发明公开
- 专利标题: 用于在具有束减速的离子注入器中进行束角度调整的系统和方法
- 专利标题(英): Systems and methods for beam angle adjustment in ion implanters with beam deceleration
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申请号: CN201580067666.1申请日: 2015-12-28
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公开(公告)号: CN107094371A公开(公告)日: 2017-08-25
- 发明人: 伯·范德伯格 , 爱德华·艾伊斯勒
- 申请人: 艾克塞利斯科技公司
- 申请人地址: 美国马萨诸塞州
- 专利权人: 艾克塞利斯科技公司
- 当前专利权人: 艾克塞利斯科技公司
- 当前专利权人地址: 美国马萨诸塞州
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 周泉
- 优先权: 62/096,961 20141226 US
- 国际申请: PCT/US2015/067728 2015.12.28
- 国际公布: WO2016/106424 EN 2016.06.30
- 进入国家日期: 2017-06-12
- 主分类号: H01J37/05
- IPC分类号: H01J37/05 ; H01J37/09 ; H01J37/147 ; H01J37/317
摘要:
离子注入系统(110)使用质量分析器(126)来进行质量分析和角度校正。离子源沿束路径产生离子束(124)。质量分析器放置在离子源的下游,所述质量分析器对离子束执行质量分析和角度校正。位于孔径组件(133)内的分辨孔径(134)位于质量分析器部件的下游并位于束路径上。分辨孔径具有根据所选择的质量分辨率以及离子束的束包络的尺寸和形状。角度测量系统(156)位于分辨孔径的下游并获得离子束的入射角值。控制系统(154)根据来自角度测量系统的离子束的入射角值导出针对质量分析器的磁场调整。