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公开(公告)号：CN116121720A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310156456.6
申请日：2023-02-23
Applicant: 苏州岚创科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射镀膜装置，包括：外壳体；内筒体与第一安装件，所述内筒体设置于所述外壳体的内部，所述内筒体的外壁与所述外壳体的内壁之间围设成工作腔，所述工作腔用于放置基板；所述第一安装件与所述内筒体连接，且所述第一安装件相对所述工作腔向所述内筒体的内壁方向凹陷设置，所述第一安装件开设有第一安装腔，所述第一安装腔与所述工作腔连通，工作状态下，所述第一安装腔为真空状态；及第一靶材，所述第一靶材设置于所述第一安装腔内。工作腔和第一安装腔连通并且为真空状态，而内筒体内壁的一侧可以为大气状态，因此有利于大幅降低真空室体积，大幅降低真空泵体和加热的能耗，从而降低生产成本，提高经济效益。
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公开(公告)号：CN115786869A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211239654.0
申请日：2022-10-11
Applicant: 苏州岚创科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光学监控机构及镀膜设备，所述光学监控机构包括：监控板与转轴，所述监控板开设有第一监控孔及第二监控孔，所述第一监控孔与所述第二监控孔在所述监控板上间隔设置，且所述第一监控孔到所述监控板圆心的距离与所述第二监控孔到所述监控板圆心的距离不相等，所述第一监控孔与所述第二监控孔用于供光线穿过；所述转轴与所述监控板的圆心连接，所述转轴用于驱使所述监控板转动。通过两路光线能够检测镀膜基板不同半径位置的光强变化，以此得到两个位置的膜厚度变化，从而实现双路监控，并通过设置多个监控孔，能够实现多光路对镀膜的监控，监控板与镀膜基板同轴旋转，可保证光控采样信号的稳定与重复性，从而提高镀膜品质。
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公开(公告)号：CN115579272A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211360180.5
申请日：2022-11-02
Applicant: 苏州岚创科技有限公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/18 , H01J37/32 , C23C16/507
Abstract: 本发明涉及离子源及镀膜设备，离子源与具有第一真空度的真空室配合使用，离子源包括射频线圈及依次连通的进气管、放电室和等离子室，射频线圈套设于放电室外，用于在放电室内产生交变磁场和高频旋涡周向电场；放电室内的交变磁场和高频旋涡周向电场用于电离进气管输入的第一气体后形成电子与第一离子体，所述电子在所述交变磁场的作用下被束缚于所述放电室内；等离子室背离进气管的一侧与真空室相连通，用于在其内具有下降至小于第一真空度的第二真空度时，加速从放电室输入的第一离子体形成向着喷入真空室内的离子束；利用压差喷射离子束，离子束生产稳定和质量得到提高，成本降低。
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公开(公告)号：CN116479408A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310240225.3
申请日：2023-03-14
Applicant: 苏州岚创科技有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C14/35 , C23C28/00
Abstract: 本申请涉及一种镀膜设备。包括：外壳体，内筒体，原子层沉积组件以及磁控溅射组件所述外壳体的周向侧壁开设有第一开口与第二开口；所述内筒体连接于所述外壳体内部，所述内筒体的周向外壁与所述外壳体的内壁围成工作腔，工作状态下，所述工作腔为真空状态，所述工作腔用于容纳基板；所述原子层沉积组件设置于所述外壳体上。在镀制普通平面基板材料时，可以选择通过磁控溅射组件进行磁控镀膜，镀膜速率快；在镀制曲率半径较大的基板或是对膜层质量有较高要求的产品时，可选择原子层沉积方式镀膜或者原子层沉积与磁控相结合的镀膜工艺，能够满足多种镀膜需求，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN116145111A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310156254.1
申请日：2023-02-23
Applicant: 苏州岚创科技有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种ALD镀膜设备，包括：外壳体，所述外壳体的周向侧壁开设有开口；内筒体，所述内筒体连接于所述外壳体内部，所述内筒体的周向外壁与所述外壳体的内壁围成工作腔，工作状态下，所述工作腔为真空状态；运输件，所述运输件位于所述工作腔内，且所述运输件能够在所述工作腔内运动，所述运输件用于携带基板在所述工作腔内运动；工艺组件，所述工艺组件用于对所述基板完成镀膜。运输件转动方式有利于在工作腔内同时进行不同的ALD工艺阶段，有效缩短ALD工艺过程的时间，提高镀膜效率。内筒体中间区域无需保持真空，为常压状态，有利于大幅降低ALD工艺中前驱体的使用量，降低生产成本，并且有效降低泵体和加热的能耗，提高经济效益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116121722A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310158540.1
