一种基于液相下激光技术的碳化硅晶体化学机械抛光方法

    公开(公告)号:CN117359104A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311513929.X

    申请日:2023-11-14

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 发明涉及一种基于液相下激光技术的碳化硅晶体化学机械抛光方法,包括:液相下激光扫描辅助工序,将待加工Si C晶体放置在盛放有液体介质的容器中,待加工Si C晶体被液体介质浸泡,纳秒激光器的激光束射在待加工Si C晶体的表面进行激光扫描加工,用以对待加工Si C晶体进行烧蚀和氧化改性;激光束沿X方向以蛇形路径扫描;旋转容器,激光束沿Y方向以蛇形路径扫描;X方向和Y方向相交且与待加工Si C晶体表面所在的平面平行;化学机械抛光工序,对激光处理后的待加工Si C晶体的表面材料进行去除。本发明先采用激光扫描对Si C晶体进行烧蚀和氧化改性,随后采用CMP进行材料去除,可实现Si C晶体的高效、低损伤超精密抛光。

Patent Agency Ranking