发明公开
- 专利标题: 一种大尺寸硅单晶落地用隔振缓冲设备及实现方法
- 专利标题(英): Landing vibration isolating and buffering device and implementation method for large size silicon single crystal
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申请号: CN201911060758.3申请日: 2019-11-01
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公开(公告)号: CN110645306A公开(公告)日: 2020-01-03
- 发明人: 李明智 , 韩焕鹏 , 张颖武 , 莫宇 , 李明佳 , 张伟才
- 申请人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 申请人地址: 天津市河西区洞庭路26号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 当前专利权人地址: 天津市河西区洞庭路26号
- 代理机构: 天津中环专利商标代理有限公司
- 代理商 胡京生
- 主分类号: F16F13/00
- IPC分类号: F16F13/00 ; F16F15/03 ; F16F15/04
摘要:
本发明涉及一种大尺寸硅单晶落地用隔振缓冲设备及实现方法,设备包括上壳体、柔性受力弹簧、外壳体、振动传递杆下弹簧、隔振器、弹性件、缓冲器,其中隔振器包括振动接收杆、扭转弹簧、振动传递杆、振动传出杆,缓冲器由线圈和磁铁、大力振动传递杆组成,利用缓冲器的磁铁切割磁感线运动起到阻尼缓冲的作用减振,利用隔振器的扭转弹簧和振动传递杆下弹簧作用起到对于轻微振动的高敏感度,响应速度快的阻振效果,效果是,首次采用磁铁-线圈的增大系统阻尼量的方法,从而到达快速削弱大幅振动,减小晶棒因振动受损的潜在隐患;当振幅变小或者振源频率变低时,隔振器不仅保护内部的结构,还提高隔振的性能。