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公开(公告)号：CN102301453B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201080005824.8
申请日：2010-02-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 詹姆士·S·贝福 , 史费特那·瑞都凡诺史费特那 , 具本雄 , 威尔汉·P·普拉托 , 法兰克·辛克莱 , 杰弗里·D·里斯查尔 , 奎格·R·钱尼 , 史蒂芬·C·鲍里雪柏史凯 , 捷葛泰普·玫尔 , 艾利克·R·科步 , 肯尼夫·H·普许尔 , 沙杜·佩特尔 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/304 , H01J2237/0453 , H01J2237/0458 , H01J2237/083 , H01J2237/24542
摘要： 揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中，技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源，离子源包括具有孔径的面板，且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组，撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束，以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。
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公开(公告)号：CN104737267B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201380054224.4
申请日：2013-09-10
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32477 , H05H1/46 , H05H2001/4667
摘要： 揭示一种射频天线与其形成方法以及离子源。射频天线包括具有内径及外径的低阻值的金属管，也具有内径及外径的低摩擦的高分子管包围低阻值的金属管，高分子管的内径略为大于低阻值的金属管的外径。预成形石英玻璃管套住低摩擦的高分子管及低阻值的金属管。石英玻璃管以所要形状预成形。在低阻值的空心金属管的一末端内附着一导引线。将包含低阻值的空心金属管的弹性、低摩擦的高分子管接着穿入石英玻璃管。
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公开(公告)号：CN102105966B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200980129479.6
申请日：2009-06-09
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/08 , H01J27/16 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/0817 , H01J2237/082 , H01J2237/0827 , H01J2237/304
摘要： 揭示一种离子植入设备、多模式离子源及多模式中的离子植入方法。在一特定例示性实施例中，可将所述技术实现为离子植入设备，其包括在多种模式下操作的离子源，使得第一模式为弧放电模式，且第二模式为RF模式。
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公开(公告)号：CN104737267A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054224.4
申请日：2013-09-10
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32477 , H05H1/46 , H05H2001/4667
摘要： 揭示一种用于电浆离子源的射频(RF)天线。射频天线包括具有内径及外径的低阻值的金属管，也具有内径及外径的低摩擦的高分子管包围低阻值的金属管，高分子管的内径略为大于低阻值的金属管的外径。预成形石英玻璃管套住低摩擦的高分子管及低阻值的金属管。石英玻璃管以所要形状预成形。在低阻值的空心金属管的一末端内附着一导引线。将包含低阻值的空心金属管的弹性、低摩擦的高分子管接着穿入石英玻璃管。
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公开(公告)号：CN102484028B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080027722.6
申请日：2010-06-22
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 威尔汉·P·普拉托 , 奈尔·J·巴森 , 彼得·F·库鲁尼西 , 艾力克斯恩德·S·培尔 , 奎格·R·钱尼
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08 , H01J49/10 , H01J27/02 , H01J9/38
CPC分类号： H01J49/10 , H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2209/017 , H01J2237/022 , H01J2237/05 , H01J2237/30466
摘要： 在离子植入机中，利用法拉第杯来接收在离子源清净期间产生的离子束。所侦测的束具有指示离子源清净过程何时完成的相关联的质谱。所述质谱产生由清净剂及包括所述离子源的材料组成的信号。此信号在所述离子源腔室正被清净时随时间而升高，且一旦沉积物被自所述源腔室蚀刻掉，此信号便将变平并保持恒定，藉此利用现有植入工具来在离子源清净期间判定终点侦测。
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公开(公告)号：CN102301453A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080005824.8
申请日：2010-02-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 詹姆士·S·贝福 , 史费特那·瑞都凡诺史费特那 , 具本雄 , 威尔汉·P·普拉托 , 法兰克·辛克莱 , 杰弗里·D·里斯查尔 , 奎格·R·钱尼 , 史蒂芬·C·鲍里雪柏史凯 , 捷葛泰普·玫尔 , 艾利克·R·科步 , 肯尼夫·H·普许尔 , 沙杜·佩特尔 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/304 , H01J2237/0453 , H01J2237/0458 , H01J2237/083 , H01J2237/24542
摘要： 揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中，技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源，离子源包括具有孔径的面板，且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组，撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束，以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。
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公开(公告)号：CN102484028A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080027722.6
申请日：2010-06-22
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 威尔汉·P·普拉托 , 奈尔·J·巴森 , 彼得·F·库鲁尼西 , 艾力克斯恩德·S·培尔 , 奎格·R·钱尼
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08 , H01J49/10 , H01J27/02 , H01J9/38
CPC分类号： H01J49/10 , H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2209/017 , H01J2237/022 , H01J2237/05 , H01J2237/30466
摘要： 在离子植入机中，利用法拉第杯来接收在离子源清净期间产生的离子束。所侦测的束具有指示离子源清净过程何时完成的相关联的质谱。所述质谱产生由清净剂及包括所述离子源的材料组成的信号。此信号在所述离子源腔室正被清净时随时间而升高，且一旦沉积物被自所述源腔室蚀刻掉，此信号便将变平并保持恒定，藉此利用现有植入工具来在离子源清净期间判定终点侦测。
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公开(公告)号：CN102113094A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130611.5
申请日：2009-06-18
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/024 , H01J2237/0458 , H01J2237/061
摘要： 在离子源腔室的清洁过程中，定位于所述离子源腔室外部的电极包含抑制插塞。当将清洁气体引入至所述源腔室中时，所述抑制插塞可与所述源腔室的提取孔啮合，以便调整所述腔室内的气压，从而经由等离子增强化学反应而增强腔室清洁。可在清洁过程期间调整所述源腔室孔与所述抑制插塞之间的气体传导率，以便提供最佳清洁条件并排出不当沉积物。
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公开(公告)号：CN102105966A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980129479.6
申请日：2009-06-09
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/08 , H01J27/16 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/0817 , H01J2237/082 , H01J2237/0827 , H01J2237/304
摘要： 揭示一种提供多模式离子源的技术。在一特定例示性实施例中，可将所述技术实现为用于离子植入的设备，其包括在多种模式下操作的离子源，使得第一模式为弧放电模式，且第二模式为RF模式。
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