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公开(公告)号：CN117512543B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410015422.X
申请日：2024-01-05
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明提供了一种改善碳化硅籽晶表面氮化铝单晶形核均匀性的方法，在碳化硅籽晶表面沉积氧化铝薄膜，将带有氧化铝薄膜的碳化硅籽晶倒扣在装有氮化铝原料的碳化钽坩埚上方，在碳化硅籽晶背部负载石墨锭，将碳化钽坩埚连同籽晶、石墨锭置于石墨坩埚加热线圈中上部，经感应炉内的气体置换、感应炉的恒压升温过程和感应炉的冷却和气体置换步骤，实现在碳化硅籽晶表面获得均匀形核的氮化铝单晶。本发明所引入的氧化铝薄膜不仅有效抑制了碳化硅籽晶在高温下的反向升华现象，同时也令氮化铝气相组分在碳化硅籽晶表面的成核模式由常规的气‑固模式向气‑液‑固模式转变，可以显著改善碳化硅籽晶表面氮化铝单晶的形核均匀性。
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公开(公告)号：CN115635379B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211573914.8
申请日：2022-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B7/22 , B24B49/00 , B24B41/06 , B24B47/20 , B24B41/00 , H01L21/304 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种氮化铝单晶衬底加工方法，首先设计氮化铝晶体的粘接装置，并结合粘接装置制定了加工方法，粘接装置包括支架、升降杆、缓冲杆和真空吸盘；加工方法包括晶体粘接工艺过程和晶体减薄工艺过程。通过采用粘接装置对氮化铝单晶进行粘接，配合新制定的减薄工艺方法，能得到无开裂、表面光滑、满足工艺使用要求的晶体。本发明解决了氮化铝晶体生长结束部分无法将切割面粘平的问题，使用粘接装置粘接后进行减薄磨削加工的晶体经工艺验证晶体无开裂现象，表面光滑平整，表面粗糙度值Ra=9.21nm，满足了衬底使用要求，提高了氮化铝晶体的利用率。本粘接装置结构简单，操作便捷。
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公开(公告)号：CN115302400B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211194544.7
申请日：2022-09-29
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B37/08 , B24B37/005 , B24B37/28 , B24B7/22 , B08B3/12
摘要： 本发明涉及一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法，选择晶片Ⅰ和晶片Ⅱ；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点和边缘三点，做好标记为；将晶片I和晶片II的A面贴合，将贴合好的晶片进行滚圆处理成为一个同心圆；开启双面研磨机对晶片进行研磨，研磨结束后去除晶片表面的磨料；将晶片Ⅰ和晶片Ⅱ分离；对晶片Ⅰ和晶片Ⅱ进行清洗去除粘贴剂；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点、边缘三点，做好标记为；测量点与粘贴前的测量点保持一致，晶片Ⅰ的测量点标记为通过差减法计算晶片表面同一点研磨前后的厚度变化量，得到双面研磨过程中晶片上表面、下表面、边缘的去除量，提高了测量准确度。
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公开(公告)号：CN114507899B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210412939.3
申请日：2022-04-20
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种氧化镓单晶生长放肩角度的控制方法，控制方法通过控制装置完成，采用称重装置所获得的一个采样周期的晶体质量的增量、拉速等数据来计算该采样周期内的放肩角度，属于采样周期内的局部放肩角度调整；另外通过图像采集装置获得的晶体高度及底边长度来计算放肩角度，属于所生长晶体的整体放肩角度调整；最后将以上两种方法所得到的调整速度取平均值设定给下一个采样周期的生长速度。应用该方法后，氧化镓单晶的放肩过程可以按照预先设定的角度进行连续稳定的放肩，直至等径生长，全单晶的成品率得到提升，获得放肩平缓连续的氧化镓晶体。
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公开(公告)号：CN112359424A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011426074.3
申请日：2020-12-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种用于多块粘接碳化硅晶锭的装置及使用方法，装置包括底座、定位孔、固定杆、带内螺纹盲孔的定位块、基准杆、带内螺纹通孔的滑块、晶锭垫块，晶锭压块、气缸杆连接件，气缸、气缸支撑架；晶锭垫块通过定位孔设置在底座上；两根固定杆和一根基准杆设置在底座上以底座中心为圆心的同一圆周上，相互间夹角120º，圆周半径与所需粘接的晶锭半径相匹配；定位块设置在固定杆上，滑块设置在基准杆上，在滑块的内螺纹通孔内设置顶紧螺钉，晶锭压块设置在气缸的气缸连接杆的端头；本发明能将多块晶锭粘接在一个圆柱体内，保证每块晶锭同轴，解决了由于粘接晶锭晶片晶向不一致而导致切割时间长人工成本高等问题。
