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公开(公告)号：CN102585828B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210017379.8
申请日：2012-01-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种掺杂Yb3+的钒酸盐上转换荧光材料及其制备方法，属于发光材料及其制备工艺领域。其化学组成由以下通式表示：Ca9Ln1-xYbx(VO4)7，其中x为Yb3+掺杂的摩尔百分数，0.0001＜x≤1.0；所述的Ln为La3+、Gd3+、Lu3+及Y3+中的至少一种；其制备方法为高温固相法或化学溶液法。该荧光材料在980纳米的红外激光激发下，能够实现蓝绿色的上转换发光，不仅能用于红外光的探测，也可用于商品防伪及其生物标示等领域。
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公开(公告)号：CN102925150A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210471547.0
申请日：2012-11-20
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明公开了一种钨酸盐荧光粉、制备方法及其应用。钨酸盐荧光粉的分子式为Ba4RIII2-2xEu2xZrWO12，其中，RIII为La3+、Ce3+、Pr3+、Nd3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+、Yb3+、Lu3+、Sc3+和Y3+中的至少一种，x为Eu3+掺杂的摩尔百分比系数，0.0001≤x≤1.0。它在395nm左右具有很强的激发，与近紫外LED芯片的发射波长非常吻合。本发明提供了一种白光LED用红色荧光粉的新型的基质材料，制造方法简单，重现性好，所得产品质量稳定，易于操作和工业化生产，该工艺能在普通设备上完成，产物易收集，无废水废气排放，环境友好。
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公开(公告)号：CN102604631A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210017389.1
申请日：2012-01-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种上转换发光材料及其制备方法。发光材料的分子式为R1-xErxCaM3O10，R为La3+、Gd3+、及Y3+中的至少一种；M为Nb5+和Ta5+中的至少一种；x为Er3+掺杂的摩尔百分数，0.00001≤x≤1.0。按比例称量各原料，混匀后在300～950℃第一次预烧烧，冷却后在950～1300℃第二次烧结，研磨后再将混合原料在1300～1500℃最终烧结，冷却后研磨得到一种上转换发光材料。本发明采用高温固相烧结法，制备工艺简单，得到的材料性能稳定，在红外激光泵浦光源下的绿色上转换发光具有高亮度、高色纯度优点，在上转换激光器、光纤放大器、三维立体显示和防伪领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102492426A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110378570.0
申请日：2011-11-24
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种钒酸盐黄色荧光粉、制备方法及其应用。所述钒酸盐的成分为：CsK2RIII[V1-xMxO4]2，其中，RIII为La3+、Ce3+、Pr3+、Nd3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Yb3+、Lu3+离子，及Sc和Y3+离子中的至少一种，M为Ti4+、Zr4+、Ga3+、In3+离子中的至少一种，x为M离子替换V5+的量，0.00001≤x≤0.3。它不需要任何激活离子，在近紫外有较强的激发；在近紫外光的激发下，它能发出明亮的黄光。其制备为空气气氛，在约750℃基质就能良好结晶，节省能源，降低成本。
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公开(公告)号：CN117359104A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311513929.X
申请日：2023-11-14
Applicant: 苏州大学
IPC: B23K26/352 , B23K26/60 , B23K26/70
Abstract: 发明涉及一种基于液相下激光技术的碳化硅晶体化学机械抛光方法，包括：液相下激光扫描辅助工序，将待加工Si C晶体放置在盛放有液体介质的容器中，待加工Si C晶体被液体介质浸泡，纳秒激光器的激光束射在待加工Si C晶体的表面进行激光扫描加工，用以对待加工Si C晶体进行烧蚀和氧化改性；激光束沿X方向以蛇形路径扫描；旋转容器，激光束沿Y方向以蛇形路径扫描；X方向和Y方向相交且与待加工Si C晶体表面所在的平面平行；化学机械抛光工序，对激光处理后的待加工Si C晶体的表面材料进行去除。本发明先采用激光扫描对Si C晶体进行烧蚀和氧化改性，随后采用CMP进行材料去除，可实现Si C晶体的高效、低损伤超精密抛光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116423384A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310307906.7
