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公开(公告)号：CN106356315A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510408292.7
申请日：2015-07-13
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67023
摘要： 本发明提供了一种气体喷淋装置，包括：气体分布扩散板、位于所述气体分布扩散板下方的安装基板以及位于所述安装基板下方的气体喷淋头，所述气体分布扩散板的第一表面与所述安装基板的第一表面接触，形成一接触界面处，所述安装基板的第二表面与所述气体喷淋头的第一表面接触，形成另一接触界面处；其中，至少一个所述接触界面处的至少一个表面上涂覆有导热涂层，所述导热涂层为易变形材料。通过本发明设置的导热涂层能够提高气体喷淋装置内的热量传递效率，进而节约能源。
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公开(公告)号：CN106328471B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510343045.3
申请日：2015-06-19
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种气体喷淋头及其制作方法，用以降低制作的难度。其中的制作方法通过可包括以下步骤：提供第一部件与第二部件，在所述第一部件内形成第一气体通孔，在所述第二部件内形成第二气体通孔；以第一气体通孔与第二气体通孔相对齐的方式，将所述第一部件与所述第二部件叠放在一起，并在第一部件与第二部件之间放置中间层材料；通过扩散焊接的方式将第一部件与第二部件结合为一体，以形成具有气体通孔的气体喷淋头或该气体喷淋头的一部分，其中，所述第一气体通孔、所述第二气体通孔均为所述气体通孔的一部分。
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公开(公告)号：CN106920724A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510982821.4
申请日：2015-12-24
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32458 , H01J2237/334
摘要： 本发明公开一种改善刻蚀对称性的等离子处理装置，该装置包含等离子体反应腔，该等离子体反应腔内底部设有放置晶圆的基座，该基座与等离子体反应腔内壁之间设有限制环，限制环下设有与限制环射频耦合的接地环；接地环与限制环之间设有间隔部件；该间隔部件在限制环整体与接地环之间形成一间隔距离。本发明在限制环与接地环之间设置有间隔部件，增大限制环与接地环之间的间距距离，避免限制环与接地环之间间隙大小的轻微扰动对接触电容产生的极大影响，提高了限制环与接地环之间接触电容的稳定性，改善刻蚀对称性。
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公开(公告)号：CN109427527A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710736191.1
申请日：2017-08-24
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种等离子体刻蚀设备及用于该设备的喷头。该喷头设置在等离子体刻蚀设备中的反应腔室的上部，包含：喷头本体；设置在喷头本体上的多个气孔，其内形成有台阶，台阶上方气孔具有第一内壁，台阶下方气孔具有第二内壁；设置在气孔内且与气孔形状匹配的塞子，其内设置有通孔，所述通孔的直径小于1mm；设置在喷头本体表面及气孔第一、第二内壁上的第一保护涂层，及，设置在喷头本体下部表面及气孔第二内壁的第一保护涂层上的第二保护涂层；所述塞子与气孔第一内壁之间设置有间隙，用于防止高温时塞子膨胀破裂；所述塞子的材质为具有防刻蚀气体及等离子体腐蚀的材料。本发明利用增加塞子的方式解决了气孔内壁无法保证保护涂层厚度的问题。
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公开(公告)号：CN107305830A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610246809.1
申请日：2016-04-20
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法，用以改善半导体处理的均匀性。所述电容耦合等离子体处理装置，包括：反应腔，设置有顶壁、侧壁与底壁；上电极，设置在所述顶壁；下电极，位于所述反应腔内，并与所述上电极相对设置；射频功率源，施加于所述下电极；偏置功率源，施加于所述下电极；阻抗调节装置，所述阻抗调节装置的一端连接所述上电极或所述侧壁，另一端接地。
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公开(公告)号：CN106328471A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510343045.3
申请日：2015-06-19
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种气体喷淋头及其制作方法，用以降低制作的难度。其中的制作方法通过可包括以下步骤：提供第一部件与第二部件，在所述第一部件内形成第一气体通孔，在所述第二部件内形成第二气体通孔；以第一气体通孔与第二气体通孔相对齐的方式，将所述第一部件与所述第二部件叠放在一起，并在第一部件与第二部件之间放置中间层材料；通过扩散焊接的方式将第一部件与第二部件结合为一体，以形成具有气体通孔的气体喷淋头或该气体喷淋头的一部分，其中，所述第一气体通孔、所述第二气体通孔均为所述气体通孔的一部分。
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公开(公告)号：CN106935530A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511012950.7
申请日：2015-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种等离子体刻蚀光刻胶装置，包括一反应腔及一设置在反应腔上方的反应气体源，所述反应腔内设置一基座用以支撑基片，所述基片上方设置至少一气体分布板用以实现反应气体均匀分布至基片表面，所述气体分布板包括一铝或铝合金主体及包覆在所述主体外部的保护层。通过在铝或铝合金主体外设置了一层厚度合适的保护层，使得本发明设置在反应腔内的气体分布板既可以有效的吸附等离子体中的带电粒子，又能避免气体分布板对氧自由基的消耗，因此可以在维持反应腔内保持较高氧自由基浓度的同时，降低带电粒子在基片表面的累积，减小基片表面的电流。从而实现基片光刻胶的刻蚀速率维持在较高水平。
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公开(公告)号：CN109420965A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710736798.X
申请日：2017-08-24
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种静电吸盘翻新工装及其翻新方法，工装设置在静电吸盘上，用于静电吸盘的上凸表面翻新，去除累积的聚合物，静电吸盘上凸表面外沿有环状密封保护带。工装包含：抛光装置，采用行星齿轮结构，包含一主动齿轮、一行星齿轮、一内齿轮；行星齿轮下方同轴连接抛光砂盘，抛光砂盘与静电吸盘上凸表面紧密贴合，工作时主动齿轮自转带动行星齿轮公转及自转，从而令抛光砂盘也进行公转及自转的复合运动，从而对静电吸盘上凸表面累积的聚合物进行抛光；支撑座，设置在静电吸盘和抛光装置之间，由下至上按静电吸盘、支撑座、抛光装置的顺序，中心对齐叠放，并固定。本发明解决了纯人工翻新静电吸盘时用力不恒定，抛光面抛光不均、不光滑的问题。
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公开(公告)号：CN106922071A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510985474.0
申请日：2015-12-25
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明的公开了一种用于等离子反应装置的喷淋头加热冷却装置及方法，采用喷淋头结构、加热结构及冷却结构建立形成喷淋头加热冷却装置；上述部件的组合能够实现反应气体在进入等离子反应腔之前，反应气体在喷淋头结构、加热结构及冷却结构中进行充分混合、预热；并且能够在等离子反应腔内进行晶片刻蚀的过程中，根据实时探测加热结构的温度以及冷却结构不断地对该加热结构进行降温，从而保证反应气体温度保持不变，提高刻蚀效率、产品质量。
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公开(公告)号：CN106920731A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510995068.2
申请日：2015-12-28
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种限制等离子体泄露的接地环，其设置在一反应腔内，该反应腔内包含一限制环；所述接地环位于所述限制环下方，其包含多个半径逐渐增大的同心接地圆环，每相邻两个同心接地圆环间的间距相等，并且间距为所述限制环上相邻两个同心圆环之间间距的两倍，各个同心接地圆环分别位于所述限制环上相应同心圆环的正下方。其优点是：接地环的相邻环缝间距为限制环的2倍，确保了气流量；另一方面，其径向界面类似于限制环向下延伸，这样可以增加地电位的纵向距离，增强了限制效果。
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