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公开(公告)号：CN108374201A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810171421.9
申请日：2018-03-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种铌酸锂基片的黑化方法。本方法采用的还原试剂由铁粉和碳酸锂粉末混合而成，铌酸锂基片的黑化步骤为：1、在方形刚玉坩埚中放入铁粉和碳酸锂混合物；2、将铌酸锂基片平放埋入混合物中；3、将方形刚玉坩埚放入热处理炉中，在氩气氛围中处理；4、待温度降低到接近室温后放入稀盐酸溶液浸泡，之后冲洗、甩干。本方法反应时间短，铌酸锂基片的黑化过程耗时少，适合于大规模生产；采用方形刚玉坩埚耐高温，耐酸碱，可以长时间使用，且方形坩埚取放晶片较为容易，方形坩埚放置在热处理炉炉管中较为平稳，不易歪斜；本方法操作简便易行，安全可靠。通过调整混合物比例、反应时间和反应温度等条件可得到不同黑化程度的铌酸锂基片。
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公开(公告)号：CN107973269A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711362182.7
申请日：2017-12-18
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种MEMS器件用多层结构硅片的制作方法，多层结构硅片为背损伤层、低阻重掺器件层、高阻支撑层三层结构，其制作方法为：一、将低阻重掺硅化学腐蚀片背面进行损伤处理，制作背损伤层；二、将低阻重掺硅化学腐蚀片正面进行抛光；三、再将抛光后的低阻重掺硅化学腐蚀片正面与另一高阻硅抛光片直接键合；四、键合后进行热处理。由于背面经过损伤处理，硅片局部范围晶格变得不完整，应力场和应力集中点以及背损伤后的晶片在热处理时诱生的位错可以将器件区的有害杂质吸收并沉积，从而在器件层形成一定范围的洁净区，可在一定程度上减少由器件层有害杂质造成的键合界面缺陷的数量。
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公开(公告)号：CN110328766B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201910650836.9
申请日：2019-07-18
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B28D5/00 , B23K26/38 , B23K26/402
摘要： 本发明公开了一种磷化铟晶片加工方法。该方法工艺流程：1、将生长的原始单晶根据直径和单晶情况进行头尾切断；2、将头尾切断后的晶锭在方向制作小参考面；3、将制作好小参考面的晶锭进行粘棒并定向切割；4、对切割后形状不规则的晶片按照最小直径进行直径分档；5、对分档后的晶片按照国标规定的标准尺寸进行激光割圆；6、对激光割圆后的晶片进行边缘倒角；7、对晶片进行后续加工。采用该方法进行直径不均匀的InP单晶晶片加工，可以有效降低加工损耗，挽救问题单晶片，提高有效出片面积，对于LEC法拉制的InP单晶，采用该方法加工每棵晶锭的有效出片面积能够提高20%以上，特殊情况能达到50%甚至更高。
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公开(公告)号：CN106498494A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610939982.X
申请日：2016-11-02
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种ＭＥＭＳ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法，改变了单晶炉热场的上下保温层厚度，优化了热场的纵向温度梯度，使用新型结构的导流筒，改善了氩气流场结构，采用磁场拉晶，并随着熔硅减少，逐渐增强磁场强度，以保证晶体的氧碳杂质含量得到有效控制，减少后期单晶中氧沉淀及相关缺陷的生成，掺入电中性锗元素，起到抑制微缺陷形成的作用，改善晶体的微缺陷密度参数。技术效果是减少了熔体稳定化时间，改善了拉晶效率，提高放肩拉速，小角度锥形放肩，减低晶体拉制速率，提高升温幅度和速率，抑制因锗元素造成的组分过冷问题，保证晶体生长稳定。
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公开(公告)号：CN106319619A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610939973.0
申请日：2016-11-02
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种6英寸直拉重掺硅单晶无位错生长工艺及其热场系统。即熔晶中稳定时间为50-60分钟，平均温度变化控制在0.3-0.8℃；引晶中控制细颈直径为3.5-4mm，细颈长度为150-200mm，平均引晶速率为250-350mm/h；放肩中提拉速率设为38mm/h，放肩的降温曲线通过放肩阶段晶体的直径大小进行控制；等径中额外增加补温。由此成功在14英寸热场下生长出了无漩涡无位错6吋重掺硅单晶，氧碳测试结果达到国标，其应用成本低，符合单晶生产要求。本工艺使用新设计的三段式导流筒结构的热场，设计炉底为双层结构，增强了单晶炉的保温性，有助于拉制大尺寸单晶，有效防止拉制重掺单晶过程组分过冷的发生。
