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公开(公告)号：CN109440185A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201910002255.4
申请日：2019-01-02
申请人： 伯恩露笑蓝宝石有限公司
IPC分类号： C30B15/14
CPC分类号： C30B15/14
摘要： 本发明公开一种热交换器升降机构以及晶体生长炉系统，包括热交换器、固定件、升降机构。热交换器的一端被构造为贯穿晶体生长炉的炉体与晶体生长炉中的坩埚连接并与坩埚发生热交换，热交换器被构造为与炉体的壁面可滑动地配合。固定件被构造为与晶体生长炉保持相对位置。升降机构与固定件连接并与固定件保持相对位置，升降机构与热交换器传动连接，升降机构被构造为驱动热交换相对于炉体滑动，以改变升降机构相对于炉体的位置关系。本申请提供的技术方案可以用于解决现有晶体生长设备中热交换器位置的相对变化，导致影响晶体质量的问题。
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公开(公告)号：CN109023508A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811237423.X
申请日：2018-10-23
申请人： 宁夏旭樱新能源科技有限公司
发明人： 张建新
CPC分类号： C30B15/02 , C30B15/002 , C30B15/14 , C30B29/06
摘要： 一种单晶炉用新型连续加料装置，包括储料装置、过渡装置、固定装置、液体导出装置、加热装置，还包括投料装置，投料装置设置于炉体的上端，投料装置的正下端设置有储料装置，储料装置设置于炉体的下端，过渡装置的入口端与储料装置相连接，过渡装置设置于固定装置上端，液体导出装置的入口端与过渡装置的出口端相连接，液体导出装置的出口端设置于石英坩埚的内壁上，加热装置环绕设置于过渡装置、液体导出装置的外侧；本发明彻底解决了现有技术硅料熔融后硅液晶相分布不均匀、硅液的一致性差的难题，不需预先装料，减少加料、化料的时间，提高硅棒熔融效率和水平，提高拉晶效率，有效的降低劳动强度和生产成本，同时因为其投入少，便于推广。
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公开(公告)号：CN108385160A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810199856.4
申请日：2018-03-12
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的装置及其方法，一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的装置包括炉膛、氧化锆底座、氧化锆保温桶、盖板、金属环、坩埚和感应加热线圈，所述氧化锆底座安装在炉膛内，所述氧化锆保温桶安装在氧化锆底座上，氧化锆保温桶内设有固定槽，所述金属环安装在固定槽内，所述坩埚安装在氧化锆底座上其并与氧化锆保温桶接触。本发明通过在坩埚上方加入一个感应加热金属环，产生附加热场，从而调节提拉法晶体生长时的温场，可有效克服晶体生长中的孪晶、开裂等问题。
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公开(公告)号：CN108368639A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201780004008.7
申请日：2017-02-20
申请人： 爱思开矽得荣株式会社
摘要： 本发明涉及一种能够通过均匀地形成沿着熔融硅液表面流动的惰性气体的流速来精确控制熔融硅液表面上的氧挥发的单晶锭生长装置。本发明涉及一种单晶锭生长装置，包括：容纳有熔融硅液的坩埚；隔热构件，所述隔热构件被安装以悬在所述坩埚上方并且冷却从所述坩埚的熔融硅液生长的单晶锭；第一流动路径，所述第一流动路径形成在单晶锭的外周表面与所述隔热构件的内周表面之间，其中惰性气体垂直向下移动；和第二流动路径，所述第二流动路径形成在所述隔热构件的下端与所述熔融硅液的上表面之间，其中惰性气体水平向外移动，其中，单晶中的氧浓度根据所述第二流动路径与所述第一流动路径的体积比来控制。
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公开(公告)号：CN107407003A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201580076628.2
申请日：2015-08-14
申请人： LG矽得荣株式会社
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B15/22 , C30B15/30 , C30B30/04 , H01L21/02002 , C30B15/00
摘要： 一种实施方式提供一种用于生长单晶硅锭的方法，所述方法可包括：在坩埚中制备硅熔液；将种晶探入硅熔液；旋转种晶和坩埚，同时向坩埚施加水平磁场；以及提拉从硅熔液中生长的硅锭，其中，生长的硅锭和硅熔液之间的界面形成于离水平面向下1-5毫米的位置，且生长后的硅锭的体积微缺陷(BMD)尺寸为55-65纳米。
