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公开(公告)号：CN118061385A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410079382.5
申请日：2024-01-19
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明提供了一种AlN晶体的加工方法，属于半导体材料加工技术领域，包括以下步骤：制备平台上放置原AlN晶体和套筒，套筒套设在原AlN晶体的外部，套筒的内周壁与原AlN晶体的外周间隔以形成第一填充腔室，套筒的顶部高于原AlN晶体以形成第二填充腔室；将混有AlN颗粒的AB胶灌注于第一填充腔室和第二填充腔室中，静置固化；取下套筒以形成待加工AlN晶体。本发明提供的一种AlN晶体的加工方法，利用混有AlN颗粒的AB胶包裹在原AlN晶体的外部和顶部，最终形成形状规则的待加工AlN晶体后，进行滚圆或线切加工。加工操作时，在不损失AlN晶体尺寸情况下，能够切割出满足指标的晶片，同时避免了切割变径位置时产生划线的问题，减少了晶片的损失。
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公开(公告)号：CN117962146A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410098633.4
申请日：2024-01-24
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明提供了一种氮化铝晶体单线切割粘接装置以及切割工艺，所述粘结装置包括两组对称设置的基座，两组基座之间形成氮化铝晶体放置空间，所述基座包括支撑部和底座，所述支撑部的内表面为斜面，所述底座的上表面为水平面，所述支撑部的内表面与底座的上表面的夹角为钝角。本发明所述的氮化铝晶体单线切割粘接装置用于氮化铝晶体的粘接，在切割过程中起到支撑氮化铝晶体的作用，同时减少了粘接剂的使用量，降低了氮化铝晶片在切割过程中的破片率。
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公开(公告)号：CN117947502A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410085350.6
申请日：2024-01-22
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明提供了一种用于氮化铝籽晶低温热粘接的方法，将钨衬底置于马弗炉中氧化性气氛中进行氧化处理，使钨衬底表面形成一层氧化钨层；将氮化铝籽晶放置于钨衬底氧化钨层上，在氮化铝籽晶上方放置钨载荷后，置于高温炉的样品托盘上；经氮化铝籽晶的恒温恒压过程，将氮化铝籽晶通过钨粘接至钨衬底的表面上；本发明避免了高温热粘接工艺对籽晶的破坏、避免了杂质元素的引入、同时也能有效杜绝籽晶在降温阶段受衬底材料降温拉应力引起的籽晶开裂。
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公开(公告)号：CN117926399A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311662956.3
申请日：2023-12-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 一种导模法氧化镓晶体的无损回熔方法，步骤一，装籽晶，将模具置于坩埚中，装入氧化镓原料，将坩埚放置于保温筒中心，关炉，抽真空；步骤二，充保护气体；步骤三，升温；步骤四，采用导模法进行氧化镓晶体生长，在生长过程中晶体出现多晶、孪晶、平肩现象，需要回熔；步骤五，停止提拉晶体；步骤六，升温；步骤七，向上提拉晶体，对晶体底面进行测温；步骤八，在步骤二生长气压基础上，向炉腔内再充入气体；步骤九再升温；步骤十，晶体回熔；步骤十一，放气降温；步骤十二，重新步骤四采用导模法氧化镓晶体生长；步骤十三，降温，降温至室温，即得到完整的氧化镓晶体。本方法可以实现晶体回熔又不损伤模具和籽晶，大幅提升氧化镓晶体生长成品率。
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公开(公告)号：CN112986482A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110266073.5
申请日：2021-03-11
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种用于氮化铝单晶抛光片（0001）面的极性面区分方法，将100份去离子水中加入5~10份乙胺、15~30份6508异丙醇酰胺，使溶液混合均匀；将盛有混合溶液的烧杯置于加热台上，加热至60~70℃，用塑料镊子夹持将表面清洗后的（0001）面氮化铝双面抛光片放入烧杯之中，保持晶片两个抛光面与混合溶液充分接触，静置5~10分钟后将氮化铝抛光片取出；用去离子水冲洗干净，观察晶片的正反两个表面，其中仍保持光滑的为Al面，变粗糙的为N面。本发明的有益效果是：采用化学试剂腐蚀，并根据Al面和N面在试剂作用下的不同变化区分极性面，是一种较为理想的方法。
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公开(公告)号：CN112216602A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011141093.1
