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公开(公告)号:CN110678954A
公开(公告)日:2020-01-10
申请号:CN201880036357.1
申请日:2018-06-13
申请人: 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号: H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/05
摘要: 一种离子注入系统具有形成离子束的离子源。质量分析器沿射束路径限定并改变经质量分析的射束。可动质量解析孔径组件具有解析孔径,响应于质量分析器改变射束路径而选择性改变该解析孔径的位置。定位的偏转减速元件选择性偏转射束路径并选择性使经质量分析的射束减速。控制器在漂移模式和减速模式下选择性操作离子注入系统。控制器在漂移模式下使经质量分析的射束沿第一路径穿过解析孔径而不会发生偏转或减速,而在减速模式下使射束沿第二路径偏转并减速。选择性改变解析孔径的位置是基于穿过质量分析器和偏转减速元件的射束路径变化。
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公开(公告)号:CN102884607B
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201180022448.8
申请日:2011-04-27
申请人: 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号: H01J37/147 , H01J37/317 , H01J37/302
CPC分类号: H01J37/3171 , H01J37/1472 , H01J37/3026 , H01J2237/30455 , H01J2237/30488 , H01J2237/31703
摘要: 公开了用于提供更大产量的离子注入方法和系统。当离子束(112)的横截面完全撞击在工件的表面上时,离子束(112)被以第一扫描速率(VslowScan)跨过工件的表面进行扫描;在束的横截面面积的一部分延伸到工件的外边缘(140)以外的位置(214)处,所述第一扫描速率被增大到第二速率(VFastScan)。一些实施例使用下述扫描模式:其中在实际注入期间在工件外进行束通量测量,以及可以实时地改变注入例行程序以计入束通量的变化。
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公开(公告)号:CN104106123A
公开(公告)日:2014-10-15
申请号:CN201380004763.7
申请日:2013-01-14
申请人: 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/16
CPC分类号: H01J37/147 , G01K5/00 , H01J37/05 , H01J37/16 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/31705
摘要: 本发明涉及用于减少能量杂质的方法及装置,可用于粒子注入的束线组合。突出部包括表面区域及其间槽部的突出部可面向束线组合内从工件角度观察的视线域内的中性原子轨迹。突出部可使中性原子轨迹的路线变作远离工件或引起其它轨迹,用于在击中工件前进一步撞击,并由此对敏感度更佳的注入进一步减少能量杂质。
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公开(公告)号:CN102099890B
公开(公告)日:2013-07-17
申请号:CN200980127779.0
申请日:2009-06-23
申请人: 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号: H01J37/317 , H01J37/147 , H01J37/304
CPC分类号: H01J37/1471 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24578
摘要: 本发明公开了一种离子束角检测设备,包括:线性驱动组件,所述线性驱动组件固定地连接到可移动轮廓仪组件,其中轮廓仪组件包括轮廓仪,所述轮廓仪具有形成于轮廓仪顶板内的轮廓仪孔洞以及轮廓仪传感器组件;可移动角度掩模组件,所述可移动角度掩模组件包括具有掩模孔洞的可移动角度掩模,其中角度掩模组件非固定地连接到轮廓仪组件,掩模孔洞通过给与固定地连接到轮廓仪组件的掩模线性驱动器能量而能够相对于轮廓仪孔洞移动,并且轮廓仪孔洞可移动通过大于离子束的延伸长度的长度。
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公开(公告)号:CN113169011B
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN201980078886.2
申请日:2019-11-06
申请人: 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号: H01J37/147 , H01J37/317
摘要: 一种离子注入系统和方法提供带状离子束的非均匀通量。形成点离子束并将其提供给扫描仪,并且向扫描仪施加具有时变电势的扫描波形。扫描仪在扫描路径上对离子束进行扫描,从而大体上限定由多个子束组成的扫描离子束。然后,扫描射束通过校正器装置。校正器装置构造成在整个工件上以大体上恒定的入射角朝向工件引导扫描离子束。校正器装置还包括多个磁极,该多个磁极构造成在理想点离子束以基本上恒定的速度完全扫描工件的理想情况下,在工件处提供扫描离子束的非均匀通量分布,其中,非均匀通量分布具有从工件的中心区域向工件的边缘基本上单调增加的通量。
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公开(公告)号:CN112567492B
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN201980053599.6
申请日:2019-08-21
