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公开(公告)号：CN117947502A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410085350.6
申请日：2024-01-22
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明提供了一种用于氮化铝籽晶低温热粘接的方法，将钨衬底置于马弗炉中氧化性气氛中进行氧化处理，使钨衬底表面形成一层氧化钨层；将氮化铝籽晶放置于钨衬底氧化钨层上，在氮化铝籽晶上方放置钨载荷后，置于高温炉的样品托盘上；经氮化铝籽晶的恒温恒压过程，将氮化铝籽晶通过钨粘接至钨衬底的表面上；本发明避免了高温热粘接工艺对籽晶的破坏、避免了杂质元素的引入、同时也能有效杜绝籽晶在降温阶段受衬底材料降温拉应力引起的籽晶开裂。
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公开(公告)号：CN117684268A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202310847781.7
申请日：2023-07-12
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种用于宽禁带半导体器件的碳化硅单晶衬底制备方法。该方法是在石墨坩埚外部设有双加热筒结构，两个加热筒产生不同的热量，以实现对碳化硅晶体和源粉的分别控温，形成用于晶体扩径生长的热场；在石墨坩埚内部，碳化硅籽晶粘接到石墨坩埚顶部的石墨盖上，对碳化硅籽晶下方采用的是经过金属碳化物镀膜处理的镀膜导流筒，镀膜导流筒以线性扩大内径尺寸，以实现碳化硅晶体在生长过程沿着镀膜导流筒内壁不断扩径，最终得到大尺寸的碳化硅单晶。减少了传统扩径生长的迭代步骤、多种热场的设计、多种生长工艺的设定以及多轮次的生长实验，节约了大量的人力、物力和时间成本，高效率的实现了无相应籽晶情况下的大尺寸碳化硅单晶的获得。
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公开(公告)号：CN112444529B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202011426046.1
申请日：2020-12-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： G01N23/207
摘要： 一种辨别非（100）面氧化镓晶体有无孪晶的HRXRD测试方法，将非（100）面氧化镓晶体放置在设备样品台上；将入射狭缝宽度设为10mm~13mm；将2θ设定为31.738°对应晶面为（002）；将样品从0°旋转至90°，旋转步长设定为0.1°~0.3°，记录（002）面衍射峰个数，样品台复位，然后以原点为中心在X‑Y平面上旋转180°，再以[010]晶向为轴将样品从0°旋转至90°，旋转步长设定为0.1°~0.3°，记录（002）面衍射峰个数；如果上述过程中，只探测到1个（002）面衍射峰，则判定测试区域内无孪晶，若探测到多个（002）面衍射峰，则判定测试区域内有孪晶；提高了效率、降低了成本。
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公开(公告)号：CN112444529A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011426046.1
申请日：2020-12-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： G01N23/207
摘要： 一种辨别非（100）面氧化镓晶体有无孪晶的HRXRD测试方法，将非（100）面氧化镓晶体放置在设备样品台上；将入射狭缝宽度设为10mm~13mm；将2θ设定为31.738°对应晶面为（002）；将样品从0°旋转至90°，旋转步长设定为0.1°~0.3°，记录（002）面衍射峰个数，样品台复位，然后以原点为中心在X‑Y平面上旋转180°，再以[010]晶向为轴将样品从0°旋转至90°，旋转步长设定为0.1°~0.3°，记录（002）面衍射峰个数；如果上述过程中，只探测到1个（002）面衍射峰，则判定测试区域内无孪晶，若探测到多个（002）面衍射峰，则判定测试区域内有孪晶；提高了效率、降低了成本。
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