公开(公告)号：CN113046729B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202110382652.6

申请日：2021-04-09

Applicant: 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司

Inventor： 余仲 ,  刘兵吉 ,  李学文

IPC: C23C16/507

Abstract: 本发明公开了一种伸缩电极反应装置与PECVD设备，伸缩电极反应装置包括反应管组件、电极组件与驱动组件，反应管组件包括管体与端盖，端盖连接于管体的后端；电极组件包括电极杆与电极头，电极杆连接于端盖，并能够相对端盖沿管体的轴向移动，电极头位于管体内，且与电极杆电连接；驱动组件包括动力件、第一弹性件与第一连接件，动力件连接于端盖，第一连接件连接于电极杆，第一弹性件连接于动力件的输出轴与第一连接件之间。上述伸缩电极反应装置中，当电极头与石墨舟发生接触后，随着动力件的进一步驱动，第一弹性件将发生弹性变形，使得电极头与石墨舟之间能够保持紧密的接触，保证接触的可靠性。

公开(公告)号：CN118814146A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410877876.8

申请日：2024-07-02

Applicant: 安徽旭合新能源科技有限公司

Inventor： 许佳平 ,  秦臻 ,  李宝磊 ,  王波 ,  路忠林 ,  都有为 ,  但艾秋

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/46 ,  C23C16/04 ,  C23C16/507

Abstract: 本发明公开了一种链式局域镀膜设备和镀膜方法，包括反应仓与传输组件，所述反应仓内顺着传输组件输送电池片的方向依次设置有进料腔、缓冲腔、工艺腔与出料腔，各腔体前后设置有闸门，还包括：第一加热件，其设置在工艺腔内；供气管路，其排气端设置在工艺腔内；激发单元，其设置有多个，在工艺腔内以宽度方向分布。本发明通过设置多个激发单元，在电池片进入工艺腔中，经过激发单元下方时，激发单元通电以在其与电池片之间激发反应气体以实现局域镀膜，由于多个激发单元设置不同工作频率、尺寸和位置，从而可实现不同位置的局域镀膜，并使对应区域调制出不同的膜厚和折射率，进而可呈现不同条状颜色。

公开(公告)号：CN117089826A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310838518.1

申请日：2023-07-10

Applicant: 弘元新材料(徐州)有限公司

Inventor： 杨昊 ,  杨强

IPC: C23C16/507

Abstract: 本发明公开了一种PE‑POLY双舟放电方法，属于TOPCON光伏电池领域，一种PE‑POLY双舟放电方法，包括以下步骤：S1：采用前舟脚双电极块组合方式，以及采用前法兰处连接射频；S2：根据石墨舟位置确定支撑舟脚的支架位置，确认导线与电极块的连接位置；S3：石墨舟前端两舟脚与电极块接触，进行放电覆膜工艺；所述S1中，采用前舟脚双电极块在石墨舟舟叶上增加陶瓷块；有效解决传统石墨舟放电结构中，需要中间连接金属线，不方便清理碎片，同时容易导致碎片搭叠造成短路的问题。

公开(公告)号：CN113549892B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202110743167.7

申请日：2021-07-01

Applicant: 安徽理工大学

Inventor： 黄绍服 ,  曾祥领 ,  李君

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/507

Abstract: 本发明提出了一种用于小直径大深径比的金属管内壁改性的装置及方法，装置包括：反应腔室，待改性金属管设置在反应腔室中；反应腔室包括第一开口和第二开口，第一开口连通供气管路，第二开口连接真空泵；供气单元，用于向反应腔室内通入反应气流，供气单元通过供气管路与反应腔室连通；等离子体发生单元，位于供气单元与反应腔室之间，用于在供气管路内产生等离子体，等离子体随反应气流由供气管路进入反应腔室内；加热单元，用于对待改性金属管加热；电磁单元，产生电场和磁场，用于约束和控制进入反应腔室的等离子体束流，使等离子体在加热后的待改性金属管的内壁沉积。本发明的装置适用于低温、高长径比金属管内壁的改性。

公开(公告)号：CN115579272A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211360180.5

申请日：2022-11-02

Applicant: 苏州岚创科技有限公司

Inventor： 陈蓉 ,  张殷 ,  刘智山 ,  孙紫娟

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/18 ,  H01J37/32 ,  C23C16/507

Abstract: 本发明涉及离子源及镀膜设备，离子源与具有第一真空度的真空室配合使用，离子源包括射频线圈及依次连通的进气管、放电室和等离子室，射频线圈套设于放电室外，用于在放电室内产生交变磁场和高频旋涡周向电场；放电室内的交变磁场和高频旋涡周向电场用于电离进气管输入的第一气体后形成电子与第一离子体，所述电子在所述交变磁场的作用下被束缚于所述放电室内；等离子室背离进气管的一侧与真空室相连通，用于在其内具有下降至小于第一真空度的第二真空度时，加速从放电室输入的第一离子体形成向着喷入真空室内的离子束；利用压差喷射离子束，离子束生产稳定和质量得到提高，成本降低。

