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公开(公告)号：CN109216144A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710533117.X
申请日：2017-07-03
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器，包括：一反应腔，反应腔内具有一导电基座，导电基座通过一个第一匹配器连接到一个低频射频电源，导电基座上包括一个静电夹盘，静电夹盘上表面用于固定待处理基片，导电基座外侧壁涂覆有至少一层耐等离子腐蚀的绝缘材料层，一个由绝缘材料制成的耦合环围绕在基座外周围，一个聚焦环设置在所述耦合环上方，所述聚焦环围绕所述静电夹盘并且在等离子处理过程中暴露于等离子体，还包括一个环形电极位于所述耦合环上方和聚焦环的下方，一导线第一端电连接到所述基座，第二端连接到所述环形电极，一可变电容串联在所述导线上。
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公开(公告)号：CN108024436A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201610935178.4
申请日：2016-11-01
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H05H1/16
CPC分类号： H05H1/16
摘要： 本发明涉及一种等离子体处理装置，施加射频电源的电感线圈中，包含串联的输入线圈、底层线圈、输出线圈，通过所述底层线圈上穿过上表面至下表面的通孔或通槽，将上方输入线圈和/或输出线圈在底层线圈上感应生成电涡流的回路截断，对底层线圈与其下方加热器之间的耦合面积进行缩减，减少射频能量的不必要损耗，并且使所述风扇的吹风能够经过电感线圈周边及贯通结构到达介电窗及加热器实施冷却，有效提升原先被电感线圈遮挡区域的局部散热效果。
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公开(公告)号：CN107644811A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610573575.1
申请日：2016-07-20
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种博世工艺的刻蚀终点监测方法以及博世刻蚀方法，其可更准确地确定刻蚀终点，避免过度刻蚀引起的基片损伤。在所述博世工艺中，连续监测并获得OES信号，其特征在于，以每一刻蚀步骤或每一沉积步骤为单位，对所获得的OES信号进行处理，以此来确定刻蚀终点。
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公开(公告)号：CN105578698A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410550753.X
申请日：2014-10-17
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H05H1/20
摘要： 本发明提供一种电感耦合等离子体处理装置及其加热部件，用于改善甚至是完全避免绝缘窗上方的电热丝对感应线圈解离等离子体作用的削弱。其中，所述加热部件用来对反应腔室顶部的绝缘窗进行温度控制，所述加热部件包括设置在所述绝缘窗的上表面的电热丝，所述电热丝整体呈中心对称，所述电热丝具有用于与加热电源电性连接以形成回路的两个接点；所述电热丝环绕形成多个图形，每一图形和与该图形中心对称的图形中的加热电流方向相反。
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公开(公告)号：CN105374737B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201410421297.9
申请日：2014-08-25
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提供抑制孔结构刻蚀过程中孔底部出现缺口的方法，以及孔结构的形成方法。其中，该孔结构的形成方法主要包括以下步骤：(1)、提供基底，所述基底包括待蚀刻材料层与粘附在所述待蚀刻材料层下表面的绝缘层；(2)、异向等离子刻蚀所述待蚀刻材料层，以初步形成孔；(3)、在相对较低的工作气压环境下，继续异向等离子刻蚀，以加深所述孔。至少在所述加深所述孔的工艺结束时，所述绝缘层已能透过所述孔而暴露。
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公开(公告)号：CN105575848B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410553794.4
申请日：2014-10-17
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种传送基片的真空锁系统，包含腔室主体、基片支撑组件和升降机构。腔室主体包括第一室和第二室，第二室侧壁上形成可选择地连接至大气气氛环境或真空处理环境的两个开口，第一室对置于其中的基片进行等离子体处理。基片支撑组件可升降的设置于腔室主体中，包括垂直堆叠的隔离板和承载基片的第一支撑件和第二支撑件。升降机构驱动基片支撑组件在第一位置和第二位置之间移动，该第一位置为隔离板密封第一室的底部开口、第一支撑件置于第一室内且第二支撑件对应第二室侧壁上的两个开口处；第二位置为第一支撑件对应两个开口处。本发明能够提高基片处理效率，减轻传送机器人的运动负担。
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公开(公告)号：CN104752331A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310753493.1
申请日：2013-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/76805 , H01J37/32
摘要： 一种硅通孔刻蚀方法以减小硅通孔侧壁的凹口，包括：放置待处理基片到反应腔内的基座上，所述待处理基片上包括绝缘材料层和位于绝缘材料层上方的硅材料层，硅材料层上方还包括图形化的掩膜层开口；通入反应气体到所述反应腔，施加源射频功率到所述反应腔内，形成等离子体，从图形化掩膜层开口向下刻蚀形成硅通孔；通过一个偏置射频电源输出偏置射频功率到所述基座；其特征在于，包括至少一个阶段中偏置射频功率呈脉冲型，其输出功率在高功率输出步骤和低功率输出步骤之间切换，所述偏置射频功率脉冲的占空比低于10%。
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公开(公告)号：CN104752130A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310744229.1
申请日：2013-12-30
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/683
CPC分类号： H01J37/20 , H01J37/32724 , H01L21/6833
摘要： 本发明公开了一种静电卡盘及其所处的等离子体处理装置，所述静电卡盘包括绝缘层和位于绝缘层下方的石墨导热层，加热装置设置于所述石墨导热层下方，利用石墨材料良好的导热性能，不仅能在垂直方向快速传递热量，还能够在水平方向实现热量的快速传递。在加工加热装置时，由于制作工艺的限制，很难实现加热装置表面的完全平坦，不平坦的加热装置会造成静电卡盘加热不均匀，影响刻蚀效果。本发明通过在加热装置上方设置一层石墨导热层，利用石墨材料良好的导热性能，将热量快速的在水平方向上传递，弥补了加热装置表面不平坦对静电卡盘可能造成的温度影响，降低了加热装置的加工难度，保证了刻蚀工艺的顺利进行。
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公开(公告)号：CN104282611A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201310287406.8
申请日：2013-07-09
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/68714 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种等离子体处理腔室及其静电夹盘，其中：所述冷却通道至少包括对应于基片中间区域下方的第一冷却通道和对应于基片边缘区域的第二冷却通道，其中，所述第一冷却通道和所述第二冷却通道分别连接有第一冷却液循环装置和第二冷却液循环装置；所述加热装置包括对应于基片中间区域下方的第一加热装置和对应于基片边缘区域的第二加热装置，所述第一加热装置和所述第二加热装置分别连接有第一电源和第二电源。本发明能够提供均一的热平衡系统，保证静电夹盘和基片的温度均一性。
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公开(公告)号：CN109427551A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710786592.8
申请日：2017-09-04
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/311 , H01J37/32
摘要： 本发明提供了一种基片刻蚀方法，所述方法在一等离子体处理装置内进行，所述基片刻蚀方法刻蚀的基片包括光刻胶掩膜层，介质抗反射层，碳硬掩膜层及氧化硅层；以图形化的介质抗反射层为掩膜刻蚀位于介质抗反射层下方的碳硬掩膜层，形成图形化的碳硬掩膜层；所述等离子体处理装置包括一射频源功率源和一射频偏置功率源，所述射频偏置功率源在刻蚀所述介质抗反射层时输出一频率大于等于2MHZ的射频信号，监测刻蚀工艺进程，当所述介质抗反射层刻蚀完成后，切换所述射频偏置功率源的输出频率小于2MHZ，实现对碳硬掩膜层的刻蚀。其优点是：保证碳掩膜层的刻蚀孔壁垂直，并降低刻蚀孔的开口宽度。
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