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公开(公告)号：CN106206431A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610615128.8
申请日：2016-08-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/02 , B23K26/38 , B28D5/0005 , B28D5/0058 , B28D5/04
摘要： 本发明公开了一种用于制作异形硅单晶抛光片的方法，包括硅单晶抛光片圆片的制备、贴膜、激光划片、揭膜、清洗等步骤。先通过硅单晶生长以及加工制备出硅抛光片，将硅片贴膜后，使用激光划片机根据异形硅抛光片的形状、尺寸要求进行划片。本发明提供的制作异形硅单晶抛光片的方法有以下几个优点：（1）激光划片精度高、速度快、可进行曲线及直线图形切割，可制作任意形状的异形硅单晶抛光片；（2）划片时，可根据晶片实际厚度和膜厚调整激光器功率，保证与晶片正面接触的膜不切透；（3）切割过程为非接触式，无机械应力产生，工件不易变形，热影响极小，可有效减少晶片划伤、背崩及微裂纹；（4）可利用半导体材料标准加工线进行生产，保证产品的良率。
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公开(公告)号：CN113611593B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202110880195.3
申请日：2021-08-02
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明提供一种超薄锗片翘曲形貌的控制方法，第一步、将锗切割片进行机械研磨，通过锗片研磨加工去除切割损伤的同时对锗片的翘曲方向进行初步控制；第二步、采用酸腐蚀机对锗研磨片进行酸腐蚀，通过酸腐蚀过程去除锗片的研磨损伤，优化锗片翘曲形貌；第三步、采用磨削机对锗片背表面进行单面去除，通过小去除量的单面磨削，进一步控制锗片的翘曲形貌；第四步、采用碱性腐蚀液对锗磨削片进行弱碱腐蚀，最后通过锗片碱液弱腐蚀，去除应力，改善锗片表面质量和机械强度。本方法实现了对超薄锗片减薄加工过程中的翘曲形貌控制，本方法加工效率高，能很好的控制锗片翘曲形貌。通过本方法制备的超薄锗片在后续外延过程中碎片率低。
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公开(公告)号：CN111849656A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010783255.5
申请日：2020-08-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种功率半导体器件用硅片清洗液。包括一种功率半导体器件用硅片清洗液，其特征在于：包括C12脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基二苯醚二磺酸盐、氢氧化钠和烷基苯磺酸钠，配制方法如下：先将烷基二苯醚二磺酸盐和C12脂肪醇聚氧乙烯醚按质量比1：2~3复配，制成复配剂；然后将烷基苯磺酸钠、氢氧化钠和复配剂按1：8~10：2~3的比例复配，配制成功率半导体器件用硅片清洗液。使用本发明的功率半导体器件用硅片清洗液可明显降低硅片表面粗糙度、改善硅片表面划痕处的腐蚀损伤，使硅片的外观及性能都得到改善。
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公开(公告)号：CN110645306A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201911060758.3
申请日：2019-11-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种大尺寸硅单晶落地用隔振缓冲设备及实现方法，设备包括上壳体、柔性受力弹簧、外壳体、振动传递杆下弹簧、隔振器、弹性件、缓冲器，其中隔振器包括振动接收杆、扭转弹簧、振动传递杆、振动传出杆，缓冲器由线圈和磁铁、大力振动传递杆组成，利用缓冲器的磁铁切割磁感线运动起到阻尼缓冲的作用减振，利用隔振器的扭转弹簧和振动传递杆下弹簧作用起到对于轻微振动的高敏感度，响应速度快的阻振效果，效果是，首次采用磁铁-线圈的增大系统阻尼量的方法，从而到达快速削弱大幅振动，减小晶棒因振动受损的潜在隐患；当振幅变小或者振源频率变低时，隔振器不仅保护内部的结构，还提高隔振的性能。
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公开(公告)号：CN105058223A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510414595.X
申请日：2015-07-15
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
CPC分类号： B24B37/10 , B24B27/0076 , B24B37/042 , B24B37/30 , H01L21/02013
摘要： 本发明涉及一种锗单晶片的单面研磨方法，包括粘蜡、减薄、解离、去蜡步骤，首先通过粘蜡的方法获得直径、莫氏强度都大于锗单晶片的载片与锗单晶片粘合在一起的双层结构的复合片；通过研磨的方式减薄获得一定厚度的双层结构复合片；通过加热的方法进行载片与锗单晶片的解离；然后对锗单晶研磨片进行去蜡处理即可得到所需厚度的锗单晶片。有益效果是锗单晶片表面质量优异，实时测量、控制研磨去除量，减少了晶片崩边和裂纹的产生，降低了生产成本。
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