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公开(公告)号：CN112461861A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011426039.1
申请日：2020-12-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： G01N21/95
摘要： 本发明公开了一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法。步骤如下：步骤一，采用强光灯下目检的方式，对表面质量进行初步判断；步骤二，强光灯下目检合格的晶片进行表面颗粒度检测；步骤三，小于表面颗粒检测范围的表面不平坦状况采用Haze值来表征，经表面颗粒度检测合格的样品才有必要进行表面雾值扫描；步骤四，经Haze检测合格的硅单晶抛光片需要进行表面粗糙度检测；步骤五，表面粗糙度抽检合格的硅单晶抛光片还要进行延时表面雾值检测。采用该评价方法可以精准评价精抛光片表面是否能够满足硅硅直接键合的工艺要求。
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公开(公告)号：CN107599196A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201711037057.9
申请日：2017-10-30
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B28D5/04
摘要： 本发明公开了一种 型单晶硅定晶向多线切割工艺，具体来说是一种 型单晶硅以特定晶向作为切割方向的多线切割工艺。本切割工艺先通过X射线定向仪确定 型单晶硅径向的[1-10]、[-110]、[01-1]、[0-11]、[10-1]及[-110]六个晶向位置，然后在粘棒过程中，通过旋转单晶棒，使得其中任意一个晶向垂直于粘棒托进行粘接，切割时，切割线即能沿着该晶向方向进行切割。切割线径0.12mm，切割线张力20N，送线速度100m/min。采取本工艺，可以有效减小单晶硅片WARP，相比任意方向切割而言，沿以上六个晶向方向切割单晶硅片WARP能够减小4-8μm，提升市场竞争力。
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公开(公告)号：CN113611593B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202110880195.3
申请日：2021-08-02
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明提供一种超薄锗片翘曲形貌的控制方法，第一步、将锗切割片进行机械研磨，通过锗片研磨加工去除切割损伤的同时对锗片的翘曲方向进行初步控制；第二步、采用酸腐蚀机对锗研磨片进行酸腐蚀，通过酸腐蚀过程去除锗片的研磨损伤，优化锗片翘曲形貌；第三步、采用磨削机对锗片背表面进行单面去除，通过小去除量的单面磨削，进一步控制锗片的翘曲形貌；第四步、采用碱性腐蚀液对锗磨削片进行弱碱腐蚀，最后通过锗片碱液弱腐蚀，去除应力，改善锗片表面质量和机械强度。本方法实现了对超薄锗片减薄加工过程中的翘曲形貌控制，本方法加工效率高，能很好的控制锗片翘曲形貌。通过本方法制备的超薄锗片在后续外延过程中碎片率低。
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公开(公告)号：CN112461861B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202011426039.1
申请日：2020-12-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： G01N21/95
摘要： 本发明公开了一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法。步骤如下：步骤一，采用强光灯下目检的方式，对表面质量进行初步判断；步骤二，强光灯下目检合格的晶片进行表面颗粒度检测；步骤三，小于表面颗粒检测范围的表面不平坦状况采用Haze值来表征，经表面颗粒度检测合格的样品才有必要进行表面雾值扫描；步骤四，经Haze检测合格的硅单晶抛光片需要进行表面粗糙度检测；步骤五，表面粗糙度抽检合格的硅单晶抛光片还要进行延时表面雾值检测。采用该评价方法可以精准评价精抛光片表面是否能够满足硅硅直接键合的工艺要求。
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公开(公告)号：CN111890132B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010783268.2
申请日：2020-08-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明提供一种在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺，这种方法在一台抛光机上实现粗、中、精抛光三个步骤，各抛光步骤均使用同一种抛光布，不同的抛光步骤使用不同配比及浓度的抛光液，依靠各抛光步骤之间以及各项工艺参数的匹配联调，实现各抛光步骤应有的效果。通过这种方式抛光的晶片的总厚度变化可保持至≤2μm水平，平整度可保持至≤0.5μm的水平，有效提升了加工效率。
