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公开(公告)号：CN112359424A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011426074.3
申请日：2020-12-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种用于多块粘接碳化硅晶锭的装置及使用方法，装置包括底座、定位孔、固定杆、带内螺纹盲孔的定位块、基准杆、带内螺纹通孔的滑块、晶锭垫块，晶锭压块、气缸杆连接件，气缸、气缸支撑架；晶锭垫块通过定位孔设置在底座上；两根固定杆和一根基准杆设置在底座上以底座中心为圆心的同一圆周上，相互间夹角120º，圆周半径与所需粘接的晶锭半径相匹配；定位块设置在固定杆上，滑块设置在基准杆上，在滑块的内螺纹通孔内设置顶紧螺钉，晶锭压块设置在气缸的气缸连接杆的端头；本发明能将多块晶锭粘接在一个圆柱体内，保证每块晶锭同轴，解决了由于粘接晶锭晶片晶向不一致而导致切割时间长人工成本高等问题。
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公开(公告)号：CN112359424B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202011426074.3
申请日：2020-12-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种多块粘接碳化硅晶锭装置的使用方法，装置包括底座、定位孔、固定杆、带内螺纹盲孔的定位块、基准杆、带内螺纹通孔的滑块、晶锭垫块，晶锭压块、气缸杆连接件，气缸、气缸支撑架；晶锭垫块通过定位孔设置在底座上；两根固定杆和一根基准杆设置在底座上以底座中心为圆心的同一圆周上，相互间夹角120º，圆周半径与所需粘接的晶锭半径相匹配；定位块设置在固定杆上，滑块设置在基准杆上，在滑块的内螺纹通孔内设置顶紧螺钉，晶锭压块设置在气缸杆连接件的端头；本发明能将多块晶锭粘接在一个圆柱体内，保证每块晶锭同轴，解决了由于粘接晶锭晶片晶向不一致而导致切割时间长人工成本高等问题。
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公开(公告)号：CN106695478B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201611124171.0
申请日：2016-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明设计了种用于氧化镓晶体的防解理加工方法,将片2英寸氧化镓切割单晶片粘贴在陶瓷盘中心上,使用2000#树脂金刚石砂轮,打开冷却液,冷却液体积配比是纯水:双氧水,启动金刚石砂轮转速,再启动工件转速,当工件到达结束位置时,保持空转60s,对表面进行磨削修复;再使用10000#树脂氧化铈金刚石砂轮,打开冷却液,冷却液液体积配比是纯水:双氧水,启动金刚石砂轮转速,再启动工件转速,当工件到达结束位置时,保持空转60s,工艺结束后将陶瓷盘取下来,进行清洗。在保证加工效率的前提下,解决了加工过程中晶体解理的问题,防止了晶体在加工过程中发生开裂,大大提高了晶片表面质量。
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公开(公告)号：CN106378671A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201611123348.5
申请日：2016-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B1/00
CPC分类号： B24B1/00
摘要： 本发明涉及一种大尺寸的CdS单晶片的减薄工艺，三片2英寸CdS单晶片粘贴在陶瓷盘上，用1200#树脂金刚石砂轮，打开冷却液纯水，启动砂轮转速，再启动工件转速，工件到达结束位置时，保持空转30s；用5000#树脂金刚石砂轮，打开冷却液纯水，启动砂轮转速，再启动工件转速，工件到达结束位置时，保持空转30s；用8000#的树脂氧化铈砂轮，打开冷却液，冷却液为纯水和次氯酸钠，启动砂轮转速，再启动工件转速，工件到达结束位置时，保持空转60s，工艺结束后将陶瓷盘取下来进行清洗，减薄工艺完成。使用减薄机，配上不同材质和型号的砂轮，加工时间不仅缩短至2小时，晶片厚度一致性得到很大改善，提高了加工效率。
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公开(公告)号：CN106378671B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201611123348.5
申请日：2016-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B1/00
