用所述设备的方法。在一个实施方式中，设备包括腔室主体和设置在腔室主体上的腔室盖从而界定处理区于内、设置于处理区中的准直器及耦接至准直器的电源。

公开(公告)号：CN109930118A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910054159.4

申请日：2014-08-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李靖珠 ,  刘国俊 ,  王伟 ,  普拉沙斯·科斯努

IPC: C23C14/34 ,  H01J37/34

Abstract: 本发明提供一种包括设置于物理气相沉积腔室中的双极准直器的设备和使用所述设备的方法。在一个实施方式中，设备包括腔室主体和设置在腔室主体上的腔室盖从而界定处理区于内、设置于处理区中的准直器及耦接至准直器的电源。

公开(公告)号：CN106415785B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201580027248.X

申请日：2015-05-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 唐先民 ,  李靖珠 ,  刘国俊

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203

Abstract: 本发明提供用于改良的离子过滤的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，基板处理腔室包括：腔室主体和腔室盖，腔室盖安置在腔室主体上，界定腔室主体内于盖下方的处理区域；准直器，安置在处理区域中；电源，耦接至准直器；以及第一组磁体，所述第一组磁体在腔室主体周围安置在准直器上方，和第二组磁体，所述第二组磁体在腔室主体周围安置在准直器下方，所述两组磁体一起产生导引磁场，所述导引磁场大体上垂直于准直器。

公开(公告)号：CN111755322B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202010445713.4

申请日：2015-05-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 唐先民 ,  李靖珠 ,  刘国俊

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供用于改良的离子过滤的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，基板处理腔室包括：腔室主体和腔室盖，腔室盖安置在腔室主体上，界定腔室主体内于盖下方的处理区域；准直器，安置在处理区域中；电源，耦接至准直器；以及第一组磁体，所述第一组磁体在腔室主体周围安置在准直器上方，和第二组磁体，所述第二组磁体在腔室主体周围安置在准直器下方，所述两组磁体一起产生导引磁场，所述导引磁场大体上垂直于准直器。

公开(公告)号：CN111755322A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010445713.4

申请日：2015-05-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 唐先民 ,  李靖珠 ,  刘国俊

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供用于改良的离子过滤的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，基板处理腔室包括：腔室主体和腔室盖，腔室盖安置在腔室主体上，界定腔室主体内于盖下方的处理区域；准直器，安置在处理区域中；电源，耦接至准直器；以及第一组磁体，所述第一组磁体在腔室主体周围安置在准直器上方，和第二组磁体，所述第二组磁体在腔室主体周围安置在准直器下方，所述两组磁体一起产生导引磁场，所述导引磁场大体上垂直于准直器。

公开(公告)号：CN105849863B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201480050843.0

申请日：2014-08-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李靖珠 ,  刘国俊 ,  王伟 ,  普拉沙斯·科斯努

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种包括设置于物理气相沉积腔室中的双极准直器的设备和使用所述设备的方法。在一个实施方式中，设备包括腔室主体和设置在腔室主体上的腔室盖从而界定处理区于内、设置于处理区中的准直器及耦接至准直器的电源。

公开(公告)号：CN106415785A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580027248.X

申请日：2015-05-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 唐先民 ,  李靖珠 ,  刘国俊

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203

Abstract: 本发明提供用于改良的离子过滤的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，基板处理腔室包括：腔室主体和腔室盖，腔室盖安置在腔室主体上，界定腔室主体内于盖下方的处理区域；准直器，安置在处理区域中；电源，耦接至准直器；以及第一组磁体，所述第一组磁体在腔室主体周围安置在准直器上方，和第二组磁体，所述第二组磁体在腔室主体周围安置在准直器下方，所述两组磁体一起产生导引磁场，所述导引磁场大体上垂直于准直器。