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公开(公告)号：CN113611593A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110880195.3
申请日：2021-08-02
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明提供一种超薄锗片翘曲形貌的控制方法，第一步、将锗切割片进行机械研磨，通过锗片研磨加工去除切割损伤的同时对锗片的翘曲方向进行初步控制；第二步、采用酸腐蚀机对锗研磨片进行酸腐蚀，通过酸腐蚀过程去除锗片的研磨损伤，优化锗片翘曲形貌；第三步、采用磨削机对锗片背表面进行单面去除，通过小去除量的单面磨削，进一步控制锗片的翘曲形貌；第四步、采用碱性腐蚀液对锗磨削片进行弱碱腐蚀，最后通过锗片碱液弱腐蚀，去除应力，改善锗片表面质量和机械强度。本方法实现了对超薄锗片减薄加工过程中的翘曲形貌控制，本方法加工效率高，能很好的控制锗片翘曲形貌。通过本方法制备的超薄锗片在后续外延过程中碎片率低。
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公开(公告)号：CN112359411A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011426075.8
申请日：2020-12-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈，包括线圈主体和线圈冷却水管，线圈冷却水管嵌入线圈主体内，线圈主体为平板单匝结构，线圈主体的上表面设有向线圈内部凹陷的台阶Ⅰ，在台阶Ⅰ底部与线圈主体内圆上边缘之间设置上斜面；在线圈主体下表面设置向线圈内部凹陷的台阶Ⅱ；在台阶Ⅱ底部与线圈主体内圆下边缘之间设置上斜面；在线圈主体内圆下表面处，设置一圈圆弧凸起；在线圈主体内圆处开有四个贯通上下表面的十字狭缝，在线圈主体外圆沿狭缝Ⅰ方向的一侧设置连接电极的法兰，在法兰与狭缝Ⅰ间设置一条主缝，主缝宽度逐渐减小延伸至法兰处。本发明可以使熔区热场均匀、熔区温度梯度小、成晶率高。
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公开(公告)号：CN110789012A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911129104.1
申请日：2019-11-18
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种铌酸锂单晶的变速切割方法。基本步骤为：1、用胶水粘接铌酸锂单晶，保证晶向在合格范围内；2、聚乙二醇和碳化硅微粉按照一定比例配置成切割砂浆；3、将粘接好的铌酸锂单晶放入多线切割机的工作台工位中，将工作台的匀速进给切割过程改为按照切割位置分段的不同速度的进给切割；4、切割后的铌酸锂晶片进行脱胶、清洗、干燥。本发明采用的切割方法操作简单；一次切割可得到数百片晶片，切割效率高；切割后的几何参数优于定速多线切割后样片的几何参数；通过公式可以快速找到合适的切割速度，进而设置较为合理的切割程序，可以避免反复试验，节省了时间和物料。
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公开(公告)号：CN111890132A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010783268.2
申请日：2020-08-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明提供一种在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺，这种方法在一台抛光机上实现粗、中、精抛光三个步骤，各抛光步骤均使用同一种抛光布，不同的抛光步骤使用不同配比及浓度的抛光液，依靠各抛光步骤之间以及各项工艺参数的匹配联调，实现各抛光步骤应有的效果。通过这种方式抛光的晶片的总厚度变化可保持至≤2μm水平，平整度可保持至≤0.5μm的水平，有效提升了加工效率。
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公开(公告)号：CN110965127A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911259122.1
申请日：2019-12-10
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种超薄硅单晶切片热处理强化工艺，本热处理强化工艺通过将硅切片在特定温度下恒温1小时，然后随炉冷却至室温，使得硅切片的强度从未热处理时的1.12lbf升高到热处理后的2.52lbf。升温速率为15℃/min，恒温温度为650℃±20℃，恒温时间为1小时。相比未热处理硅切片，热处理后硅切片强度提升125%，极大降低了后道加工工序如：倒角、研磨的碎片率。
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