-
公开(公告)号：CN105717337B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201410726706.6
申请日：2014-12-04
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: G01R19/00 , H01J37/32 , H01J37/20 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种直流偏压测量系统及方法与吸着力调整系统及方法，先获取静电夹盘的射频电源的电压，并根据经验公式求取晶圆上存在的第一直流偏压值；直流电源根据第一直流偏压值反馈，产生顺利吸着晶圆的直流电压时，测得稳定状态下所述直流电源的漏电流，并获取所述直流电压及系统电阻值，基于欧姆定律来求取晶圆上精确的第二直流偏压值。将所述第二直流偏压值反馈给直流电源，能够进一步调整直流电压的数值，实现对晶圆的吸着力的调整。本发明能够基于直流电源的漏电流来获得实时的直流偏压，实现对晶圆的吸着力的精确控制。
-
公开(公告)号：CN106920725A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510982830.3
申请日：2015-12-24
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32082 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/67103 , H01L21/68735 , H01J37/32 , H01J37/32431 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种聚焦环的温度调整装置及方法，等离子体辐射到聚焦环上的热量，通过与聚焦环下表面接触的第一导热垫、与第一导热垫下表面接触的绝缘环、与绝缘环下表面接触的第二导热垫，向下传递到与第二导热垫接触的基座，通过基座设置的冷却系统进行冷却降温；开启接地的屏蔽环中所设置的加热器来产生可控的外加热源，所述外加热源的热量通过屏蔽环、与屏蔽环接触的第三导热垫、与第三导热垫接触的绝缘环、第一导热垫传递到聚焦环，对聚焦环实施可控升温。本发明通过提供良好的导热冷却路径，并结合可控参数的加热方式，实现对聚焦环工作温度的精细控制，使其在刻蚀等处理中可调谐，从而满足工艺需求。
-
公开(公告)号：CN106548914A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510592306.5
申请日：2015-09-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/34 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32394 , H01J37/3438 , H01J2237/06375 , H01J2237/334 , H01J2237/335 , H01L21/02082 , H01L21/3065 , H01L21/67011
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理设备及其清洗系统和方法，在反应腔室的腔壁内侧布置移动环，并在所述移动环内设置电极；所述电极通过切换开关与射频电源连通，从而在由移动环限定的等离子体扩散范围的边缘区域形成边缘等离子体；或者，所述电极通过切换开关与接地电路连通，从而对反应腔室的腔壁屏蔽形成在反应腔室内的射频电场。本发明能够增强腔室边缘部件的清洗效果，或者实现对腔壁的射频屏蔽以改善刻蚀偏心的效果。
-
公开(公告)号：CN105810547A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410857334.0
申请日：2014-12-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 一种等离子体处理装置的阻抗匹配方法，包括：提供阻抗匹配装置连接在等离子处理装置和可变频功率源之间，阻抗匹配装置包括可变频功率源第一可变电容、第二可变频率和电感；获取等离子处理装置的谐振频率范围；进行频率调节模式，频率调节模式中包括多个频率调节步骤：获得下一步骤中可变频功率源的输出频率；如下一步骤的输出频率不在谐振频率范围内，则循环执行频率调节步骤直至阻抗匹配；如下一步骤的输出频率进入谐振频率范围，停止频率调节模式，进入电容调节步骤：根据检测到的当前等离子处理装置的反射功率信号调节第一可变电容。等离子体处理装置的阻抗匹配方法能够使等离子体的状态稳定、等离子体处理的质量提高、状态稳定。
-
公开(公告)号：CN103295870B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310222055.2
申请日：2013-06-05
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体刻蚀设备及刻蚀方法，其中等离子体刻蚀设备包括：刻蚀腔室；第一射频电源，所述第一射频电源提供2MHz至120MHz的射频功率；第二射频电源，所述第二射频电源提供2MHz至40MHz的射频功率；电源脉冲控制器，所述电源脉冲控制器控制第一射频电源和/或第二射频电源的脉冲，使得所述第一射频电源的脉冲频率大于1000Hz和/或所述第二射频电源的脉冲频率小于1000Hz。本发明能够改善形成的刻蚀孔的侧壁形貌。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103311082B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210065406.9
申请日：2012-03-13
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/30 , H01J37/305
Abstract: 本发明公开了一种射频匹配网络及应用该射频匹配网络的等离子体处理腔，通过采用本发明所述的射频匹配网络，只需调节其中可变电容的大小即可实现射频匹配网络在两种阻抗状态的即时切换，从而保证两射频偏置功率在射频偏置功率源不断开的前提下也能实现即时切换，满足等离子体处理腔的需要。
-
公开(公告)号：CN103311084B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210065396.9
申请日：2012-03-13
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/248 , G05F1/66
Abstract: 本发明公开了一种调节等离子体处理室电场分布的供电系统，所述的供电系统位于射频功率源和下电极之间，包括第一功率分配电路和第二功率分配电路，第一功率分配电路和第二功率分配电路和下电极上的不同点连接，在下电极上形成两组形状不同的驻波，通过调节两路功率分配电路上的相位调节器和可调电容，实现对两组驻波的相位和电压幅值的调节，从而实现对下电极上的电场分布均匀性可调，使得下电极的电场分布满足各种等离子体处理的需要，更好的完成对待处理基片的加工处理。
-
公开(公告)号：CN102820197B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201210317750.2
申请日：2012-08-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
Inventor： 叶如彬
IPC: H01J37/244 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子处理系统，包含等离子反应腔体，一个控制器控制等离子反应腔体内等离子处理流程，一个真空气泵通过排气管道将等离子反应腔体内的气体排出，还包含：采气管道，所述的采气管道连接在排气管道上，采集排气管道中的气体；一个采样等离子体发生装置对流经采气管道的气体电离形成采样等离子体；所述控制器探测所述采气管道中形成的采样等离子体信号，并根据所述采样等离子体信号控制所述等离子处理流程。本发明能够避免受射频电源输入波动的影响，确保了终点探测的可靠性。
-
公开(公告)号：CN103915307A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210593652.1
申请日：2012-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理室及用于该等离子体处理室的气体注入装置，本发明在所述环形气体注入管道内壁设置若干气体注入口，并且使得所述气体输出的方向与所述气体注入口指向所述环形气体注入管道圆心的方向呈一锐角，确保气体注入反应腔后在解离区域内形成涡流状分布，延缓了气体下沉的速率，延长了气体到达基片的走行距离，使得气体在解离区域内尽可能的得到解离，与传统的垂直所述环形气体注入管道内壁的气体注入口相比，气体下沉速率减慢，气体解离率提高，从而提高了反应气体的利用效率，同时由于反应腔内等离子体浓度升高，提高了刻蚀速率。
-
公开(公告)号：CN103903949A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210580994.X
申请日：2012-12-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种用于等离子体处理腔室的射频能量控制方法，用于对放置在等离子体处理腔室中的晶片进行加工处理，所述等离子体处理腔室包括一上电极和一下电极，所述下电极连接一源射频功率源以及一偏置射频功率源，共同作用于所述等离子体处理腔室内以产生一射频电场，所述方法包括如下步骤：向所述等离子体处理腔室内通入反应气体；控制所述上电极和所述下电极对反应气体进行电离，产生等离子体；其中，所述源射频功率源的功率以及所述偏置射频功率源的功率中的至少一个大于零，所述射频电场在多个功率之间周期性交替变化，且所述射频电场的功率始终大于零。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
78
records
(took 0.623 seconds)