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公开(公告)号：CN108381379A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810331855.0
申请日：2018-04-13
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B37/10 , B24B57/02 , H01L21/304 , C25F3/30
CPC分类号： B24B37/10 , B24B57/02 , C25F3/30 , H01L21/304
摘要： 一种氮化铝单晶片电解抛光及化学机械抛光相结合的抛光方法，电解抛光的抛光液由以下原料制成：6%-7%氨基磺酸、0.5%-1%草酸、0.5%-1.5%EDTA、91.5%-92%去离子水；电解抛光完成后，用石英蜡将氮化铝单晶片粘贴在陶瓷盘上，用刀片刮去晶片边缘溢出的少部分蜡并用酒精清理干净；化学机械抛光的抛光液由以下原料制成，16%-20wt%的重铬酸钾、2-6 wt%硫酸铵、0.2%-4%硝酸或硫酸或磷酸以及74%-77%的去离子水，抛光过程采用的抛光垫为无纺布抛光布。经此方法加工后，晶片表面实现全局平坦化，无划痕及凹凸不平的情况，表面粗糙度Ra≤0.2nm，整体净加工时间可缩短至1小时以内。
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公开(公告)号：CN107991230A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201810016138.9
申请日：2018-01-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： G01N19/00
摘要： 本发明公开了一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法。该方法将生长得到的碳化硅晶锭进行平面磨、滚圆加工；对滚圆后的晶锭进行定向，确定基准轴方向为 方向；沿 方向加工非对称V型槽；晶锭加工制备成晶片；加工后的晶片其V型槽形成夹角θ，形成夹角θ的两条斜边分别设为a和b，且两条斜边的长度满足a≠b；以两条斜边a＜b还是两条斜边a＞b即可判断出所对应的晶片表面为碳面或是硅面。本发明降低了对晶片的损伤，提高了晶片的有效使用面积，降低了成本，高效实现了对晶片碳硅面的判断；同时能省去晶片原有的大定位边，可以减少再生长得到的晶体缺陷，提高晶体品质。
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公开(公告)号：CN106064326B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610615129.2
申请日：2016-08-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种用于锑化镓单晶片的抛光方法。粗抛光采用氧化铈抛光垫，抛光液中含有粒径为W1的氧化铝磨料，压力100~200 g/cm2，转速10~40转/分钟，流量10‑50 mL/min；中抛光采用黑色聚氨酯抛光垫，抛光液中含有粒径为60‑100 nm的二氧化硅纳米磨料和氧化剂次氯酸钠，压力80‑150 g/cm2，转速60‑100转/分钟，流量10‑30 mL/min；精抛光采用黑色合成革抛光布，抛光液为无磨料抛光液，压力30‑100 g/cm2，转速20‑60转/分钟，流量5‑10 mL/min。抛光工艺简单、易于操作，锑化镓单晶片表面损伤小，易于清洗，表面粗糙度小于0.3 nm。
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公开(公告)号：CN118061385A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410079382.5
申请日：2024-01-19
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明提供了一种AlN晶体的加工方法，属于半导体材料加工技术领域，包括以下步骤：制备平台上放置原AlN晶体和套筒，套筒套设在原AlN晶体的外部，套筒的内周壁与原AlN晶体的外周间隔以形成第一填充腔室，套筒的顶部高于原AlN晶体以形成第二填充腔室；将混有AlN颗粒的AB胶灌注于第一填充腔室和第二填充腔室中，静置固化；取下套筒以形成待加工AlN晶体。本发明提供的一种AlN晶体的加工方法，利用混有AlN颗粒的AB胶包裹在原AlN晶体的外部和顶部，最终形成形状规则的待加工AlN晶体后，进行滚圆或线切加工。加工操作时，在不损失AlN晶体尺寸情况下，能够切割出满足指标的晶片，同时避免了切割变径位置时产生划线的问题，减少了晶片的损失。
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公开(公告)号：CN117552088A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311314610.4
申请日：2023-10-12
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 一种利于导模法3‑4英寸β相氧化镓单晶生长等径方法，坩埚和模具清洗晾干；放进处理炉抽真空、加热、保温后取出；将模具固定在坩埚中，放入Ga2O3原料后放入单晶生长炉，抽真空、充CO2、加热原料融化、降温，将坩埚和模具取出；坩埚中放入Ga2O3原料，抽真空、充CO2；加热、保温，坩埚两个矩形开口加大模具边缘处Ga2O3原料的挥发量；将籽晶放入模具中心，待籽晶底部融化，提拉籽晶，使晶体进入放肩生长过程；放肩结束后，晶体生长进入等径过程，坩埚上部矩形开口使模具顶部V形口长度方向上的温度梯度降低；待晶体等径生长完毕，将晶体提拉出至模具上方，生长完成。该方法有利于晶体进行等径生长，提高了生长晶体质量。
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