申请日：2023-03-27
Applicant: 苏州大学
IPC: B24B37/30 , C25F3/30 , H01L21/306 , B24B37/10 , B24B7/22
Abstract: 本发明涉及一种电化学机械抛光头及抛光装置，所述电化学机械抛光头包括抛光头主体和固定于其内部的工作电极；所述工作电极包括紧密贴合的第一分体和第二分体，所述第一分体内部设置有安装槽；所述第二分体具有与所述安装槽相仿形的结构并嵌设于所述安装槽内；所述第二分体安装至所述安装槽、且所述工作电极安装至所述避让槽后，所述抛光头主体、所述第一分体、所述第二分体的表面平齐；本发明将电化学反应中的工作电极设置为分体结构，能够控制压力与电势互补分布，平衡电化学反应程度和机械加工强度，在阳极氧化和磨粒机械去除的共同作用下实现半导体晶圆的高效抛光，提升材料的去除均匀性、去除速率，产品表面形貌优势明显。
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公开(公告)号：CN102585831B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201210017381.5
申请日：2012-01-19
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明涉及一种铕离子激活的氟钼酸盐红色荧光粉、制备方法及应用。荧光粉的分子式为NaR4-4xEu4x[Mo3O15]F，其中，R为稀土离子La3+、Sm3+、Gd3+、Dy3+、Lu3+及Y3+中的至少一种，x为Eu3+掺杂的摩尔百分比系数，0.0001＜x≤0.6；它的发光波长以615nm为主，在400nm和450nm附近具有很强的激发，与近紫外和蓝光LED芯片的发射波长吻合，发光效率高。本发明制造方法简单，重现性好，所得产品质量稳定，易于操作和工业化生产，该工艺能在普通设备上完成的设备及其简单，产物易收集，无废水废气排放，环境友好。其烧结温度低，在750℃就能实现基质的良好结晶，节省能源。
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公开(公告)号：CN102433121B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201110411788.1
申请日：2011-12-12
Applicant: 苏州大学
IPC: C09K11/79
Abstract: 本发明涉及一种硅酸盐长余辉荧光粉，其成分为Na5Y1-xREIIIxZrSi6O18，其中，REIII为稀土离子La3+、Ce3+、Pr3+、Nd3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+、Yb3+、Lu3+中的至少一种，x为稀土离子REIII中的至少一种掺杂的摩尔百分比系数，0≤x≤1.0。按比例准确称量原料，研细混匀后将混合原料在300～1000℃预烧烧结1～10小时，冷却后取出研磨，再次充分混合，置于1200～1500℃的温度下煅烧1～10小时，即得所需产品。本发明的硅酸盐长余辉材料具有良好的化学稳定性和热稳定性。本发明制造方法简单，不需在还原气氛之中煅烧，无废水废气排放，环境友好，重现性好，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102660262A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210136334.2
申请日：2012-05-04
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明涉及一种Eu2+激活的氯硅酸钙荧光粉、制备方法及应用。该荧光粉的分子式为Ca7-xEux(SiO4)2Cl6，x为Eu2+掺杂的摩尔百分比系数，0.0001≤x≤3.5；它的发光效率高，发光波长以510nm为主，在396nm附近具有很强的激发，与近紫外LED芯片的发射波长非常吻合。本发明制造方法简单，重现性好，所得产品质量稳定，易于操作和工业化生产，对于设备的要求较低，产物易收集，无废水废气排放，环境友好，并且其烧结温度低，在1000℃就可以实现基质的很好的结晶，有利于能源的节约。
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公开(公告)号：CN102433121A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110411788.1
申请日：2011-12-12
Applicant: 苏州大学
IPC: C09K11/79
Abstract: 本发明涉及一种硅酸盐长余辉荧光粉，其成分为Na5Y1-xREIIIxZrSi6O18，其中，REIII为稀土离子La3+、Ce3+、Pr3+、Nd3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+、Yb3+、Lu3+中的至少一种，x为稀土离子REIII中的至少一种掺杂的摩尔百分比系数，0≤x≤1.0。按比例准确称量原料，研细混匀后将混合原料在300～1000℃预烧烧结1～10小时，冷却后取出研磨，再次充分混合，置于1200～1500℃的温度下煅烧1～10小时，即得所需产品。本发明的硅酸盐长余辉材料具有良好的化学稳定性和热稳定性。本发明制造方法简单，不需在还原气氛之中煅烧，无废水废气排放，环境友好，重现性好，有利于工业化生产。
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