公开(公告)号：CN112335064A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201980040112.0

申请日：2019-06-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 薛林 ,  程志康 ,  王晓东 ,  汪荣军 ,  马亨德拉·帕卡拉

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 本公开内容的实施方式关于用于磁性隧道结堆叠的制造的系统及方法。此制造可经由包括以下步骤中的一或多个的方法发生：(1)在种晶层的沉积之前，在缓冲层沉积在基板上之后加热该基板；(2)在结构阻挡层的沉积之前，在第二钉扎层的沉积之后冷却该基板；(3)在隧道势垒层的沉积期间加热该基板且接着在该隧道势垒层的沉积完成之后冷却该基板；(4)在磁性存储层沉积在该隧道势垒层上之后加热该基板；及(5)在沉积覆盖层的第一夹层之前，在该磁性存储层的沉积之后冷却该基板。

公开(公告)号：CN119053234A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411064888.5

申请日：2019-02-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 薛林 ,  程志康 ,  王晓东 ,  马亨德拉·帕卡拉 ,  汪荣军

IPC: H10N50/80 ,  H10N50/10 ,  H10N50/85

Abstract: 本公开内容的实施方式提供了用于从设置在基板上的膜堆叠形成磁隧道结(MTJ)结构的方法，以用于磁随机存取存储器(MRAM)应用和相关联的MTJ器件。本文描述的方法包括从膜堆叠形成材料层的膜特性以产生具有足够高垂直磁各向异性(PMA)的膜堆叠。利用含铁氧化物覆盖层产生合乎需要的PMA。通过利用含铁氧化物覆盖层，可以更精细地控制覆盖层的厚度，并且减少了在磁性存储层和覆盖层的界面处对硼的依赖。

公开(公告)号：CN115244210A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180010623.5

申请日：2021-06-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王晓东 ,  雷建新 ,  汪荣军

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/56 ,  H01J37/34

Abstract: 提供用于用来减少介电溅射期间工件中的缺陷的等离子体腔室靶材的方法和设备。例如，介电溅射沉积靶材可以包括具有范围从约65μm到500μm的预定平均晶粒尺寸的介电化合物，其中该介电化合物是氧化镁或氧化铝中的至少一种。

公开(公告)号：CN114929931A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008904.7

申请日：2021-09-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王晓东 ,  迈克尔·查尔斯·库特尼 ,  瓦鲁扬·查卡里安 ,  雷建新 ,  汪荣军

IPC: C23C14/54 ,  C23C14/52 ,  C23C14/08 ,  C23C14/56 ,  H01J37/34 ,  G01N23/223 ,  C23C14/34

Abstract: 原位监测挡盘上的沉积的方法及设备。在一些实施方式中，设备可包括：处理腔室，具有内部处理空间；外壳，设置在内部处理空间外部，其中外壳在挡盘不在内部处理空间中使用时接纳挡盘；挡盘臂，从外壳到内部处理空间来回移动挡盘；和至少一个传感器，整合到外壳中。至少一个传感器被构造成用以确定在内部处理空间中粘涂处理之后沉积在挡盘上的材料的至少一种膜性质。

公开(公告)号：CN119563231A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202380053732.4

申请日：2023-07-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑嘉杰 ,  王晓东 ,  凯文·卡舍菲 ,  尤适

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 执行用于从基板表面清洁氧化物的方法，而不影响基板上的低k介电材料或碳材料。在一些实施方式中，此方法可包含在生产线后段(BEOL)工艺中使用基于氯的浸泡来执行预清洁工艺以从基板的表面去除氧化物，并且使用远程等离子体由氢气及至少一种惰性气体来处理基板的表面以从基板的表面去除残留的氯残留物，而不损伤基板上的低k介电材料或碳材料。

公开(公告)号：CN115244210B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202180010623.5

申请日：2021-06-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王晓东 ,  雷建新 ,  汪荣军

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/56 ,  H01J37/34

Abstract: 提供用于用来减少介电溅射期间工件中的缺陷的等离子体腔室靶材的方法和设备。例如，介电溅射沉积靶材可以包括具有范围从约65μm到500μm的预定平均晶粒尺寸的介电化合物，其中该介电化合物是氧化镁或氧化铝中的至少一种。

公开(公告)号：CN111868946B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN201980020081.2

申请日：2019-02-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 薛林 ,  程志康 ,  王晓东 ,  马亨德拉·帕卡拉 ,  汪荣军

IPC: H10N50/80 ,  H10N50/10 ,  H10N50/85

Abstract: 本公开内容的实施方式提供了用于从设置在基板上的膜堆叠形成磁隧道结(MTJ)结构的方法，以用于磁随机存取存储器(MRAM)应用和相关联的MTJ器件。本文描述的方法包括从膜堆叠形成材料层的膜特性以产生具有足够高垂直磁各向异性(PMA)的膜堆叠。利用含铁氧化物覆盖层产生合乎需要的PMA。通过利用含铁氧化物覆盖层，可以更精细地控制覆盖层的厚度，并且减少了在磁性存储层和覆盖层的界面处对硼的依赖。

公开(公告)号：CN118382911A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202280079254.X

申请日：2022-06-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王晓东 ,  凯文·卡舍菲 ,  汪荣军 ,  尤适 ,  基思·T·王 ,  刘禹辰 ,  黄雅希 ,  陆勤

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 提供用于预清洁基板的方法。上方具有氧化钨(WOx)的基板被浸泡在氟化钨(WF6)中，氟化钨(WF6)将氧化钨(WOx)还原成钨(W)。随后，用氢处理此基板，例如，等离子体处理或热处理，以减少存在的氟含量，使得氟不侵入下方绝缘层。

公开(公告)号：CN109844171A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201780061663.6

申请日：2017-10-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 富宏·张 ,  苏尼尔·库马尔·加格 ,  保罗·基利 ,  马丁·李·瑞克 ,  威廉·弗鲁赫特曼 ,  王征 ,  王晓东

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54

Abstract: 描述用于将在群集工具的相邻的处理腔室之间的电磁干扰最小化的方法和设备。基于主处理腔室的电磁工艺窗口、第一相邻的处理腔室和可选择的第二相邻的处理腔室的电磁窗口来控制主配方的开始时间。控制主处理腔室的开始时间以避免主腔室的电磁窗口与相邻的腔室的电磁窗口的时间重叠。

公开(公告)号：CN115039244A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202180012161.0

申请日：2021-04-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王晓东 ,  雷努·辉格 ,  雷建新 ,  汪荣军

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11C11/16 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 一种形成磁阻随机存取存储器(MRAM)结构的隧道层的方法包括：通过利用射频(RF)功率溅射MgO靶材来形成第一氧化镁(MgO)层；将第一MgO层暴露给在大约10sccm至大约15sccm的流量下的氧气大约5秒至大约20秒；和通过利用RF功率溅射MgO靶材而在第一MgO层上形成第二MgO层。该方法可在处理腔室的定期维护之后执行，以增加隧道层的隧道磁阻(TMR)。