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公开(公告)号：CN107075718A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580049307.3
申请日：2015-09-09
申请人： 信越半导体株式会社
IPC分类号： C30B15/22
摘要： 本发明提供一种半导体单晶提拉装置，其具备：对收容熔融液的坩埚进行加热保温的加热器、及一边从所述熔融液提拉一边培育半导体单晶的绳线，所述半导体单晶提拉装置的特征在于，单晶提拉装置具备：再熔融检出装置，其在用绳线使半导体单晶的下端部浸没在熔融液中并再熔融时，根据半导体单晶的重量变化，来检出半导体单晶的下端部的再熔融已经完成；以及，最下端检出装置，其通过在坩埚与绳线之间施加电压，来一边在半导体单晶与熔融液之间施加电压一边用绳线卷绕提起半导体单晶时，根据半导体单晶与熔融液之间变得无电流流动的位置，来检出半导体单晶的最下端。由此，在半导体单晶的再熔融中，为了判断浸没的结晶的熔融的完成，不需要通过目视来确认，能够进行有效的再熔融。
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公开(公告)号：CN106894079A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510959044.1
申请日：2015-12-21
申请人： 上海超硅半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种单晶硅锭的生长装置，主要涉及单晶炉用热场，主要包括：石墨坩埚、加热器、上下保温筒、支撑环、保温罩、导流筒、坩埚托盘、坩埚支撑轴和底盘保温层。本发明通过优化石墨坩埚的结构、加热器结构和调整保温材料，来改善单晶炉的保温效果，改善热场分布，从而降低能耗；并且可以增加石墨坩埚、加热器等部件的重复使用率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN106835278A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710024371.7
申请日：2017-01-13
申请人： 许昌天戈硅业科技有限公司
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/14 , C30B15/206 , C30B29/20
摘要： 本发明公开供一种晶体生长炉加热器以及蓝宝石晶体生长炉，生长炉加热器，包括环形基筒、加热环以及电机，加热环设置在环形基筒的内壁上，且加热环通过导线与炉体外部的加热元件电源和控制器连接，炉体的炉盖上对称设置有两个电机，电机与控制器通过导线连接，电机的输出轴上绕设有提拉线，提拉线的下端穿过炉体并与环形基筒的上端固定连接。本发明的蓝宝石晶体生长炉为较为环保的低能耗生长炉，生长炉内的加热器可灵活调节，并且长晶炉还配有换热器，换热器用于保护气和冷却循环水之间的热量交换，利用冷却循环水的热量使充入炉体内的保护气升温，带有热量的保护气进入炉体内，能进一步提高炉内的保温效果，实现了坩埚冷却循环水热量的重新利用。
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公开(公告)号：CN106319621A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610841931.3
申请日：2016-09-22
申请人： 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
发明人： 王文庆
摘要： 本发明涉及单晶硅生长制造领域，尤其涉及一种大尺寸直拉硅单晶生长技术领域。一种大尺寸直拉硅单晶生长方法，包括以下步骤：装料，抽真空，加热熔料，引晶温度调节与引晶，放肩，转肩，等径生长，收尾退火和冷却，其特征在于，采用若干弧片状石墨加热器组成的封闭管状石墨加热器组对坩埚加热熔料，硅单晶生长过程中，各石墨加热器保持温度一致，等径生长过程中，氩气气流经导流筒内部进入热场系统，冷却器设置在导流筒内测，且与导流筒平行。本发明通过上述工艺，改善水平方向的热对流，进一步提高产品质量，有效冷却生长界面，一定程度提高产率。
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公开(公告)号：CN106319619A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610939973.0
申请日：2016-11-02
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种6英寸直拉重掺硅单晶无位错生长工艺及其热场系统。即熔晶中稳定时间为50-60分钟，平均温度变化控制在0.3-0.8℃；引晶中控制细颈直径为3.5-4mm，细颈长度为150-200mm，平均引晶速率为250-350mm/h；放肩中提拉速率设为38mm/h，放肩的降温曲线通过放肩阶段晶体的直径大小进行控制；等径中额外增加补温。由此成功在14英寸热场下生长出了无漩涡无位错6吋重掺硅单晶，氧碳测试结果达到国标，其应用成本低，符合单晶生产要求。本工艺使用新设计的三段式导流筒结构的热场，设计炉底为双层结构，增强了单晶炉的保温性，有助于拉制大尺寸单晶，有效防止拉制重掺单晶过程组分过冷的发生。
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