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公开(公告)号：CN118123697A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410131195.7
申请日：2024-01-30
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶圆表面抛光方法，包括如下步骤：步骤一)将碳化硅晶圆置于电解质溶液中作为阳极进行电解处理，使碳化硅晶圆表面氧化形成氧化硅层；步骤二)使用抛光液对碳化硅晶圆表面进行研磨，去除氧化硅层；所述抛光液中包含氧化铝磨料。本发明将SiC先经过电化学氧化后，然后进行化学机械抛光将氧化层去除。并且本发明抛光过程中使用Al2O3作为磨料的抛光液，相较于氧化硅或氧化铈磨料，在相同的化学机械抛光工艺条件下，能得到更好的氧化层去除效果。根据工艺的测试结果，与现有技术相比，本发明的材料去除率可提高4‑10倍，解决了现有技术中材料去除率低、抛光效率低、抛光质量较差的问题。
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公开(公告)号：CN117558656A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311524722.2
申请日：2023-11-15
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及化学机械抛光机设备技术领域，公开了一种晶圆的检测装置和检测方法，其中装置包括：电容量检测器，用于检测晶圆工位的电容量；检测器位置控制器，用于控制所述电容量检测器移动至晶圆工位处；信号处理器，用于将电容量检测器检测的电容量进行模数转化后与预设电容量阈值比较，根据比较结果判断晶圆工位是否存在晶圆。本发明根据被加工晶圆材质的不同，其相对介电常数不同，以此作为电容器介质时会使电容器容量值发生变化，将这种原理应用于晶圆检测中，通过电容量阈值的设定可以排除环境干扰，使晶圆检测的功能稳定性更高，可以适用于不同材质、不同尺寸规格、不同厚度特征的晶圆检测需求。
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公开(公告)号：CN117364217A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311555749.8
申请日：2023-11-21
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种碳化硅晶圆干进干出式电化学机械抛光装置及方法，属于电化学机械抛光技术领域，电化学机械抛光装置包括电化学处理单元、机械抛光单元、清洗干燥单元和第一运载单元，机械抛光单元用于对电解后的待处理晶圆进行抛光处理；清洗干燥单元包括清洗组件和干燥组件，所述清洗组件用于对抛光处理后的晶圆进行清洗，所述干燥组件用于干燥清洗后的晶圆；第一运载单元用于运载所述待处理晶圆在所述电化学处理单元、所述机械抛光单元和所述清洗干燥单元之间移动。本发明提供的碳化硅晶圆干进干出式电化学机械抛光装置，各个工艺单元设置在同一个装置上，通过第一运载单元将各个单元之间进行关联，具有较高的配合度，提高了晶圆加工的效率。
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公开(公告)号：CN117364219A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311559600.7
申请日：2023-11-21
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种碳化硅晶圆电化学机械抛光装置及方法，属于电化学机械抛光技术领域，电化学机械抛光装置包括电化学处理单元、机械抛光单元和第一运载单元，电化学处理单元包括电解槽，所述电解槽的内部用于放置电解液和待处理晶圆，所述待处理晶圆的至少一个待处理面浸没于所述电解液中，对所述待处理晶圆进行电解；机械抛光单元用于对电解后的待处理晶圆进行抛光处理；第一运载单元用于运载所述待处理晶圆在所述电化学处理单元和所述机械抛光单元之间移动。本发明提供的碳化硅晶圆电化学机械抛光装置，采用静态电解和动态抛光相结合，使得电化学氧化作用充分发挥，在机械抛光时更容易进行目标材料的刮除，实现了晶圆的快速抛光。
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