申请人: 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号: H01J37/147 , H01J37/317 , H01F3/02 , H01F7/20 , G21K1/093 , G21K5/00
摘要: 扫描磁体位于离子注入系统的质量分辨磁体的下游,并且被配置为控制质量分辨磁体下游的离子束路径以用于扫描或抖动离子束。扫描磁体具有其中界定有通道的轭部。轭部是含铁的并且具有第一侧和第二侧以界定离子束的对应入口和出口。轭部具有从第一侧到第二侧所堆栈的多个层合物,其中与第一侧和第二侧相关联的多个层合物的至少一部分包括一个或多个槽口式层合物,一个或多个槽口式层合物具有界定在其中的多个槽口。
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公开(公告)号:CN110678954B
公开(公告)日:2023-03-24
申请号:CN201880036357.1
申请日:2018-06-13
申请人: 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号: H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/05
摘要: 一种离子注入系统具有形成离子束的离子源。质量分析器沿射束路径限定并改变经质量分析的射束。可动质量解析孔径组件具有解析孔径,响应于质量分析器改变射束路径而选择性改变该解析孔径的位置。定位的偏转减速元件选择性偏转射束路径并选择性使经质量分析的射束减速。控制器在漂移模式和减速模式下选择性操作离子注入系统。控制器在漂移模式下使经质量分析的射束沿第一路径穿过解析孔径而不会发生偏转或减速,而在减速模式下使射束沿第二路径偏转并减速。选择性改变解析孔径的位置是基于穿过质量分析器和偏转减速元件的射束路径变化。
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公开(公告)号:CN107094371A
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201580067666.1
申请日:2015-12-28
申请人: 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号: H01J37/05 , H01J37/09 , H01J37/147 , H01J37/317
CPC分类号: H01J37/1475 , H01J37/05 , H01J37/09 , H01J37/1478 , H01J37/3171 , H01J2237/0458 , H01J2237/057 , H01J2237/152 , H01J2237/24528 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31701
摘要: 离子注入系统(110)使用质量分析器(126)来进行质量分析和角度校正。离子源沿束路径产生离子束(124)。质量分析器放置在离子源的下游,所述质量分析器对离子束执行质量分析和角度校正。位于孔径组件(133)内的分辨孔径(134)位于质量分析器部件的下游并位于束路径上。分辨孔径具有根据所选择的质量分辨率以及离子束的束包络的尺寸和形状。角度测量系统(156)位于分辨孔径的下游并获得离子束的入射角值。控制系统(154)根据来自角度测量系统的离子束的入射角值导出针对质量分析器的磁场调整。
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公开(公告)号:CN107430968B
公开(公告)日:2020-05-22
申请号:CN201680020055.6
申请日:2016-03-22
申请人: 艾克塞利斯科技公司
发明人: 伯·范德伯格 , 约瑟夫·瓦林斯基 , 迈克尔·克里斯托福罗
IPC分类号: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/317
摘要: 模块化离子源和提取设备200包括选择性地电连接到电压电位的离子源室202,其中离子源室包括提取孔203。提取电极206位于靠近离子源室的提取孔的位置,其中提取电极被配置为从离子源室提取离子,并且可以电接地。一个或多个连杆208可操作地连接到离子源室,并且一个或多个绝缘体210将提取电极连接到相应的一个或多个连杆,其中一个或多个绝缘体使相应的一个或多个连杆与提取电极电绝缘,其中提取电极与离子源室电绝缘。一个或多个致动器212、218、220可操作地将一个或多个连杆连接到离子源室,其中一个或多个致动器被配置成使一个或多个连杆相对于所述离子源室平移,其中使提取电极在一个或多个轴线上平移。
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公开(公告)号:CN104025247B
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201280061905.9
申请日:2012-12-13
申请人: 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号: H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/304
CPC分类号: H01J37/3171 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J2237/15 , H01J2237/24405 , H01J2237/24514 , H01J2237/31703
摘要: 本发明涉及一种扫描系统,该扫描系统包括扫描元件、射束评测仪、分析系统及ZFE限制元件。扫描元件配置成扫描离子束扫描路径上的离子束。在离子束扫描路径上扫描离子束时,射束评测仪测量离子束的束电流;分析系统分析所测的束电流,从而检测ZFE情况。位于射束评测仪上游并经由反馈通路耦合至分析系统的ZFE限制元件配置成基于是否检测到ZFE情况而有选择地向经扫描离子束施加时变电场。选择性施加的电场引发经扫描射束中的变化,从而限制ZFE情况。
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