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公开(公告)号：CN105575848A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410553794.4
申请日：2014-10-17
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种传送基片的真空锁系统，包含腔室主体、基片支撑组件和升降机构。腔室主体包括第一室和第二室，第二室侧壁上形成可选择地连接至大气气氛环境或真空处理环境的两个开口，第一室对置于其中的基片进行等离子体处理。基片支撑组件可升降的设置于腔室主体中，包括垂直堆叠的隔离板和承载基片的第一支撑件和第二支撑件。升降机构驱动基片支撑组件在第一位置和第二位置之间移动，该第一位置为隔离板密封第一室的底部开口、第一支撑件置于第一室内且第二支撑件对应第二室侧壁上的两个开口处；第二位置为第一支撑件对应两个开口处。本发明能够提高基片处理效率，减轻传送机器人的运动负担。
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公开(公告)号：CN106373907B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201510432860.7
申请日：2015-07-22
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
发明人： 雷仲礼
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 一种真空锁系统及其对基片的处理方法，真空锁系统包含腔室主体、设置在腔室主体内的基片转移支撑组件和基片升降组件，腔室主体包含垂直堆叠设置的处理腔和基片转移腔，处理腔对基片进行等离子体处理，基片转移腔可选择性地连接至大气环境或真空处理环境，基片转移支撑组件包含基片支撑装置和基片旋转装置，基片支撑装置上的盘用于放置基片，基片旋转装置实现基片在相邻盘之间的转移，基片升降组件以可升降的方式设置在腔室主体中，带动基片在处理腔和基片转移腔之间移动。本发明可以快速有效地实现多个基片的同时搬送，减轻了机械手的搬送压力，提高了工作效率，增加了产量。
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公开(公告)号：CN105575848B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410553794.4
申请日：2014-10-17
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种传送基片的真空锁系统，包含腔室主体、基片支撑组件和升降机构。腔室主体包括第一室和第二室，第二室侧壁上形成可选择地连接至大气气氛环境或真空处理环境的两个开口，第一室对置于其中的基片进行等离子体处理。基片支撑组件可升降的设置于腔室主体中，包括垂直堆叠的隔离板和承载基片的第一支撑件和第二支撑件。升降机构驱动基片支撑组件在第一位置和第二位置之间移动，该第一位置为隔离板密封第一室的底部开口、第一支撑件置于第一室内且第二支撑件对应第二室侧壁上的两个开口处；第二位置为第一支撑件对应两个开口处。本发明能够提高基片处理效率，减轻传送机器人的运动负担。
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公开(公告)号：CN106930631A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511026858.6
申请日：2015-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
CPC分类号： E05D3/02 , E05D5/02 , E05D11/10 , E05Y2900/602
摘要： 本发明提供了用于真空腔盖启闭的铰链及其真空处理装置，包括：上铰链、下铰链，上铰链和下铰链通过栓销连接，上铰链的下连接端设置有偏心轴，连接孔偏心设置于偏心轴中；下铰链的上连接端设置有斜坡，斜坡位于栓销孔的下方；斜坡具有底端和倾斜面；本发明利用斜坡与偏心轴之间的相对位置，使得偏心轴在旋转过程中，会接触斜坡，这样偏心轴旋转时受到斜坡的作用力而不至于转动的过快，避免真空腔盖发生过冲，上铰链的抵靠端与斜坡的底端相接触时，偏心轴停止旋转，进一步避免了真空腔盖发生过冲的问题。
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公开(公告)号：CN106033737A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510114148.2
申请日：2015-03-16
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/67775 , H01J37/32743
摘要： 本发明公开了一种传送基片的真空锁系统，包含腔室主体、第一和第二传片机构。腔室主体包括第一室和与第一室水平设置的第二室。第一室用于对置于基座上的基片进行等离子体处理。第二室具有侧壁上可密封地形成分别与第一室、大气气氛环境和真空处理环境相连通的第一、第二和第三开口。当在所述第一室和第二室之间进行基片传送时，第一传片机构用于在基座和第一室内高于基座顶面的一传送位置之间传送基片，第二传片机构用于通过第一开口在第二室与传送位置之间传送基片，第一传片机构和第二传片机构在所述传送位置处进行基片交接。本发明能够提高系统传片效率，减轻真空处理环境中传送机器人的运动负担。
