公开(公告)号：CN108728809A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810230437.2

申请日：2018-03-20

Applicant: SPTS科技有限公司

Inventor： 安东尼·威尔比 ,  史蒂夫·伯吉斯 ,  I·蒙克里夫 ,  克莱夫·韦迪克斯 ,  斯科特·海莫尔 ,  R·辛德曼

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3408 ,  C23C14/345 ,  C23C14/351 ,  C23C14/50 ,  C23C14/505 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3467 ,  H01J37/347 ,  H01J37/3485 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明公开了一种控制脉冲直流物理气相沉积(PVD)形成的材料层中应力变化的方法及设备。该方法包以下步骤：设置一腔室，其包括形成材料层的靶和在其上能够形成材料层的衬底；以及向腔室内引入气体。该方法还包括在腔室内生成等离子体并且将第一磁场施加到靶附近以将所述等离子体基本上定位成邻近该靶。RF偏压被施加到衬底上以将来自等离子体的气体离子吸引到衬底上，并且第二磁场被施加在衬底附近以将来自等离子体的气体离子引导到形成在衬底上的材料层上的选择性区域。

公开(公告)号：CN107022742A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610065026.3

申请日：2016-02-01

Applicant: 沈阳科友真空技术有限公司

Inventor： 渠洪波

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/351

Abstract: 本发明提供一种极高靶材利用率的镀膜设备，涉及一种真空溅射镀膜技术领域。该发明包括真空室，其中，还包括管状靶材、偏压电源、直流线圈电源和镀膜电源，管状靶材设置在真空室内，偏压电源、直流线圈电源和镀膜电源均设置在真空室外，管状靶材上缠绕有水冷线圈，管状靶材的上方设置有第一工件台，管状靶材的下方设置有第二工件台，偏压电源与第一工件台连接，直流线圈电源与水冷线圈连接，镀膜电源与管状靶材连接。本发明极大提高靶材利用率，提高镀膜速率，同时通过电磁线圈产生的磁场束缚电子运动轨迹，使电子与膜材离子的运动路径延长，进一步增加电子与膜材原子或分子碰撞几率，从而提高离化率。

公开(公告)号：CN104011254B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201280064719.0

申请日：2012-12-10

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 若柳俊一 ,  渡边荣作

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/14 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/34 ,  C23C14/351 ,  C23C14/56 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426

Abstract: 在利用等离子体溅射连续地进行贵金属膜的成膜处理时，防止由于腔室的内壁被贵金属覆膜覆盖而使二次电子的发射特性降低的情况，以谋求生成和维持等离子体。在进行使贵金属膜形成在任意的基板上的成膜处理之后且在对接下来的基板进行成膜处理之前，在腔室内壁形成由二次电子发射系数比该贵金属的二次电子发射系数高的材料构成的二次电子发射覆膜。

公开(公告)号：CN105190840A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480024930.9

申请日：2014-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 ,  丹尼尔·李·迪尔 ,  慧雄·戴 ,  曹勇 ,  许廷军 ,  郑伟民 ,  谢鹏

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/0337 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  C23C14/351 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本文的实施方式提供的方法用于形成PVD氧化硅或富硅氧化物、或PVDSiN或富硅SiN、或SiC或富硅SiC、或前述的组合，包括化合物中含有受控的氢掺杂的变化，以上被称为SiOxNyCz:Hw，其中w、x、y及z可以在从0％到100％的浓度中变化，SiOxNyCz:Hw被生产作为硬掩模，所述硬掩模在曝光波长下的光学特性与光刻胶实质匹配。因此使所述硬掩模相对于所述光刻胶为光学上平坦化的。这允许在所述硬掩模中进行多个光刻和蚀刻的程序，同时所述光刻胶保持基本上无光学形貌或反射率变化。

公开(公告)号：CN103526168A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201210365147.1

申请日：2012-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 阙嘉良 ,  刘旭水 ,  白峻荣 ,  陈培侬 ,  汪业杰

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3455 ,  C23C14/351 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3408

Abstract: 本发明公开了包括周转齿轮系统的磁性装置。所述周转齿轮系统包括被配置成旋转的中心齿轮；至少一个外围齿轮，连接至中心齿轮并且被配置成相对所于述中心齿轮旋转和平移；以及环绕所述至少一个外围齿轮并且与所述至少一个外围齿轮连接的环。所述磁性装置进一步包括与所述周转齿轮系统连接的磁性组件，所述磁性组件包括与所述至少一个外围齿轮连接的支撑件，所述支撑件的旋转轴与连接所述支撑件的至少一个外围齿轮的旋转轴同轴。本发明还公开了具有周转齿轮系统的磁性组件及其使用方法。

