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公开(公告)号：CN118108407A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311662949.3
申请日：2023-12-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： C03B37/012 , G02B6/024
摘要： 本发明公开了一种熊猫型保偏光纤预制棒的拼装方法，采用石英焊枪、酸洗设备、超声设备，先对应力棒进行检查、调整弯曲度、磨圆后使其匹配打孔单模孔径。准备好打孔单模、连接支撑管、石英封环以及石英封头，将打孔单模以及石英封头通过石英焊枪进行拼接。将拼接好的单模棒以及应力棒酸洗干燥后，将应力棒插入打孔单模，封入垫块、压块。在远离应力棒区域起火焊接抽真空尾管，抽真空后熔封进行拉丝。所拼装的高应力掺杂的熊猫型保偏光纤预制棒，应力区面积占比可达14%，直径占比可达38%。应力棒外层纯石英层厚度在0.3±0.1mm。使用此方法应力棒在拼装过程中全程远离焊接热源，可确保在拼装过程中应力棒完好，不会出现炸裂情况。
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公开(公告)号：CN118061385A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410079382.5
申请日：2024-01-19
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明提供了一种AlN晶体的加工方法，属于半导体材料加工技术领域，包括以下步骤：制备平台上放置原AlN晶体和套筒，套筒套设在原AlN晶体的外部，套筒的内周壁与原AlN晶体的外周间隔以形成第一填充腔室，套筒的顶部高于原AlN晶体以形成第二填充腔室；将混有AlN颗粒的AB胶灌注于第一填充腔室和第二填充腔室中，静置固化；取下套筒以形成待加工AlN晶体。本发明提供的一种AlN晶体的加工方法，利用混有AlN颗粒的AB胶包裹在原AlN晶体的外部和顶部，最终形成形状规则的待加工AlN晶体后，进行滚圆或线切加工。加工操作时，在不损失AlN晶体尺寸情况下，能够切割出满足指标的晶片，同时避免了切割变径位置时产生划线的问题，减少了晶片的损失。
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公开(公告)号：CN118028973A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311861189.9
申请日：2023-12-31
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种瞬态电压抑制器用重掺杂衬底硅外延片的制备方法。该方法通过将掺杂气源预先通入硅外延设备反应腔体，形成稳定的掺杂气相环境，并且通过硅外延设备内外两区的两路进气方式，精确调整内外两区的掺杂混合气的进气流量比，从而控制硅外延片内的电阻率均匀性，最终有效抑制自掺杂效应，获得一种高均匀性硅外延层厚度和电阻率分布；该方法工艺简单，适合工业化连续生产，可满足瞬态电压抑制器对硅外延片的应用要求。
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公开(公告)号：CN117962146A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410098633.4
申请日：2024-01-24
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明提供了一种氮化铝晶体单线切割粘接装置以及切割工艺，所述粘结装置包括两组对称设置的基座，两组基座之间形成氮化铝晶体放置空间，所述基座包括支撑部和底座，所述支撑部的内表面为斜面，所述底座的上表面为水平面，所述支撑部的内表面与底座的上表面的夹角为钝角。本发明所述的氮化铝晶体单线切割粘接装置用于氮化铝晶体的粘接，在切割过程中起到支撑氮化铝晶体的作用，同时减少了粘接剂的使用量，降低了氮化铝晶片在切割过程中的破片率。
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公开(公告)号：CN117947502A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410085350.6
申请日：2024-01-22
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明提供了一种用于氮化铝籽晶低温热粘接的方法，将钨衬底置于马弗炉中氧化性气氛中进行氧化处理，使钨衬底表面形成一层氧化钨层；将氮化铝籽晶放置于钨衬底氧化钨层上，在氮化铝籽晶上方放置钨载荷后，置于高温炉的样品托盘上；经氮化铝籽晶的恒温恒压过程，将氮化铝籽晶通过钨粘接至钨衬底的表面上；本发明避免了高温热粘接工艺对籽晶的破坏、避免了杂质元素的引入、同时也能有效杜绝籽晶在降温阶段受衬底材料降温拉应力引起的籽晶开裂。
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公开(公告)号：CN117926399A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311662956.3
