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公开(公告)号：CN101399170A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810149390.3
申请日：2008-09-25
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/15 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J2237/022 , H01J2237/20
Abstract: 根据本发明的感应耦合等离子体处理设备防止通过溅射蚀刻作业形成的碎屑在电介质壁容器(11)的侧壁部(14)的内表面上形成膜，并且防止高频电力的供给受到妨碍。在所述感应耦合等离子体处理设备中，从被处理物(2)的最外周上的任一点开始并且经过等离子体导入口(12)的所有直线都在电介质壁容器(11)的底部(13)的内表面上与底部(13)形成交点。
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公开(公告)号：CN103477721A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280015592.3
申请日：2012-03-07
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H05H1/46 , C23C16/507 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H05H1/00 , H01J37/32082 , H01J37/32431 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01L21/67069 , H01L21/6719
Abstract: 本发明提供对生产率的提高有利的技术。处理装置具备：在对基板进行处理的处理空间中支撑所述基板的基板支撑部；包含具有开口部的顶盖部并将所述处理空间从外部空间分隔的第1分隔构件；和第2分隔构件，其被安装于所述第1分隔构件，以便闭塞所述开口部并与所述第1分隔构件一起从所述外部空间分隔出所述处理空间。所述第2分隔构件被安装于所述第1分隔构件，以便能够通过使所述第2分隔构件朝向所述顶盖部的下表面所面向的空间移动，从而使所述第2分隔构件从所述第1分隔构件取下。
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公开(公告)号：CN101641807A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200780052423.6
申请日：2007-03-30
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L43/12 , C23F4/00 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC classification number: C23F4/00 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B5/3163 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F41/308 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 使用非有机膜掩模在等离子体气氛中蚀刻磁性膜以生产磁性元件。所述等离子体气氛由选自由醚类、醛类、羧酸类、酯类和二酮类组成的组的至少一种气化化合物来形成。在等离子体气氛中使用非有机材料掩模蚀刻包含选自由元素周期表中第8族、第9族和第10族元素组成的组的至少一种金属的磁性膜或抗磁性膜。可以将选自氧、臭氧、氮、H 2 O、N 2 O、NO 2 和CO 2 组成的组的至少一种气体作为等离子体气氛气体添加至所述气化化合物。蚀刻速率和蚀刻比是令人满意的。
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公开(公告)号：CN103477721B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201280015592.3
申请日：2012-03-07
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H05H1/46 , C23C16/507 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H05H1/00 , H01J37/32082 , H01J37/32431 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01L21/67069 , H01L21/6719
Abstract: 本发明提供对生产率的提高有利的技术。处理装置具备：在对基板进行处理的处理空间中支撑所述基板的基板支撑部；包含具有开口部的顶盖部并将所述处理空间从外部空间分隔的第1分隔构件；和第2分隔构件，其被安装于所述第1分隔构件，以便闭塞所述开口部并与所述第1分隔构件一起从所述外部空间分隔出所述处理空间。所述第2分隔构件被安装于所述第1分隔构件，以便能够通过使所述第2分隔构件朝向所述顶盖部的下表面所面向的空间移动，从而使所述第2分隔构件从所述第1分隔构件取下。
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公开(公告)号：CN102224610A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201080003271.2
申请日：2010-01-21
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L43/12 , G11B5/39 , H01L21/3065 , H01L43/08
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3163 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供能够缩短清洁步骤的时间的多层膜的制造方法、磁致电阻效应器件的制造方法以及基板处理设备。在本发明的一个实施方式中，在加工之间，可以用含有氢气和氧气的混合气体的等离子体清洁蚀刻设备的内部。这缩短了清洁时间，从而提高了生产性。
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公开(公告)号：CN101517768B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200780034078.3
申请日：2007-09-12
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L43/12 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L43/08
CPC classification number: H01F41/308 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/3254 , H01L43/12
Abstract: 一种磁阻效应元件制造方法，包括：制备包括磁膜和基板的磁阻效应元件的第一步骤；通过反应离子蚀刻方法蚀刻磁膜的预定区域的第二步骤；以及将已经历第二步骤的磁膜暴露于离子电流密度为4×10-7A/cm2或更小的等离子体的第三步骤。
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公开(公告)号：CN101517768A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780034078.3
申请日：2007-09-12
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L43/12 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L43/08
CPC classification number: H01F41/308 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/3254 , H01L43/12
Abstract: 一种磁阻效应元件制造方法，包括：制备包括磁膜和基板的磁阻效应元件的第一步骤；通过反应离子蚀刻方法蚀刻磁膜的预定区域的第二步骤；以及将已经历第二步骤的磁膜暴露于离子电流密度为4×10－7A/cm2或更小的等离子体的第三步骤。
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公开(公告)号：CN103460812A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280015602.3
申请日：2012-03-07
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H05H1/46 , C23C16/507 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/32559 , H05H2001/463
Abstract: 一种基板处理装置，用于以电浆处理基板，包括：容器，包括形成处理所述基板的处理空间的第一容器部件，以及第二容器部件，第二容器部件形成其中生成电浆的电浆生成空间，并且在第二容器部件安装在第一容器部件上的状态下，所述电浆生成空间与所述处理空间连通；气体导入单元，用于将气体导入到所述容器中；电浆生成单元，包括天线，该天线设置在所述容器的外部空间中并且被配置为使用由馈送自电源的高频电压生成的电场来激发所述电浆生成空间中的所述气体；以及基板保持单元，其能够在所述处理空间中保持所述基板。在被布置为接近所述天线的所述第二容器部件的表面上形成包含半导体材料的覆盖膜。
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