公开(公告)号：CN118610087A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410257836.3

申请日：2024-03-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨宗翰 ,  刘震 ,  高勇谦 ,  迈克尔·S·杰克逊 ,  王荣钧

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  C23C14/04 ,  C23C14/58 ,  C23C16/04 ,  C23C16/56

Abstract: 公开了一种通过利用氢等离子体处理来促进选择性沉积而形成半导体器件结构的方法。在一些实施方式中，该方法包括在该半导体器件结构上的至少一个特征内形成金属层。该方法包括将该金属层暴露于氢等离子体处理。该氢等离子体处理优先处理顶场和侧壁，而使底表面基本上未处理以促进自底向上金属膜生长。在一些实施方式中，该氢等离子体处理基本上仅包括氢离子。

公开(公告)号：CN110582835A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201880012730.X

申请日：2018-02-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 寒冰·吴 ,  阿南塔·K·萨布拉曼尼 ,  阿希什·歌尔 ,  晓东·王 ,  王伟 ,  王荣钧 ,  慈航·清

IPC: H01J37/34 ,  C23C14/35

Abstract: 利用多阴极腔室处理基板的方法和设备。多阴极腔室包括具有多个孔和多个分流器的屏蔽件。屏蔽件是可旋转的，以定向这些孔和分流器与位于屏蔽件上方的多个阴极。这些分流器与来自阴极的多个磁体相互作用，以防止处理过程中的干扰。可升高和降低屏蔽件以调节在阴极的靶和孔之间的间隙，以在处理过程中提供暗空间。

公开(公告)号：CN110582835B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201880012730.X

申请日：2018-02-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 寒冰·吴 ,  阿南塔·K·萨布拉曼尼 ,  阿希什·歌尔 ,  晓东·王 ,  王伟 ,  王荣钧 ,  慈航·清

IPC: H01J37/34 ,  C23C14/35

Abstract: 利用多阴极腔室处理基板的方法和设备。多阴极腔室包括具有多个孔和多个分流器的屏蔽件。屏蔽件是可旋转的，以定向这些孔和分流器与位于屏蔽件上方的多个阴极。这些分流器与来自阴极的多个磁体相互作用，以防止处理过程中的干扰。可升高和降低屏蔽件以调节在阴极的靶和孔之间的间隙，以在处理过程中提供暗空间。

公开(公告)号：CN110268094A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201880010706.2

申请日：2018-02-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 晓东·王 ,  王荣钧 ,  寒冰·吴

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34 ,  H01J37/32

Abstract: 用于利用RF供能处理的沉积腔室的钽(Ta)靶材糊贴处理的实施方式包括：在利用RF溅射以沉积介电材料于晶片上后，以Ta糊贴处理腔室的内表面的至少一部分。处理腔室中的压力水平经调整以最大化Ta糊贴层的覆盖。Ta糊贴封围已经不经意间溅射于处理腔室内表面(例如屏蔽件)上的介电材料。接着流动氧进入处理腔室中以于Ta糊贴层上形成氧化钽层，以进一步减少污染和颗粒生成。