知搜-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

222 条记录 (耗时 0.018 秒)

    一种清洁刻蚀硅基片等离子体处理装置的方法
    3.
    发明公开
    一种清洁刻蚀硅基片等离子体处理装置的方法 无效

    公开(公告)号：CN106920730A

    公开(公告)日：2017-07-04

    申请号：CN201510995063.X

    申请日：2015-12-28

    申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

    发明人： 万磊 ,  黄智林 ,  刘身健

    IPC分类号： H01J37/32

    CPC分类号： H01J37/32862 ,  H01J2237/022

    摘要： 本发明提供了一种有效清洁刻蚀硅基片等离子体处理装置的方法，所述方法包括第一步骤和第二步骤，在所述第一步骤中，输送O2和SF6至所述反应腔，向所述等离子体反应腔施加至少第一射频功率，将所述O2和SF6激发为等离子体，所述SF6解离出的等离子体可以对刻蚀完硅基片后残留在反应腔内的硅的残余物进行反应，生成气态的产物排出反应腔，在所述第二步骤中，输送O2至所述反应腔，向所述等离子体反应腔施加至少一第二射频功率，将所述O2激发为等离子体对沉积物中的CxFy及第一步骤中生成的固态硫及其化合物进行清洁。本发明公开的方法可以高效的清除刻蚀完硅基片后的等离子体处理装置内部侧壁及部件。保证了每片硅基片的刻蚀环境具有良好的一致性。

    惰性大气压预冷及后热处理
    4.
    发明授权
    惰性大气压预冷及后热处理 有权

    公开(公告)号：CN104380428B

    公开(公告)日：2017-03-29

    申请号：CN201380028481.0

    申请日：2013-05-24

    申请人： 艾克塞利斯科技公司

    发明人： 威廉·李 ,  史蒂夫·德拉蒙德

    IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/18

    CPC分类号： H01J37/185 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/184 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31701

    摘要： 本发明涉及一种离子注入系统(101)，该系统向置于低于环境温度夹盘(130)上的处理腔室(112)。具有中间环境(138)的中间腔室(136)与外部环境(132)流体连通并具有用于冷却和加热工件(118)的冷却站(140)及加热站(142)。在处理腔室(122)与中间腔室(136)之间提供装载锁定腔室(150)，以使处理环境(126)与中间环境(138)隔离。正压源(166)在中间腔室(136)内提供干气(168)，中间腔室(136)的露点低于中间腔室外部环境(132)的露点。正压源通过自中间腔室流向外部环境的干气流而使中间环境与外部环境隔离。(122)的处理环境(126)中的工件(118)提供离子

    用于减少颗粒的真空限束孔清洁
    6.
    发明授权
    用于减少颗粒的真空限束孔清洁 有权

    公开(公告)号：CN103201820B

    公开(公告)日：2015-11-25

    申请号：CN201180016818.7

    申请日：2011-03-16

    申请人： 艾克塞利斯科技公司

    发明人： 奈尔·卡尔文 ,  张锦程

    IPC分类号： H01J37/317

    CPC分类号： H01J37/04 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/04735 ,  H01J2237/04756

    摘要： 提供一种用于减小离子注入系统（100）中的颗粒污染的方法和系统，其中离子注入系统具有源（120）、质量分析器（136）、解析孔（138）、减速抑制板（146）以及终端站（106）。通过离子源形成离子束（114），而工件（110）在外部环境和用于离子注入的终端站之间转移。在转移工件的同时，调制施加到减速抑制板的减速抑制电压（148），使离子束扩张和收缩，其中解析孔的一个或更多表面及/或在解析孔下游的一个或更多部件受到离子束的冲击，其中减小由于之前沉积的物质残留在所述一个或更多表面上而造成的以后对工件的污染。通过移除之前沉积的物质或者将之前沉积的物质有力地附着到所述一个或更多表面，能够减轻污染。