申请日：2020-10-22
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/306 , B23K26/356 , B23K26/60 , B24B1/00 , B24B37/04 , B24B37/30
摘要： 本发明公开了一种用于锑化铟单晶片的抛光方法。该抛光方法分成两步：先经过激光抛光，然后再进行化学机械抛光。由于采用两步抛光方法，省去了传统单晶片切割后、抛光前常用的研磨过程，提高了抛光效率。利用激光抛光所具有的非接触加工，低损伤加工的特性，使化学机械抛光前的单晶片表面已达到微米级抛光水准，且不存在研磨后残留的划痕，从而使之后化学机械抛光过程不需要达到很高的厚度去除量，大幅度缩短了化学机械抛光时间，激光抛光过程时间最低可缩短至10分钟，配合化学机械抛光，整体抛光时间可控制在30分钟以内。且通过化学机械抛光对锑化铟单晶片进行抛光后，晶片表面实现了全局平坦化，表面粗糙度Ra小于0.3nm。
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公开(公告)号：CN106695478A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611124171.0
申请日：2016-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明设计了一种用于氧化镓晶体的防解理加工方法，将一片2英寸氧化镓切割单晶片粘贴在陶瓷盘中心上，使用2000#树脂金刚石砂轮，打开冷却液，冷却液体积配比是纯水：双氧水，启动金刚石砂轮转速，再启动工件转速，当工件到达结束位置时，保持空转60s，对表面进行磨削修复；再使用10000#树脂氧化铈金刚石砂轮，打开冷却液，冷却液液体积配比是纯水：双氧水，启动金刚石砂轮转速，再启动工件转速，当工件到达结束位置时，保持空转60s，工艺结束后将陶瓷盘取下来，进行清洗。在保证加工效率的前提下，解决了加工过程中晶体解理的问题，防止了晶体在加工过程中发生开裂，大大提高了晶片表面质量。
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公开(公告)号：CN112359424B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202011426074.3
申请日：2020-12-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种多块粘接碳化硅晶锭装置的使用方法，装置包括底座、定位孔、固定杆、带内螺纹盲孔的定位块、基准杆、带内螺纹通孔的滑块、晶锭垫块，晶锭压块、气缸杆连接件，气缸、气缸支撑架；晶锭垫块通过定位孔设置在底座上；两根固定杆和一根基准杆设置在底座上以底座中心为圆心的同一圆周上，相互间夹角120º，圆周半径与所需粘接的晶锭半径相匹配；定位块设置在固定杆上，滑块设置在基准杆上，在滑块的内螺纹通孔内设置顶紧螺钉，晶锭压块设置在气缸杆连接件的端头；本发明能将多块晶锭粘接在一个圆柱体内，保证每块晶锭同轴，解决了由于粘接晶锭晶片晶向不一致而导致切割时间长人工成本高等问题。
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公开(公告)号：CN114161258A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111504627.7
申请日：2021-12-10
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B9/06 , B24B41/06 , B24B41/00 , B24B41/04 , H01L21/463
摘要： 本发明公开了一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法。该方法是在不直接接触晶片的情况下将易解理的晶片边缘进行磨削，对氧化镓晶片磨削之前采用承载氧化镓晶片，且与氧化镓晶片粘接为一体的保护基板，用于防止氧化镓晶片在边缘磨削过程中出现解理，其中包括用于承载晶片具有一定刚度的保护基板，采用本发明能够解决氧化镓晶片在边缘磨削过程中易解理的问题，同时设计的方法简单，承载氧化镓晶片的基板能够重复使用，又便于操作。
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公开(公告)号：CN106695478B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201611124171.0
申请日：2016-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明设计了种用于氧化镓晶体的防解理加工方法,将片2英寸氧化镓切割单晶片粘贴在陶瓷盘中心上,使用2000#树脂金刚石砂轮,打开冷却液,冷却液体积配比是纯水:双氧水,启动金刚石砂轮转速,再启动工件转速,当工件到达结束位置时,保持空转60s,对表面进行磨削修复;再使用10000#树脂氧化铈金刚石砂轮,打开冷却液,冷却液液体积配比是纯水:双氧水,启动金刚石砂轮转速,再启动工件转速,当工件到达结束位置时,保持空转60s,工艺结束后将陶瓷盘取下来,进行清洗。在保证加工效率的前提下,解决了加工过程中晶体解理的问题,防止了晶体在加工过程中发生开裂,大大提高了晶片表面质量。
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