本发明提供了一种基片刻蚀方法，所述方法在一等离子体处理装置内进行，所述基片刻蚀方法刻蚀的基片包括光刻胶掩膜层，介质抗反射层，碳硬掩膜层及氧化硅层；以图形化的介质抗反射层为掩膜刻蚀位于介质抗反射层下方的碳硬掩膜层，形成图形化的碳硬掩膜层；所述等离子体处理装置包括一射频源功率源和一射频偏置功率源，所述射频偏置功率源在刻蚀所述介质抗反射层时输出一频率大于等于2MHZ的射频信号，监测刻蚀工艺进程，当所述介质抗反射层刻蚀完成后，切换所述射频偏置功率源的输出频率小于2MHZ，实现对碳硬掩膜层的刻蚀。其优点是：保证碳掩膜层的刻蚀孔壁垂直，并降低刻蚀孔的开口宽度。