申请日：2023-12-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 一种导模法氧化镓晶体的无损回熔方法，步骤一，装籽晶，将模具置于坩埚中，装入氧化镓原料，将坩埚放置于保温筒中心，关炉，抽真空；步骤二，充保护气体；步骤三，升温；步骤四，采用导模法进行氧化镓晶体生长，在生长过程中晶体出现多晶、孪晶、平肩现象，需要回熔；步骤五，停止提拉晶体；步骤六，升温；步骤七，向上提拉晶体，对晶体底面进行测温；步骤八，在步骤二生长气压基础上，向炉腔内再充入气体；步骤九再升温；步骤十，晶体回熔；步骤十一，放气降温；步骤十二，重新步骤四采用导模法氧化镓晶体生长；步骤十三，降温，降温至室温，即得到完整的氧化镓晶体。本方法可以实现晶体回熔又不损伤模具和籽晶，大幅提升氧化镓晶体生长成品率。
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公开(公告)号：CN114112313B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202111458620.6
申请日：2021-12-02
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： G01M11/00
摘要： 本发明涉及一种单偏振光纤传输性能测试装置及测试方法，测试装置包括单偏振光纤传输性能测试仪和光谱仪，单偏振光纤传输性能测试仪由宽带光源、耦合器、光纤偏振控制器、与待测光纤相连接的法兰盘、跳线式输出光纤和仪器电源组成，技术效果是，利用该仪器可简化测试流程，优化测试步骤，节省时间，有利于进行批量化测试工作；同时，该测试仪器通过光谱仪观察干涉条纹可以确定不同偏振态的截止波长，更加简单、精细、准确。
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公开(公告)号：CN117865455A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311662962.9
申请日：2023-12-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： C03B37/018 , C03B37/012 , C03B37/027 , C03C25/105 , C03C25/1065 , C03C25/12 , C03C25/285 , C03C25/50 , G02B6/024 , G02B6/02
摘要： 本发明涉及一种领结型应力区保偏有源光纤及制作方法，可用于光纤激光器的相干合束，其结构包括纤芯、隔离层、应力区、内包层、外包层和涂覆层。纤芯数量为1个，位于光纤中心，形状为圆形；隔离层位于纤芯外侧，圆心与纤芯重合；应力区数量为2个，对称分布与纤芯两侧，形状为扇环；内包层位于应力区周围；外包层位于内包层外侧；涂覆层位于外包层外侧。其优点在于应力区在制备过程中无需进行打孔组装，应力区设计自由度高，纤芯不圆度易控制，进而得到双折射高、损耗低、输出功率大、光束质量好的保偏有源光纤。
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公开(公告)号：CN111733448B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202010783261.0
申请日：2020-08-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种液相提拉晶体生长过程中的放肩过程的晶体形貌调节方法，特别涉及一种锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置及调节方法。包括单晶炉装置和炉外控制装置，炉外控制装置包括：氢气流量计、氩气流量计、上位机控制装置、压力变送器、控压仪表、电控阀门、机械泵、分子泵前级阀、分子泵。由于本发明利用放肩过程中对动态气氛流量的精准控制，并通过缓慢线性的增大动态气氛流量，极大的提高了锑化铟单晶生长过程中的放肩过程持续稳定，晶体的放肩角度光滑连续，对晶体放肩过程的形貌有着较好的调节作用，有助于高质量的锑化铟单晶生长。
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公开(公告)号：CN117706678A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311662952.5
申请日：2023-12-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： G02B6/02 , C03B37/012 , C03B37/027
摘要： 本发明公开了一种高损伤阈值空芯光纤及其制备方法。空芯光纤最内层为空芯纤芯，空芯光纤内包层为一圈若干个嵌套型石英毛细管，嵌套型石英毛细管由外管和内管组成，每个嵌套型石英毛细管外管内含有内管，空芯光纤外包层为石英玻璃管。将小石英管固定在大石英管内壁上，形成嵌套型大石英管；将嵌套型大石英管拉制成嵌套型石英毛细管；在石英玻璃管内壁堆积烧结嵌套型石英毛细管，形成预制棒；最后利用加压拉丝对预制棒分两步在光纤拉丝塔中进行拉制。这种光纤结构利用反谐振导引原理使光在空芯纤芯中传输。使传输的光能量大部分存在于空芯纤芯，从而提高了光纤的损伤阈值，为将来的高能量高功率的激光传输奠定了基础。
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