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公开(公告)号：CN108269728A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201611254798.8
申请日：2016-12-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32431 , H01J37/32532 , H01J2237/30
Abstract: 本发明涉及一种电容耦合等离子体处理装置与对应的等离子体处理方法，用于改善基片刻蚀的均匀性。其中，处理装置包括：相对设置的上电极与下电极，所述上、下电极之间为处理区域；射频功率源；偏置功率源，施加于所述下电极；环形件，环绕所述下电极设置，所述环形件沿圆周方向分割为至少两个部分，每一部分通过一阻抗调节装置接地。
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公开(公告)号：CN108269727A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201611254369.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32009 , H01J37/32431
Abstract: 本发明涉及一种电容耦合等离子体处理装置与对应的等离子体处理方法，用于改善基片刻蚀的均匀性。其中，处理装置包括：相对设置的上电极与下电极，所述上、下电极之间为处理区域P；射频功率源；偏置功率源，施加于所述下电极；环形件，环绕所述下电极设置，所述环形件通过一阻抗调节装置接地。
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公开(公告)号：CN104681462B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201310631392.7
申请日：2013-11-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种静电卡盘加热测温电路，包括：第一回路，其上流通第一电流，第一电流流经一热敏电阻；第二回路，其上流通第二电流，第二电流或第一电流与第二电流之和流经一加热器，用于加热静电卡盘；一电压源，用于向第一回路与第二回路供电。其将加热电路和测温电路合为一个加热测温电路，简化了电路结构、使系统更加稳定可靠，且减少了对射频功率造成的损耗，提高了反应腔内等离子体的稳定性。
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公开(公告)号：CN107305830A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610246809.1
申请日：2016-04-20
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法，用以改善半导体处理的均匀性。所述电容耦合等离子体处理装置，包括：反应腔，设置有顶壁、侧壁与底壁；上电极，设置在所述顶壁；下电极，位于所述反应腔内，并与所述上电极相对设置；射频功率源，施加于所述下电极；偏置功率源，施加于所述下电极；阻抗调节装置，所述阻抗调节装置的一端连接所述上电极或所述侧壁，另一端接地。
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公开(公告)号：CN104576280B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201310504954.1
申请日：2013-10-23
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/20 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明第一方面提供了一种等离子体处理腔室及其去夹持装置和方法，其中，包括：一腔体；基台，其设置于腔体下方，基片放置于所述基台表面；设置于所述基台内部的若干冷却气体通道，其中通有冷却气体，所述冷却气体通道在所述基台和基片之间设置有一个喷气孔，所述冷却气体能够通过喷气孔将冷却气体喷向基片背面；若干升举顶针，其可移动地设置于基台内部，能够向上顶起基片，静电夹盘，位于所述基台的上部，其最上层设置有一绝缘层，在所述绝缘层中设置有一电极，其中，所述电极分别连接有一直流电源和一交流电源。本发明能够有效解决基片或者静电夹盘上的残余电荷问题导致的去夹持失败问题，且可以解决基片部分去夹持而产生的误判。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104733363B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310705604.1
申请日：2013-12-19
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L23/60 , H03H7/09
Abstract: 本发明提供了一种射频滤波电路和静电夹盘，其中，所述射频滤波电路至少包括，第一电感线圈和第二电感线圈，所述第二电感线圈与所述第一电感线圈上的中间抽头连接，所述第一电感线圈在工作时产生驻波效应，所述中间抽头位于所述驻波的电压最低处；其中，所述第一电感线圈用于限制第一频率的射频能量，所述第二电感线圈用于限制第二频率的射频能量，所述第一频率高于第二频率。本发明提供的射频滤波电路能够充分地屏蔽第一频率的射频能量，提高了射频滤波器的可靠性。
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公开(公告)号：CN106920729A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510995058.9
申请日：2015-12-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/32642
Abstract: 本发明公开了一种均匀刻蚀基片的等离子体处理装置及其处理方法，包括一等离子体处理腔，所述等离子体处理腔内设置一基座，用于支撑基片，环绕所述基片设置一聚焦环，通过施加射频信号在聚焦环表面产生至少可叠加的两个自偏压，当聚焦环厚度随着等离子体轰击腐蚀变薄时，调节某一自偏压的相位，使两个自偏压存在相位差，从而改变叠加后的自偏压之和，实现对基片边缘区域等离子体分布的调节。
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公开(公告)号：CN104377106B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310359236.X
申请日：2013-08-16
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种等离子体反应腔室阻抗的自动匹配方法，包括如下步骤：a)、设定可调阻抗元件的初始阻抗值；b)、判断同轴电缆上测得的反射功率是否大于第一阈值；若是，则执行步骤c)，否则，循环执行步骤b)；c)、判断射频电源的频率是否稳定；若是，则执行步骤d)，否则，循环执行步骤c)；d)、判断同轴电缆上测得的反射功率是否大于第二阈值；若是，则执行步骤e)，否则，回到步骤b)继续执行；e)、以一调节步长调节可调阻抗元件阻抗值，调节步长与同轴电缆上对地电压与电流的相位差α和/或 的值同为正或同为负；其中，第二阈值大于第一阈值。其为阻抗匹配电路中可调阻抗元件提供准确的阻抗调节步长，提高了匹配效率。
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公开(公告)号：CN103915308B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210594588.9
申请日：2012-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供一种双射频脉冲等离子体的刻蚀方法及其刻蚀装置，所述等离子体处理腔室具有上电极和下电极，通过源射频功率和偏置射频功率共同进行制程，所述腔室中放置有基片，所述下电极分别连接有源射频功率源和偏置射频功率源，所述偏置射频功率源以脉冲的方式输出偏置功率，所述偏置射频功率源交替输出第一低频频率和第二低频频率的两种脉冲信号进行制程，所述第一低频频率和第二低频频率的脉冲信号的频率相同且相位相反，本发明结合两种低频频率刻蚀方法，通过调节脉冲发生器的脉冲周期及占空比实现连续调节粒子密度和离子能量，使关键尺寸和均匀性都能得到连续的精确控制，对28nm刻蚀工艺或以下刻蚀工艺中关键尺寸精确控制提供有力帮助。
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公开(公告)号：CN103632913B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201210310946.9
申请日：2012-08-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置，该处理装置包括反应腔室，用于导入反应气体对放置在其中的半导体待加工件进行等离子体处理工艺，反应腔室内设置有：第一电极，第一电极外接有至少一个射频电源，每个射频电源具有唯一的频率；与第一电极上下相对地设置的第二电极，第二电极包括多个电极区；其中，该处理装置还包括至少一个选通电路，每个选通电路一端与一电极区连接，另一端接地，选通电路根据其通断状态调节射频电源在该电极区和第一电极之间形成的射频电场的强度。本发明使反应腔室中的射频电场分布处于可控状态，实现了对等离子体处理工艺的过程控制。
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