公开(公告)号：CN109037035A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810858352.9

申请日：2018-07-31

申请人： 成都海威华芯科技有限公司

发明人： 王珺楠

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02013 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02697

摘要： 本发明公开了一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法及系统，方法包括以下步骤：S1：使用粗磨轮对SiC基GaN晶圆的SiC进行粗磨减薄；S2：将SiC基GaN晶圆以一定转速进行旋转，并对其进行喷水，同时使用毛刷刷洗晶圆表面；S3：将SiC基GaN晶圆进行灰化处理，对SiC基GaN晶圆表面进行氧化；S4：对SiC基GaN晶圆进行背金处理。本发明通过多个步骤的综合使用，解决SiC与背金的粘附性问题造成的背面金属脱落。

公开(公告)号：CN109037033A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810786447.4

申请日：2018-07-17

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 杨一凡

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02013 ,  H01L21/02016

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆减薄方法，应用于一设备晶圆的背面，设备晶圆的正面与一承载晶圆连接；包括：步骤S1，采用一第一研磨工艺对设备晶圆的背面进行研磨，以将设备晶圆的背面减薄第一预设厚度；步骤S2，采用一第二研磨工艺对设备晶圆的背面进行研磨，以将设备晶圆的背面减薄第二预设厚度；其中，步骤S1中，第一研磨工艺为采用第一研磨液对设备晶圆的背面进行研磨；步骤S2中，第二研磨工艺为采用用于清除残留物的第二研磨液进行研磨；能够去除研磨产生的杂质和残留，同时避免氧化层和/或氮化层对研磨效果的影响，保证了研磨的有效性。

公开(公告)号：CN107665818A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710626632.2

申请日：2017-07-28

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： M·J·塞登

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L21/02013 ,  H01L21/02016 ,  H01L21/02035 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2223/54493

摘要： 本公开涉及半导体晶片以及制备半导体器件的方法。本发明提供了一种半导体晶片，半导体晶片具有基础材料，基础材料具有第一厚度以及第一表面和第二表面。晶片划线标记设置在基础材料的第一表面上。移除基础材料的第二表面的内部区的一部分以得到小于第一厚度的第二厚度，同时留下围绕半导体晶片的具有第一厚度和非对称宽度的基础材料的边缘支撑环。基础材料的第二厚度小于75微米。晶片划线标记设置在边缘支撑环内。基础材料的第二表面的内部区的移除部分从晶片划线标记垂直偏移。边缘支撑环的宽度较宽以包围晶片划线标记并且在围绕半导体晶片的其它地方较窄。

公开(公告)号：CN107026073A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710057486.6

申请日：2017-01-26

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 森数洋司

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/54453 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/0203 ,  H01L33/005

摘要： 处理基板的方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，该基板具有第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)，第一表面具有器件区域(20)，其中，器件区域(20)中形成有多个器件(21)。该方法包括以下步骤：在沿着第二表面(2b)的多个位置中从第二表面(2b)侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)，以便在基板(2)中形成多个孔区域(23)，每个孔区域(23)从第二表面(2b)朝向第一表面(2a)延伸。每个孔区域(23)由改性区域(232)和改性区域(232)中向第二表面(2b)开放的空间(231)组成。该方法还包括以下步骤：研磨基板(2)的其中已经形成多个孔区域(23)的第二表面(2b)，以调节基板厚度。

公开(公告)号：CN103560106B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201310590120.7

申请日：2013-11-22

申请人： 上海新傲科技股份有限公司

发明人： 叶斐 ,  陈猛 ,  陈国兴

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02021

摘要： 本发明提供一种低翘曲度的半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一衬底及第二衬底，所述第一衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有第一绝缘层，所述第二表面上设置有第二绝缘层，所述第二衬底包括支撑层、支撑层表面的氧化层以及氧化层表面的器件层；以器件层及第一绝缘层为中间层，将第一衬底与第二衬底键合在一起；在所述第二绝缘层表面粘贴形成一保护层，所述第二绝缘层和保护层的作用在于调整所述半导体衬底的翘曲度。本发明的优点在于，在衬底的第二绝缘层表面粘贴保护层，所述保护层能够防止第二绝缘层被腐蚀，从而能有效地降低晶片的翘曲度。

公开(公告)号：CN106057647A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610531250.7

申请日：2016-07-07

申请人： 浙江水晶光电科技股份有限公司

发明人： 余晓斌 ,  邹魏

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/86

CPC分类号： H01L21/02008 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/86

摘要： 本发明公开了一种蓝宝石加工方法，旨在提供一种能够在保证和提高蓝宝石衬底的加工质量的同时，降低蓝宝石衬底的加工成本并提高加工效率的加工方法。它依次包括以下步骤：A：晶棒切割，B：研磨处理，C：清洗，D：退火处理，E：清洗,F：化学机械抛光处理。化学机械抛光处理的研磨液为氧化铝抛光液。

公开(公告)号：CN105895505A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610090280.9

申请日：2016-02-17

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： H·埃德 ,  M·恩格尔哈特

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02016 ,  H01L21/67098

摘要： 一种减薄晶片的方法包括使用磨削工艺来减薄该晶片。经过磨削处理后，该晶片具有厚度上的第一不均匀度。该减薄的晶片使用等离子体工艺来蚀刻。在蚀刻工艺后该晶片具有厚度上的第二不均匀度。该第二不均匀度小于第一不均匀度。

公开(公告)号：CN105612605A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480049474.3

申请日：2014-08-20

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 桥本浩昌 ,  宇佐美佳宏 ,  青木一晃 ,  大葉茂

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02024 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

摘要： 本发明是一种镜面研磨晶圆的制造方法，其对于从硅晶棒切片而成的多片硅晶圆，以批次方式分别实施下述各工序来制造多片镜面研磨晶圆，这些工序包含：切片歪斜除去工序，其除去因切片所产生的表面的歪斜；蚀刻工序，其除去在切片歪斜除去工序中所产生的歪斜；以及，双面研磨工序，其将蚀刻后的硅晶圆的双面进行镜面研磨；其特征在于，从在切片歪斜除去工序中的同一批次内已处理的硅晶圆当中，选择要在双面研磨工序中以批次方式处理的硅晶圆，且将该选择的硅晶圆的数量设定为与在切片歪斜除去工序中已处理的硅晶圆的数量相同或其约数。由此，提供一种镜面研磨晶圆的制造方法，其能够制造平坦度良好的镜面研磨晶圆。

公开(公告)号：CN105340066A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201480035167.X

申请日：2014-06-17

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 佐佐木有三

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/005 ,  B24B37/08 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

CPC分类号： H01L21/0475 ,  B24B37/08 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30625

摘要： 一种SiC基板的制造方法，至少具备CMP工序，所述CMP工序是采用CMP(机械化学研磨)法，对SiC基板(1)所具备的Si面(1a)和C面(1b)这两面，将C面/Si面加工选择比设为3.0以上来实施两面研磨加工的工序。

公开(公告)号：CN105140362A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510354411.5

申请日：2015-06-25

申请人： 江苏苏创光学器材有限公司

发明人： 苏凤坚 ,  刘俊 ,  郝正平

IPC分类号： H01L33/16 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02024

摘要： 本发明涉及一种蓝宝石LED灯丝基板的生产方法，具体步骤包括晶体掏棒、晶体切割、研磨、倒角、退火、双面抛光、激光取片、刷银等工序；本发明的蓝宝石LED灯丝基板的生产方法成片质量高，废品率低，生产效率高。