公开(公告)号：CN101868561B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN200880117321.2

申请日：2008-11-26

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 菊地幸男

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/351 ,  H01L43/12

Abstract: 一种在基板的表面上进行成膜处理的溅射装置，包括：载置有所述基板的台；被配置为中心轴相对于载置在该台上的所述基板的法线倾斜的多个靶；以及在所述各靶与所述基板之间，以包围所述基板周围的方式设置的多个磁场施加单元，这些磁场施加单元使所述基板的周边部分的上方产生具有与所述基板的表面平行的水平磁场分量的磁场。

公开(公告)号：CN101405428A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009961.7

申请日：2007-03-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 藤井博文

IPC: C23C14/32

CPC classification number: C23C14/325 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/351 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32614

Abstract: 本发明提供电弧离子镀方法以及该方法中使用的靶材，能够得到在被处理物的大致全长上均匀的膜厚分布、并且能够谋求提高靶材材料成品率和降低靶材制造成本。因此，在真空室(1)内配置至少能够分割为长度方向两端部(31)、(32)和其以外的中央部(33)的靶材(3)和被处理物。在保护膜形成时，控制靶材表面的电弧斑点位置以使长度方向两端部(31)、(32)的消耗速度比中央部(33)的消耗速度快，并且靶材(3)的中央部(33)达到消耗极限之前，在长度方向两端部(31)、(32)的至少一个达到消耗极限的时刻，仅交换该端部并继续进行膜的形成。

公开(公告)号：CN109642305A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780052801.4

申请日：2017-08-28

Applicant: 菲特尔莫古布尔沙伊德有限公司

Inventor： 托马斯·巴斯图克

IPC: C23C4/02 ,  C23C4/08 ,  C23C4/10 ,  C23C28/04 ,  C23C28/00 ,  C23C30/00 ,  F16J9/26

CPC classification number: C23C14/025 ,  C23C4/02 ,  C23C4/08 ,  C23C4/10 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/351 ,  C23C14/588 ,  C23C28/044 ,  C23C28/322 ,  C23C28/347 ,  C23C30/005 ,  F16J9/26

Abstract: 本发明涉及滑动元件，尤其是活塞环，其制造方法以及所述滑动元件在摩擦学系统中的应用。所述滑动元件含有涂层，其从内至外具有至少一个粘合剂层和一个MAX相层。所述MAX相层的组成为Mn+1AXn(n＝1、2、3)，其中M表示来自Sc、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf和Ta的组的元素，A表示来自Al、Si、P、S、Ga、Ge、As、Cd、In、Sn、TI和Pb的组的元素，X表示C或N元素。

公开(公告)号：CN106011761A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610201666.2

申请日：2016-03-31

Applicant: SPTS科技有限公司

Inventor： 斯蒂芬·R·伯吉斯 ,  R·辛德曼 ,  阿米特·拉斯托吉 ,  保罗·埃杜拉多·利马 ,  C·L·威迪克斯 ,  保罗·理查 ,  斯科特·海莫尔 ,  丹尼尔·库克

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

CPC classification number: C23C14/0641 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  C23C14/351 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3461 ,  H01J37/3467 ,  H01J37/3476

Abstract: 本发明涉及沉积材料的方法和设备。本发明提供一种在腔室内用脉冲DC磁控装置通过脉冲DC磁控溅射将介电材料沉积到衬底上的方法，所述脉冲DC磁控装置产生一个或多个初级磁场；其中，溅射材料从靶材中溅射出，其中，所述靶材和所述衬底隔开2.5～10cm的间隙，并且在所述腔室内产生次级磁场，所述次级磁场引起由所述脉冲DC磁控装置产生的等离子体向所述腔室的一个或多个壁扩展。

公开(公告)号：CN103676392B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310481928.1

申请日：2013-10-15

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 涂峻豪 ,  詹仁宏 ,  谢昊伦 ,  龚国森 ,  林亭均 ,  曾任培

IPC: G02F1/15 ,  G02F1/153

CPC classification number: G02F1/15 ,  C23C14/351 ,  G02F1/1508 ,  G02F1/1523 ,  G02F1/155

Abstract: 一种图案化膜层的制造方法，包含以下步骤：提供基材，基材具有第一面以及相对于第一面的第二面；提供材料源，基材的第一面朝向材料源，且材料源用以提供多个带电粒子；提供磁性元件，第二面设置于磁性元件与第一面之间；以及借由磁性元件，将带电粒子沉积于第一面上，而形成一图案化膜层。在此也揭露一种电致变色装置的制造方法。