公开(公告)号：CN114447354B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210104816.3

申请日：2022-01-26

Applicant: 纳狮新材料有限公司

Inventor： 朱锋

IPC: H01M8/0213 ,  C23C16/26 ,  C23C16/448 ,  C23C16/507 ,  H01M8/0228

Abstract: 本申请涉及一种类金刚石复合涂层及其制备方法，类金刚石复合涂层特征在于，所述类金刚石复合涂层包含：在所述金属极板上形成的第一层和第二层，其中所述第一层为未掺杂的类金刚石层，所述第二层是掺杂的类金刚石层；在所述金属极板与所述第一层之间的过渡层；和在所述第一层和所述第二层之间的梯度层；其中，所述过渡层使用包含有机硅氧化合物和含碳氢源的材料以薄膜沉积的方式制备，并且所述有机硅氧化合物的浓度从所述金属极板至所述第一层的方向上逐渐减小；其中，所述梯度层包含掺杂离子，所述掺杂离子的浓度在从所述第一层至所述第二层的方向上逐渐增加直至与所述第二层中掺杂离子的浓度相同。

公开(公告)号：CN109075071A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780014442.3

申请日：2017-03-28

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 吉野晃生 ,  保井毅 ,  室林正季 ,  原田幸一郎 ,  寺崎正 ,  中山雅则

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/507 ,  H01L21/316 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供衬底处理装置，其具备：衬底处理室，其具有等离子体生成空间、和衬底处理空间；构成为载置衬底的衬底载置台；电感耦合结构，其具备以卷绕于等离子体生成空间的外周的方式设置的线圈，线圈的电长度为被供给至线圈的高频电力的波长的整数倍，线圈的直径构成为大于衬底的直径；构成为使所述衬底载置台升降的衬底支承台升降部；对等离子体生成空间供给处理气体的气体供给部；和控制部，其构成为控制衬底支承台升降部，以使得当处理衬底时，被载置于衬底载置台的衬底位于比线圈的下端靠下方的高度的位置。由此，当处理衬底时，能够减小在衬底的面上生成的等离子体的密度的偏差，提高衬底处理的面内均匀性。

公开(公告)号：CN103477721B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201280015592.3

申请日：2012-03-07

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 长田智明 ,  长谷川雅己

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/507 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H05H1/00 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32458 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6719

Abstract: 本发明提供对生产率的提高有利的技术。处理装置具备：在对基板进行处理的处理空间中支撑所述基板的基板支撑部；包含具有开口部的顶盖部并将所述处理空间从外部空间分隔的第1分隔构件；和第2分隔构件，其被安装于所述第1分隔构件，以便闭塞所述开口部并与所述第1分隔构件一起从所述外部空间分隔出所述处理空间。所述第2分隔构件被安装于所述第1分隔构件，以便能够通过使所述第2分隔构件朝向所述顶盖部的下表面所面向的空间移动，从而使所述第2分隔构件从所述第1分隔构件取下。

公开(公告)号：CN102027811B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN200980117009.8

申请日：2009-05-21

Applicant: EMD株式会社 ,  安东靖典

Inventor： 江部明宪 ,  安东靖典 ,  渡边正则

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/507 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/3266

Abstract: 在具有兼作真空容器一部分的长方形开口部的凸缘上，设有平板状的高频天线导体(13)，使其夹住围着该开口部的绝缘碍子框体并覆盖住该开口部。在这个构造中，高频天线导体的沿着长边的一端通过匹配箱连接高频电源，另一端接地，使得高频电流由高频天线导体的一端往另一端流动而供电。如此一来，能够降低高频天线导体的阻抗，并能够有效率地产生低电子温度的高密度等离子体。

公开(公告)号：CN102282916A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201080004507.4

申请日：2010-01-12

Applicant: 里巴贝鲁株式会社

Inventor： 钟江正巳 ,  加藤恭一 ,  尾上薰 ,  福冈大辅

IPC: H05H1/24 ,  B01J19/08 ,  C23C16/507 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/30

CPC classification number: B01J19/088 ,  B01J2219/0809 ,  B01J2219/083 ,  B01J2219/0871 ,  B01J2219/0884 ,  B01J2219/0898 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2456 ,  H05H2001/2462 ,  H05H2240/10 ,  H05H2240/20

Abstract: 本发明的课题是提供一个在高洁净、高纯度的状态下，能够产生并维持稳定的高密度等离子体的等离子体装置。解决上述课题的技术方案是：配有第1等离子体生成室10(配有气体供应口12和等离子体出口13)、第1等离子体生成装置11(在不暴露在第1等离子体生成室空间内的情况下配置)、第2等离子体生成室20(配有等离子体供应口22，供应通过等离子体出口在第1等离子体生成室产生的等离子体)和第2等离子体生成装置21(在不暴露在第2等离子体生成室空间内的情况下配置，在第2等离子体生成室内产生比第1等离子体生成室产生的等离子体更高密度的等离子体)的等离子体生成装置。