博世工艺的刻蚀终点监测方法以及博世刻蚀方法

发明公开

CN107644811A 博世工艺的刻蚀终点监测方法以及博世刻蚀方法有权

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专利标题： 博世工艺的刻蚀终点监测方法以及博世刻蚀方法
专利标题（英）： Etching terminal point monitoring method of Bosch technology, and Bosch etching method
申请号： CN201610573575.1

申请日： 2016-07-20
公开(公告)号： CN107644811A

公开(公告)日： 2018-01-30
发明人: 严利均 , 黄智林 , 王红超 , 刘身健
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
申请人地址： 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
专利权人： 中微半导体设备(上海)有限公司
当前专利权人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
当前专利权人地址： 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
代理机构： 上海信好专利代理事务所
代理商 苗绘
主分类号： H01L21/3065
IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/66

摘要：

本发明公开了一种博世工艺的刻蚀终点监测方法以及博世刻蚀方法，其可更准确地确定刻蚀终点，避免过度刻蚀引起的基片损伤。在所述博世工艺中，连续监测并获得OES信号，其特征在于，以每一刻蚀步骤或每一沉积步骤为单位，对所获得的OES信号进行处理，以此来确定刻蚀终点。

摘要（英）：

The invention discloses an etching terminal point monitoring method of Bosch technology, and Bosch etching method, which can determine the etching terminal point in a more accurate way and can preventsubstrate damage caused by excessive etching. In the Bosch technology, continuous monitoring is conducted and OES signal is obtained. The invention is characterized in that each etching step or eachdeposition step is considered as a unit, the obtained OES signal is processed to determine the etching terminal point.

公开/授权文献

CN107644811B 博世工艺的刻蚀终点监测方法以及博世刻蚀方法公开/授权日：2020-05-22

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中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065	.......等离子腐蚀；活性离子腐蚀