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公开(公告)号：CN111742388B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201980013322.0
申请日：2019-01-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 常胜武 , 法兰克·辛克莱 , 亚历山大·利坎斯奇 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 罗伯特·C·林德柏格
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本文提供减少离子植入机中粒子的方法，具体而言，提供一种能量纯度模块、离子植入系统及减少其中粒子的方法。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束光学器件中的每一者递送电压及电流的电气系统。
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公开(公告)号：CN107815728B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201711069158.4
申请日：2015-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种使熔体成长为结晶片的结晶器及方法。结晶器可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述结晶器还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。使熔体成长为结晶片的结晶器及方法中，使用结晶器以提供气体喷射以在熔体的表面以及致冷块之间形成对流区，有助于高速散热。
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公开(公告)号：CN108040498B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201680027886.6
申请日：2016-05-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本文提供源壳体组件、离子撷取系统及改善离子撷取系统的方法。源壳体组件可包括源壳体，所述源壳体环绕包括弧室的离子源，所述源壳体具有安装于其近端处的撷取孔板。所述源壳体组件还包括真空衬垫，所述真空衬垫安置于所述源壳体的内部内以在一组真空抽吸孔周围形成屏障。在构成后，所述源壳体组件中的除撷取孔板中的开口以外的开口被撷取孔板及真空衬垫封闭，进而确保在弧室外形成的附属弧或无关离子保持于源壳体内。只有在弧室内形成的那些离子经由撷取孔板的开口而离开源壳体。
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公开(公告)号：CN110622277A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880018810.6
申请日：2018-03-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/30
Abstract: 一种离子植入系统可包括：离子源，产生离子束，衬底平台，设置在离子源的下游；以及减速级，包括使离子束偏转的组件，其中所述减速级设置在离子源与衬底平台之间。所述离子植入系统还可包括向减速级提供氢气的氢来源，其中从离子束产生的高能中性物质不散射到衬底平台。
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公开(公告)号：CN105874557B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201480071772.2
申请日：2014-11-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 法兰克·辛克莱 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC: H01J37/147 , G02B27/30
Abstract: 一种静电透镜系统及处理发散离子束的方法。静电透镜系统包含：第一电极，用于接收离子束；第二电极，用于接收穿过第一电极之后的离子束，其中第一电极与第二电极中的其中之一的凸面和其中另一的凹面界定上游间隙；第三电极，用于接收穿过第二电极之后的离子束，其中第二电极与第三电极中的其中之一的凸面和其中另一的凹面界定下游间隙，第二电极具有两个凹面或两个凸面；以及电压供应系统，用于独立地将电压信号供应到第一电极、第二电极和第三电极，其中电压信号随着离子束穿过第一电极、第二电极和第三电极而将离子束加速和减速。本发明的静电透镜系统可充当静电准直器和用于离子束的减速或加速的静电透镜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106165110B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201580016307.3
申请日：2015-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/0248 , H01L31/02 , H01L31/18
CPC classification number: C30B15/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/00 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种使熔体成长为结晶片的结晶器及方法。结晶器可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述结晶器还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块交互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。使熔体成长为结晶片的结晶器及方法中，使用结晶器以提供气体喷射以在熔体的表面以及致冷块之间形成对流区，有助于高速散热。
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公开(公告)号：CN106663582A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580044598.7
申请日：2015-08-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/30 , H01J37/317 , H05H5/06
CPC classification number: H01J37/3007 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0473 , H01J2237/0815 , H05H5/063
Abstract: 本发明揭示一种具有改进的性能的串列式加速器和离子植入机。所述串列式加速器包含多个输入电极、多个输出电极和安置在其间的高电压端子。高电压端子包含去除管。中性分子注射到去除管中，这从传入的负离子束移除电子。所得正离子朝向所述多个输出电极加速。为减小退出去除管的非所要正离子的量，偏置电极安置在去除管的入口和出口处。偏置电极以大于施加到端子的第一电压的第二电压偏置。偏置电极排斥缓慢移动的正离子，从而防止其退出去除管和污染工件。
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公开(公告)号：CN105340052B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201480036223.1
申请日：2014-05-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1477 , H01J37/3171
Abstract: 本发明提供一种静电扫描器、离子注入系统以及用于处理离子束的方法，该静电扫描器用以在离子注入机中扫描离子束。静电扫描器可以包含第一扫描板，第一扫描板具有面向离子束的第一内表面，第一内表面在垂直于离子束传播方向的第一平面中具有凹面形状；以及与第一扫描板相对的第二扫描板，第一扫描板与第二扫描板以间隙间隔开以容纳离子束，第二扫描板具有面向离子束的第二内表面并且在第一平面中具有凸面形状，第一扫描板以及第二扫描板经配置以在间隙中生成静电场，从而沿着垂直于离子束传播方向的水平方向来回扫描离子束。该静电扫描器可以减小由传统设备产生的离子束的垂直角展度。
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公开(公告)号：CN104094349B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280068868.4
申请日：2012-12-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 法兰克·辛克莱 , 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 拉杰许·都蕾
CPC classification number: G11B5/127 , B82Y10/00 , G01Q80/00 , G11B5/02 , G11B5/1278 , G11B5/746 , G11B9/1409 , G11B2005/0002
Abstract: 磁性存储装置的写入头包含写入尖端，写入尖端包括磁性材料；写入脉冲发生器，写入脉冲发生器经配置以产生包括在磁性存储装置与写入尖端之间的变化的偏压的写入脉冲信号。写入脉冲信号包括一个或多个写入脉冲，写入脉冲有效地使电子从写入尖端隧穿到磁性存储装置中。数据流发生器经配置以向写入尖端提供数据流信号，其中数据流信号可操作以将电子中的自旋极性从第一极性改变成第二极性。
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公开(公告)号：CN105765693A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480064208.8
申请日：2014-10-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J2237/0455 , H01J2237/30483
Abstract: 一种用于在离子植入器中进行双模式操作的系统可包含活动束挡块，其用以在第一方向上调整离子束的束宽度，所述第一方向垂直于所述离子束的第一局部行进方向。所述系统可还包含：扫描器，其用以当在第一状态中时在垂直于所述离子束的第二局部行进方向的第二方向上扫描所述离子束并且在第二状态中未受扰动地传输所述离子束；以及模式选择器，其用以向所述活动束挡块以及向所述扫描器发送一组信号以便一致调整所述离子束的宽度和所述扫描器的状态。
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