公开(公告)号：CN115513371A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210037316.2

申请日：2022-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈永祥 ,  叶玉隆 ,  陈彦秀 ,  庄字周 ,  黄敬泓 ,  陈威良

IPC: H01L49/02

Abstract: 本发明实施例提供一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)装置、半导体装置及其制造方法。MIM装置可包括第一金属层。MIM装置可包括在第一金属层上的绝缘体堆叠。绝缘体堆叠可包括在第一金属层上的第一高介电常数层。绝缘体堆叠可包括在第一高介电常数层上的低介电常数层。绝缘体堆叠可包括在低介电常数层上的第二高介电常数层。MIM装置可包括在绝缘体堆叠上的第二金属层。

公开(公告)号：CN113337805A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110214742.4

申请日：2021-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威良 ,  庄字周 ,  黄敬泓 ,  刘彩吉 ,  陈彦秀 ,  叶玉隆 ,  陈永祥

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/507 ,  C23C16/56 ,  H01L49/02

Abstract: 提供一种半导体处理系统以在金属‑绝缘体‑金属电容器中形成电容器介电层。所述半导体处理系统包括：前体槽，被配置成从金属有机固体前体产生前体气体；处理室，被配置成执行等离子体增强化学气相沉积；以及至少一个缓冲槽，位于所述前体槽与所述处理室之间。所述至少一个缓冲槽通过第一管道耦合到所述前体槽，并通过第二管道耦合到所述处理室。

公开(公告)号：CN113178412A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202011622315.1

申请日：2020-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威良 ,  陈政贤 ,  叶玉隆 ,  庄字周 ,  陈彦秀

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体装置包括隔离结构，该隔离结构具有在半导体衬底中的沟槽中的第一电绝缘体层和在沟槽中且在第一电绝缘体层上方的第二电绝缘体层。本发明的实施例还提供了一种形成半导体装置的方法。

公开(公告)号：CN113337805B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202110214742.4

申请日：2021-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威良 ,  庄字周 ,  黄敬泓 ,  刘彩吉 ,  陈彦秀 ,  叶玉隆 ,  陈永祥

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/507 ,  C23C16/56 ,  H10N97/00

Abstract: 提供一种半导体处理系统以在金属‑绝缘体‑金属电容器中形成电容器介电层。所述半导体处理系统包括：前体槽，被配置成从金属有机固体前体产生前体气体；处理室，被配置成执行等离子体增强化学气相沉积；以及至少一个缓冲槽，位于所述前体槽与所述处理室之间。所述至少一个缓冲槽通过第一管道耦合到所述前体槽，并通过第二管道耦合到所述处理室。

公开(公告)号：CN113265688A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202010965920.2

申请日：2020-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈永祥 ,  吕宏三 ,  吴亭莹 ,  庄字周 ,  叶玉隆

IPC: C25D7/12 ,  C25D5/08 ,  C25D17/00 ,  C25D21/06

Abstract: 一种镀覆膜包括：支撑结构，从喷嘴沿径向向外延伸，喷嘴用于朝晶片引导镀覆溶液的流。镀覆膜还包括：框架，由支撑结构支撑，具有从喷嘴向外成斜角的内壁。内壁相对于喷嘴的向外角度以如下方式引导来自喷嘴的镀覆溶液的流：增大朝晶片的镀覆溶液的流的均匀性；减少朝镀覆膜的中心向内重新引导的镀覆溶液的量；减少晶片的沟槽(例如，高纵横比沟槽)中的镀覆材料空隙；和/或类似方式。

公开(公告)号：CN101728241B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910204641.8

申请日：2009-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 阙嘉良 ,  赵长辉 ,  白峻荣 ,  汪业杰 ,  庄字周 ,  陈家骏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C14/564 ,  Y10T29/49826

Abstract: 本发明提供一种减少工艺套件上沉积薄膜剥离的方法，包括：提供一包括靶材的工艺腔室，其中该靶材具有一第一热膨胀系数；选择一具有第二热膨胀系数的表面层的工艺套件，其中该第一热膨胀系数与第二热膨胀系数之间的差异比率小于约35％；以及将该工艺套件设置于一工艺腔室中，其中该表面层暴露于该工艺腔室。使用本发明实施例的优点包括：由于工艺薄膜中的应力降低，因此工艺薄膜从工艺套件剥落的情况大幅减少，并且制层薄膜与工艺套件可由于相似的材料而得到更好的粘着性。

公开(公告)号：CN101728241A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910204641.8

申请日：2009-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 阙嘉良 ,  赵长辉 ,  白峻荣 ,  汪业杰 ,  庄字周 ,  陈家骏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C14/564 ,  Y10T29/49826

Abstract: 本发明提供一种减少工艺套件上沉积薄膜剥离的方法，包括：提供一包括靶材的工艺腔室，其中该靶材具有一第一热膨胀系数；选择一具有第二热膨胀系数的表面层的工艺套件，其中该第一热膨胀系数与第二热膨胀系数之间的差异比率小于约35％；以及将该工艺套件设置于一工艺腔室中，其中该表面层暴露于该工艺腔室。使用本发明实施例的优点包括：由于工艺薄膜中的应力降低，因此工艺薄膜从工艺套件剥落的情况大幅减少，并且制层薄膜与工艺套件可由于相似的材料而得到更好的粘着性。