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公开(公告)号：CN109427527A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710736191.1
申请日：2017-08-24
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种等离子体刻蚀设备及用于该设备的喷头。该喷头设置在等离子体刻蚀设备中的反应腔室的上部，包含：喷头本体；设置在喷头本体上的多个气孔，其内形成有台阶，台阶上方气孔具有第一内壁，台阶下方气孔具有第二内壁；设置在气孔内且与气孔形状匹配的塞子，其内设置有通孔，所述通孔的直径小于1mm；设置在喷头本体表面及气孔第一、第二内壁上的第一保护涂层，及，设置在喷头本体下部表面及气孔第二内壁的第一保护涂层上的第二保护涂层；所述塞子与气孔第一内壁之间设置有间隙，用于防止高温时塞子膨胀破裂；所述塞子的材质为具有防刻蚀气体及等离子体腐蚀的材料。本发明利用增加塞子的方式解决了气孔内壁无法保证保护涂层厚度的问题。
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公开(公告)号：CN106033737B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201510114148.2
申请日：2015-03-16
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种传送基片的真空锁系统，包含腔室主体、第一和第二传片机构。腔室主体包括第一室和与第一室水平设置的第二室。第一室用于对置于基座上的基片进行等离子体处理。第二室具有侧壁上可密封地形成分别与第一室、大气气氛环境和真空处理环境相连通的第一、第二和第三开口。当在所述第一室和第二室之间进行基片传送时，第一传片机构用于在基座和第一室内高于基座顶面的一传送位置之间传送基片，第二传片机构用于通过第一开口在第二室与传送位置之间传送基片，第一传片机构和第二传片机构在所述传送位置处进行基片交接。本发明能够提高系统传片效率，减轻真空处理环境中传送机器人的运动负担。
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公开(公告)号：CN106548917A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510602262.X
申请日：2015-09-21
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种调节等离子体刻蚀腔内器件温度的装置及其温度调节方法，该温度调节装置设置在等离子体刻蚀腔内，包含设置在绝缘环内的绝缘密封组件，该绝缘密封组件通过气体通道连接到气体供应单元，绝缘密封组件中具有若干沟槽空间，这些沟槽空间通过气体通道与气体供应单元联通，所述的绝缘密封组件、气体通道和气体供应单元组成一个密闭的空间，气体供应单元通过释放或回收惰性气体来调节沟槽空间中的气体压力，从而调节绝缘密封组件的热传导率，将聚焦环的温度控制在比基片的温度高50°C～100°C。本发明对等离子体刻蚀腔内器件的温度调节更加简单有效，导热效果更好，成本也更低。
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公开(公告)号：CN106939746B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201511026740.3
申请日：2015-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种避免真空腔腔门过冲的启闭装置及真空腔室，包括具有线性驱动轴的线性驱动部件和接头部件，接头部件一端固定于腔门边缘，接头部件另一端具有一连接孔；线性驱动部件的一端活动连接于真空腔的外壁上，另一端和接头部件另一端通过连接孔进行活动连接；通过线性驱动部件的旋转来驱动接头部件旋转从而打开或关闭腔门；环绕在线性驱动轴的端部的挡板套筒；位于接头部件的连接孔上的挡板，其具有靠近线性驱动部件的截止端；一栓销穿过连接孔，将挡板与挡板套套筒固定连接，且将挡板与接头部件之间活动连接；位于接头部件上的挡板阻件，其靠近挡板的截止端设置，且当挡板的截止端与挡板阻件接触后，接头部件被挡板卡住而不能继续旋转。
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公开(公告)号：CN109420965A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710736798.X
申请日：2017-08-24
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种静电吸盘翻新工装及其翻新方法，工装设置在静电吸盘上，用于静电吸盘的上凸表面翻新，去除累积的聚合物，静电吸盘上凸表面外沿有环状密封保护带。工装包含：抛光装置，采用行星齿轮结构，包含一主动齿轮、一行星齿轮、一内齿轮；行星齿轮下方同轴连接抛光砂盘，抛光砂盘与静电吸盘上凸表面紧密贴合，工作时主动齿轮自转带动行星齿轮公转及自转，从而令抛光砂盘也进行公转及自转的复合运动，从而对静电吸盘上凸表面累积的聚合物进行抛光；支撑座，设置在静电吸盘和抛光装置之间，由下至上按静电吸盘、支撑座、抛光装置的顺序，中心对齐叠放，并固定。本发明解决了纯人工翻新静电吸盘时用力不恒定，抛光面抛光不均、不光滑的问题。
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