摘要： 本发明涉及一种大尺寸的CdS单晶片的减薄工艺，三片2英寸CdS单晶片粘贴在陶瓷盘上，用1200#树脂金刚石砂轮，打开冷却液纯水，启动砂轮转速，再启动工件转速，工件到达结束位置时，保持空转30s；用5000#树脂金刚石砂轮，打开冷却液纯水，启动砂轮转速，再启动工件转速，工件到达结束位置时，保持空转30s；用8000#的树脂氧化铈砂轮，打开冷却液，冷却液为纯水和次氯酸钠，启动砂轮转速，再启动工件转速，工件到达结束位置时，保持空转60s，工艺结束后将陶瓷盘取下来进行清洗，减薄工艺完成。使用减薄机，配上不同材质和型号的砂轮，加工时间不仅缩短至2小时，晶片厚度一致性得到很大改善，提高了加工效率。
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公开(公告)号：CN106738393A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611124203.7
申请日：2016-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
CPC分类号： B28D5/04 , B24B1/00 , B28D5/0094
摘要： 本发明设计一种用于CdS单晶体的切割方法，属于半导体材料的加工领域。步骤如下，用平面磨床将CdS晶锭的生长面磨平；用X射线衍射仪对磨平的端面进行定向；对CdS晶锭进行滚圆，然后进行主参考面和副参考面制作；用真空吸附台将CdS晶锭吸附住，晶锭的主参考面朝下；调整电火花切割机切割参数，对晶锭进行切割；切割完成后，依次采用煤油浸泡、热酒精对切割后的晶片进行冲洗，然后将切割卡具放在温度为80℃的热水中，使胶软化，将晶片取下，进行下一步操作。采用非接触式的电火花切割技术对n型CdS晶锭进行切割，可以大大的提高切割效率、减少碎片的产生。
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公开(公告)号：CN106738393B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201611124203.7
申请日：2016-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明设计一种用于CdS单晶体的切割方法，属于半导体材料的加工领域。步骤如下，用平面磨床将CdS晶锭的生长面磨平；用X射线衍射仪对磨平的端面进行定向；对CdS晶锭进行滚圆，然后进行主参考面和副参考面制作；用真空吸附台将CdS晶锭吸附住，晶锭的主参考面朝下；调整电火花切割机切割参数，对晶锭进行切割；切割完成后，依次采用煤油浸泡、热酒精对切割后的晶片进行冲洗，然后将卡具放在温度为80℃的热水中，使胶软化，将晶片取下，进行下一步操作。采用非接触式的电火花切割技术对n型CdS晶锭进行切割，可以大大的提高切割效率、减少碎片的产生。
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公开(公告)号：CN106695478A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611124171.0
申请日：2016-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明设计了一种用于氧化镓晶体的防解理加工方法，将一片2英寸氧化镓切割单晶片粘贴在陶瓷盘中心上，使用2000#树脂金刚石砂轮，打开冷却液，冷却液体积配比是纯水：双氧水，启动金刚石砂轮转速，再启动工件转速，当工件到达结束位置时，保持空转60s，对表面进行磨削修复；再使用10000#树脂氧化铈金刚石砂轮，打开冷却液，冷却液液体积配比是纯水：双氧水，启动金刚石砂轮转速，再启动工件转速，当工件到达结束位置时，保持空转60s，工艺结束后将陶瓷盘取下来，进行清洗。在保证加工效率的前提下，解决了加工过程中晶体解理的问题，防止了晶体在加工过程中发生开裂，大大提高了晶片表面质量。
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公开(公告)号：CN214327974U
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202022927309.9
申请日：2020-12-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本实用新型涉及一种用于多块粘接碳化硅晶锭的装置，包括底座、定位孔、固定杆、带内螺纹盲孔的定位块、基准杆、带内螺纹通孔的滑块、晶锭垫块，晶锭压块、气缸杆连接件，气缸、气缸支撑架；晶锭垫块通过定位孔设置在底座上；两根固定杆和一根基准杆设置在底座上以底座中心为圆心的同一圆周上，相互间夹角120º，圆周半径与所需粘接的晶锭半径相匹配；定位块设置在固定杆上，滑块设置在基准杆上，在滑块的内螺纹通孔内设置顶紧螺钉，晶锭压块设置在气缸的气缸杆连接件的端头；本实用新型能将多块晶锭粘接在一个圆柱体内，保证每块晶锭同轴，解决了由于粘接晶锭晶片晶向不一致而导致切割时间长人工成本高等问题。
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