公开(公告)号：CN102301453B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201080005824.8

申请日：2010-02-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 詹姆士·S·贝福 ,  史费特那·瑞都凡诺史费特那 ,  具本雄 ,  威尔汉·P·普拉托 ,  法兰克·辛克莱 ,  杰弗里·D·里斯查尔 ,  奎格·R·钱尼 ,  史蒂芬·C·鲍里雪柏史凯 ,  捷葛泰普·玫尔 ,  艾利克·R·科步 ,  肯尼夫·H·普许尔 ,  沙杜·佩特尔 ,  维克多·M·本夫尼斯特

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08 ,  H01J37/09 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/24542

Abstract: 揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中，技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源，离子源包括具有孔径的面板，且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组，撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束，以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。

公开(公告)号：CN102301453A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080005824.8

申请日：2010-02-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 詹姆士·S·贝福 ,  史费特那·瑞都凡诺史费特那 ,  具本雄 ,  威尔汉·P·普拉托 ,  法兰克·辛克莱 ,  杰弗里·D·里斯查尔 ,  奎格·R·钱尼 ,  史蒂芬·C·鲍里雪柏史凯 ,  捷葛泰普·玫尔 ,  艾利克·R·科步 ,  肯尼夫·H·普许尔 ,  沙杜·佩特尔 ,  维克多·M·本夫尼斯特

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08 ,  H01J37/09 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/24542

Abstract: 揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中，技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源，离子源包括具有孔径的面板，且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组，撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束，以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。