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公开(公告)号：CN118610087A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410257836.3
申请日：2024-03-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/321 , H01L21/3205 , H01L21/768 , C23C14/04 , C23C14/58 , C23C16/04 , C23C16/56
Abstract: 公开了一种通过利用氢等离子体处理来促进选择性沉积而形成半导体器件结构的方法。在一些实施方式中，该方法包括在该半导体器件结构上的至少一个特征内形成金属层。该方法包括将该金属层暴露于氢等离子体处理。该氢等离子体处理优先处理顶场和侧壁，而使底表面基本上未处理以促进自底向上金属膜生长。在一些实施方式中，该氢等离子体处理基本上仅包括氢离子。
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