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公开(公告)号:CN102027811B
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN200980117009.8
申请日:2009-05-21
IPC: H05H1/46 , C23C16/507 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/3266
Abstract: 在具有兼作真空容器一部分的长方形开口部的凸缘上,设有平板状的高频天线导体(13),使其夹住围着该开口部的绝缘碍子框体并覆盖住该开口部。在这个构造中,高频天线导体的沿着长边的一端通过匹配箱连接高频电源,另一端接地,使得高频电流由高频天线导体的一端往另一端流动而供电。如此一来,能够降低高频天线导体的阻抗,并能够有效率地产生低电子温度的高密度等离子体。
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公开(公告)号:CN102027811A
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200980117009.8
申请日:2009-05-21
IPC: H05H1/46 , C23C16/507 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/3266
Abstract: 在具有兼作真空容器一部分的长方形开口部的凸缘上,设有平板状的高频天线导体(13),使其夹住围着该开口部的绝缘碍子框体并覆盖住该开口部。在这个构造中,高频天线导体的沿着长边的一端通过匹配箱连接高频电源,另一端接地,使得高频电流由高频天线导体的一端往另一端流动而供电。如此一来,能够降低高频天线导体的阻抗,并能够有效率地产生低电子温度的高密度等离子体。
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公开(公告)号:CN103155718B
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201080068816.8
申请日:2010-09-06
Applicant: EMD株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/3211 , H05H1/46 , H05H2001/4652
Abstract: 本发明目的在于廉价地提供一种维护检修容易且能够稳定地供给等离子的内部天线方式的等离子处理装置。本发明的等离子处理装置具备在真空容器(11)的上壁(111)上设置多个的天线单元(20),天线单元(20)具备:从真空容器(11)的上壁(111)向真空容器(11)内凸出地设置的电介质制的框体(21);具有将框体内的气氛向真空容器的外部排出的第二气体排出口(25)的盖(22);以及经由馈通体(24)而固定于盖(22)且在管壁上具有气体通过孔(232)的由导体管构成的高频天线(23)。向高频天线(23)的管内供给不活泼气体,通过气体通过孔(232)而将框体(21)的内部充满,通过第二气体排出口(25)向真空容器(11)的外部排出。
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公开(公告)号:CN103155718A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201080068816.8
申请日:2010-09-06
Applicant: EMD株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/3211 , H05H1/46 , H05H2001/4652
Abstract: 本发明目的在于廉价地提供一种维护检修容易且能够稳定地供给等离子的内部天线方式的等离子处理装置。本发明的等离子处理装置具备在真空容器(11)的上壁(111)上设置多个的天线单元(20),天线单元(20)具备:从真空容器(11)的上壁(111)向真空容器(11)内凸出地设置的电介质制的框体(21);具有将框体内的气氛向真空容器的外部排出的第二气体排出口(25)的盖(22);以及经由馈通体(24)而固定于盖(22)且在管壁上具有气体通过孔(232)的由导体管构成的高频天线(23)。向高频天线(23)的管内供给不活泼气体,通过气体通过孔(232)而将框体(21)的内部充满,通过第二气体排出口(25)向真空容器(11)的外部排出。
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公开(公告)号:CN102812153A
公开(公告)日:2012-12-05
申请号:CN201180011521.1
申请日:2011-03-08
Applicant: EMD株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/3464 , H01J37/34 , H01J37/3488
Abstract: 本发明的目的在于提供一种溅镀装置,能够使高密度的等离子体高效地产生于溅镀靶表面,从而能够高速度成膜。并且,本发明的目的在于提供一种构造简单且溅镀靶的装卸及保养检查等较为容易的大面积溅镀装置及等离子体处理装置。本发明的溅镀装置是在真空容器的一部分安装有感应耦合型天线导体板的溅镀装置,其中;将溅镀靶板安装于上述感应耦合型天线导体的等离子体形成空间侧,将上述天线导体的一侧的瑞部连接至高频电源,且经由电容器而使相对置的另一侧的端部接地。另外,一并设置多个天线导体而构成大面积溅镀装置。
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