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公开(公告)号：CN103526168B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210365147.1
申请日：2012-09-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3455 , C23C14/351 , H01J37/3405 , H01J37/3408
摘要： 本发明公开了包括周转齿轮系统的磁性装置。所述周转齿轮系统包括被配置成旋转的中心齿轮；至少一个外围齿轮，连接至中心齿轮并且被配置成相对所于述中心齿轮旋转和平移；以及环绕所述至少一个外围齿轮并且与所述至少一个外围齿轮连接的环。所述磁性装置进一步包括与所述周转齿轮系统连接的磁性组件，所述磁性组件包括与所述至少一个外围齿轮连接的支撑件，所述支撑件的旋转轴与连接所述支撑件的至少一个外围齿轮的旋转轴同轴。本发明还公开了具有周转齿轮系统的磁性组件及其使用方法。
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公开(公告)号：CN101378026A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810127632.9
申请日：2008-07-02
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 一种用于晶圆传送自动控制装置的晶圆传送片，其具有改善结构的一囊袋空间，以在晶圆传送自动控制装置的拾取与传送期间内最小化晶圆的损坏。传送片具有一于传送片后面的斜表面，以允许不准确晶圆在斜面下滑，而又不伤害到晶圆表面。
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公开(公告)号：CN103526168A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210365147.1
申请日：2012-09-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3455 , C23C14/351 , H01J37/3405 , H01J37/3408
摘要： 本发明公开了包括周转齿轮系统的磁性装置。所述周转齿轮系统包括被配置成旋转的中心齿轮；至少一个外围齿轮，连接至中心齿轮并且被配置成相对所于述中心齿轮旋转和平移；以及环绕所述至少一个外围齿轮并且与所述至少一个外围齿轮连接的环。所述磁性装置进一步包括与所述周转齿轮系统连接的磁性组件，所述磁性组件包括与所述至少一个外围齿轮连接的支撑件，所述支撑件的旋转轴与连接所述支撑件的至少一个外围齿轮的旋转轴同轴。本发明还公开了具有周转齿轮系统的磁性组件及其使用方法。
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公开(公告)号：CN102953038A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210293401.1
申请日：2012-08-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/3407 , H01J37/3405 , H01J37/3423 , H01J37/3482
摘要： 本发明公开了一种溅射靶，该溅射靶包括平坦垫板和形成在该平坦垫板上方的靶材料，并且包括具有较厚部分和较薄部分的不平坦溅射表面，并且与诸如具有固定磁体装置的磁控溅射工具的溅射装置结合在一起进行配置。将不平坦表面为与由磁体装置生成的磁场结合在一起进行设计，以将较厚溅射靶部分设置在溅射靶侵蚀发生速度高的位置。还提供了一种磁控溅射系统，以及一种方法，该方法用于应用具有不平坦溅射表面的溅射靶的方法，使得使用靶的过程中将溅射靶上的厚度变得更加均匀。本发明还提供了一种具有逆向侵蚀轮廓表面的溅射靶、溅射系统、及其使用方法。
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公开(公告)号：CN101378026B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200810127632.9
申请日：2008-07-02
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 一种用于晶圆传送自动控制装置的晶圆传送片，其具有改善结构的一囊袋空间，以在晶圆传送自动控制装置的拾取与传送期间内最小化晶圆的损坏。传送片具有一于传送片后面的斜表面，以允许不准确晶圆在斜面下滑，而又不伤害到晶圆表面。
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公开(公告)号：CN102953038B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210293401.1
申请日：2012-08-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/3407 , H01J37/3405 , H01J37/3423 , H01J37/3482
摘要： 本发明公开了一种溅射靶，该溅射靶包括平坦垫板和形成在该平坦垫板上方的靶材料，并且包括具有较厚部分和较薄部分的不平坦溅射表面，并且与诸如具有固定磁体装置的磁控溅射工具的溅射装置结合在一起进行配置。将不平坦表面为与由磁体装置生成的磁场结合在一起进行设计，以将较厚溅射靶部分设置在溅射靶侵蚀发生速度高的位置。还提供了一种磁控溅射系统，以及一种方法，该方法用于应用具有不平坦溅射表面的溅射靶的方法，使得使用靶的过程中将溅射靶上的厚度变得更加均匀。本发明还提供了一种具有逆向侵蚀轮廓表面的溅射靶、溅射系统、及其使用方法。
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公开(公告)号：CN101728241B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910204641.8
申请日：2009-10-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3205
CPC分类号： C23C14/564 , Y10T29/49826
摘要： 本发明提供一种减少工艺套件上沉积薄膜剥离的方法，包括：提供一包括靶材的工艺腔室，其中该靶材具有一第一热膨胀系数；选择一具有第二热膨胀系数的表面层的工艺套件，其中该第一热膨胀系数与第二热膨胀系数之间的差异比率小于约35％；以及将该工艺套件设置于一工艺腔室中，其中该表面层暴露于该工艺腔室。使用本发明实施例的优点包括：由于工艺薄膜中的应力降低，因此工艺薄膜从工艺套件剥落的情况大幅减少，并且制层薄膜与工艺套件可由于相似的材料而得到更好的粘着性。
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公开(公告)号：CN101728241A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910204641.8
申请日：2009-10-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3205
CPC分类号： C23C14/564 , Y10T29/49826
摘要： 本发明提供一种减少工艺套件上沉积薄膜剥离的方法，包括：提供一包括靶材的工艺腔室，其中该靶材具有一第一热膨胀系数；选择一具有第二热膨胀系数的表面层的工艺套件，其中该第一热膨胀系数与第二热膨胀系数之间的差异比率小于约35％；以及将该工艺套件设置于一工艺腔室中，其中该表面层暴露于该工艺腔室。使用本发明实施例的优点包括：由于工艺薄膜中的应力降低，因此工艺薄膜从工艺套件剥落的情况大幅减少，并且制层薄膜与工艺套件可由于相似的材料而得到更好的粘着性。
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