申请日：2023-02-23
Applicant: 苏州岚创科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种离子溅射镀膜装置，包括：腔体组件，所述腔体组件包括外壳体与内筒体，所述内筒体设置于所述外壳体内，内筒体的外壁与外壳体的内壁围成有工作腔，所述外壳体的侧壁开设有第一开口，所述第一开口与所述工作腔连通，工作状态下，所述工作腔为真空环境；离子溅射组件，所述离子溅射组件与所述外壳体连接；运输件，所述运输件设置于所述工作腔内，所述运输件用于携带基板在所述工作腔内运动。由于采用筒状的工作腔，其用于镀膜的表面积大于常规的伞具和行星轮结构所获得镀膜面积，有利于提高镀膜效率。另外，内筒体中间区域无需保持真空，为常压状态，有利于大幅降低泵体和加热的能耗，从而降低生产成本，提高经济效益。
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公开(公告)号：CN116798837A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310980108.0
申请日：2023-08-04
Applicant: 苏州岚创科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种离子源设备和镀膜系统，离子源设备包括、冷却管、灯丝和电极。其中，第一壳体具有第一顶板、第一底板和第一侧壁，第一顶板和第一底板相对设置并均与第一侧壁连接，三者围设出第一腔室；第一底板和第一侧壁设有联通的第一通道。冷却管与第一壳体固定连接，并与第一通道联通，冷却管用于向第一通道中供给冷却液。灯丝位于第一腔室中并与第一壳体固定连接。电极与灯丝电连接。本申请提供的离子源设备，通过电极与外界的电源连接给灯丝加热产生电子和热量，然后通过冷却管向第一壳体的壳体壁中通入冷却液，实现冷却第一壳体的作用，从而降低了离子源设备的壳体温度，有利于延长设备的使用寿命。
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公开(公告)号：CN116103639A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310244268.9
申请日：2023-03-14
Applicant: 苏州岚创科技有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C14/46 , C23C28/00
Abstract: 本申请涉及一种镀膜装置，所述镀膜装置包括：外壳体，内筒体，原子层沉积组件以及离子溅射组件，所述外壳体的周向侧壁开设有第一开口与第二开口；所述内筒体连接于所述外壳体内部，所述内筒体的周向外壁与所述外壳体的内壁围成工作腔，工作状态下，所述工作腔为真空状态，所述工作腔用于容纳基板；所述原子层沉积组件用于对基板镀膜；所述离子溅射组件与所述外壳体连接，所述离子溅射组件包括离子源与靶材件。在镀制普通平面基板材料时，选择离子溅射镀膜，能够提高镀膜速率；在镀制曲率半径较大的基板或是对膜层质量有较高要求的产品时，可选择通过原子层沉积组件进行ALD镀膜，能够满足多种镀膜需求，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN219907830U
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202320292674.8
申请日：2023-02-23
Applicant: 苏州岚创科技有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种磁控溅射镀膜装置，包括：外壳体；内筒体与第一安装件，所述内筒体设置于所述外壳体的内部，所述内筒体的外壁与所述外壳体的内壁之间围设成工作腔，所述工作腔用于放置基板；所述第一安装件与所述内筒体连接，且所述第一安装件相对所述工作腔向所述内筒体的内壁方向凹陷设置，所述第一安装件开设有第一安装腔，所述第一安装腔与所述工作腔连通，工作状态下，所述第一安装腔为真空状态；及第一靶材，所述第一靶材设置于所述第一安装腔内。工作腔和第一安装腔连通并且为真空状态，而内筒体内壁的一侧可以为大气状态，因此有利于大幅降低真空室体积，大幅降低真空泵体和加热的能耗，从而降低生产成本，提高经济效益。
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公开(公告)号：CN220543832U
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202322096338.9
申请日：2023-08-04
Applicant: 苏州岚创科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种离子源设备和镀膜系统，离子源设备包括、冷却管、灯丝和电极。其中，第一壳体具有第一顶板、第一底板和第一侧壁，第一顶板和第一底板相对设置并均与第一侧壁连接，三者围设出第一腔室；第一底板和第一侧壁设有联通的第一通道。冷却管与第一壳体固定连接，并与第一通道联通，冷却管用于向第一通道中供给冷却液。灯丝位于第一腔室中并与第一壳体固定连接。电极与灯丝电连接。本申请提供的离子源设备，通过电极与外界的电源连接给灯丝加热产生电子和热量，然后通过冷却管向第一壳体的壳体壁中通入冷却液，实现冷却第一壳体的作用，从而降低了离子源设备的壳体温度，有利于延长设备的使用寿命。
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