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公开(公告)号：CN118497877A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410644360.9
申请日：2024-05-23
申请人： 福州芳华精研科技有限公司
发明人： 陈晓青
摘要： 本发明提供了一种高质量碳化硅抛光液及碳化硅晶圆，通过电化学机械抛光处理，有效的提高了碳化硅的表面去除率，获得高质量、低粗糙度的碳化硅晶圆。
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公开(公告)号：CN118407109A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410496366.6
申请日：2024-04-24
申请人： 浙江工业大学
摘要： 本发明公开了基于电化学‑剪切流变复合效应的碳化硅晶片加工方法，采用电化学反应与剪切流变效应相结合，通过外加电场的作用下，发生电化学反应，碳化硅工件作为阳极，非牛顿流体抛光液作为阴极，碳化硅工件浸入非牛顿流体抛光液中，各组分相互连接形成闭合电解系统，阳极发生氧化反应，工件表面生成氧化膜SiO2，与非牛顿流体抛光液中的CeO2接触发生化学反应，生成CeSiO4，抛光液中的金刚石磨粒与工件表面接触，在金刚石磨粒微切削作用下去除CeSiO4从而实现对碳化硅工件表面的抛光，工件表面由于电化学反应生成氧化膜使得工件表面改性变软，与非牛顿流体抛光液的相对剪切作用实现柔性抛光去除氧化层，不会对工件表面造成亚损伤，且抛光效率高，抛光质量好。
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公开(公告)号：CN116423384B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202310307906.7
申请日：2023-03-27
申请人： 苏州大学
IPC分类号： B24B37/30 , C25F3/30 , H01L21/306 , B24B37/10 , B24B7/22
摘要： 本发明涉及一种电化学机械抛光头及抛光装置，所述电化学机械抛光头包括抛光头主体和固定于其内部的工作电极；所述工作电极包括紧密贴合的第一分体和第二分体，所述第一分体内部设置有安装槽；所述第二分体具有与所述安装槽相仿形的结构并嵌设于所述安装槽内；所述第二分体安装至所述安装槽、且所述工作电极安装至所述避让槽后，所述抛光头主体、所述第一分体、所述第二分体的表面平齐；本发明将电化学反应中的工作电极设置为分体结构，能够控制压力与电势互补分布，平衡电化学反应程度和机械加工强度，在阳极氧化和磨粒机械去除的共同作用下实现半导体晶圆的高效抛光，提升材料的去除均匀性、去除速率，产品表面形貌优势明显。
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公开(公告)号：CN117364219A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311559600.7
申请日：2023-11-21
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种碳化硅晶圆电化学机械抛光装置及方法，属于电化学机械抛光技术领域，电化学机械抛光装置包括电化学处理单元、机械抛光单元和第一运载单元，电化学处理单元包括电解槽，所述电解槽的内部用于放置电解液和待处理晶圆，所述待处理晶圆的至少一个待处理面浸没于所述电解液中，对所述待处理晶圆进行电解；机械抛光单元用于对电解后的待处理晶圆进行抛光处理；第一运载单元用于运载所述待处理晶圆在所述电化学处理单元和所述机械抛光单元之间移动。本发明提供的碳化硅晶圆电化学机械抛光装置，采用静态电解和动态抛光相结合，使得电化学氧化作用充分发挥，在机械抛光时更容易进行目标材料的刮除，实现了晶圆的快速抛光。
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公开(公告)号：CN115182033A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210885497.4
申请日：2022-07-26
申请人： 杭州大和热磁电子有限公司
摘要： 本发明涉及碲化铋基材料表面处理技术领域，为解决现有技术下去除碲化铋基晶片表面应力损伤层的方法会导致碲化铋基晶片表面粗糙度大幅上升的问题，公开了一种碲化铋基材料的电解抛光表面处理方法，所述方法包括将单片或多片碲化铋晶片浸入抛光液中进行电解抛光处理。该表面处理方法既能去除切割应力导致的损伤，提升器件可靠性。同时又能降低晶片表面粗糙度，降低晶片镀镍后因为热流收缩和电流收缩导致的接触热阻和接触电阻的升高，进一步提升热电制冷器的整体性能。
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公开(公告)号：CN106245108B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201510251140.0
申请日：2015-05-18
申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： C25F3/30
摘要： 本发明涉及半导体加工和制造领域。本发明揭示了一种无应力电化学抛光方法，用于抛光半导体基板。该方法依次包括：预湿工序，使用抛光液沾湿基板的整个待抛光面，基板的待抛光面表层为金属膜；抛光工序，对基板进行无应力电化学抛光；干燥工序，干燥基板。本发明提供的技术方案，以传统的无应力电化学抛光方法为基础，对其进行了改进，能够使抛光结果大为改观，并消除抛光液对设备的污染以及对后续工艺的干扰，提高了半导体基板的品质。
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公开(公告)号：CN105297127B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201410235874.5
申请日：2014-05-30
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： C25F3/30
摘要： 本发明揭示了一种带有电极的喷头装置，该喷头装置包括绝缘基座、外电极、外绝缘遮盖、内电极、内绝缘遮盖、排液槽及绝缘导流管。绝缘基座具有绝缘基体。外电极固定并覆盖在绝缘基体的内侧壁及顶壁。外绝缘遮盖包括绝缘管体及由绝缘管体顶端部的外侧壁向外延伸形成的绝缘盖体，绝缘管体收容于外电极的收容腔并伸出该收容腔外，绝缘盖体位于固定在绝缘基体顶壁的外电极的上方，绝缘管体的内侧壁围成的通道被定义为主流体通道，绝缘管体的外侧壁与外电极的内侧壁之间间隔一定距离，形成辅助流体通道。内电极设置在外绝缘遮盖的绝缘管体内。内绝缘遮盖罩设在内电极的外围，内绝缘遮盖的顶端低于外绝缘遮盖的绝缘管体的顶端。排液槽收集抛光液。
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公开(公告)号：CN109056050A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810936394.X
申请日：2018-08-16
申请人： 湖南文理学院
发明人： 龙永福
摘要： 本发明公开了一种纳米多孔硅双凸透镜的制备方法，该方法是将常规作为电极的铂片做成空心球体并把从空心球体上截得的两个相对称的球冠做成电极，在两个球冠电极之间放置硅片，且两个球冠电极的两个凸面均背离硅片，硅片将腐蚀液分隔成两个独立的部分；先采用恒流源对硅片进行电抛光而使硅片前后两面形成同样的凸形球表面；再将两个对称的球冠电极换成平行的板式电极，对硅片两面进行电化学腐蚀而形成多孔硅双凸透镜。通过本发明的方法，能获得纳米多孔硅双凸透镜，能广泛应用于微光机电系统，为微光机电系统领域作出了重大的贡献。
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公开(公告)号：CN105483815B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510957746.6
申请日：2015-12-18
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
发明人： 黄仁东
摘要： 本发明公开了一种电化学抛光装置及使用该装置的电化学抛光方法，通过在电化学抛光工艺过程中，根据供电电源的电压变化反馈进行计算，根据计算结果控制连接第二喷嘴的摆臂的对应摆动，以沿晶圆边缘调整第二喷嘴相对第一喷嘴的位置，使电抛光回路中的电阻始终保持在初始值状态，负载变化小，从而可避免电化学抛光过程中因抛光电压变化而带来的工艺难控制的问题，有效提高了抛光后的片内均匀性，并降低了因高电压导致的工艺中断的概率。
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