公开(公告)号：CN107851569A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042042.9

申请日：2016-07-15

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 宇佐美佳宏 ,  天海史郎

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/67282 ,  H01L21/67288

摘要： 本发明提供一种半导体晶圆的制造方法，包含：自晶棒切割出多个晶圆的切割步骤、将经切割出的多个晶圆的外周部予以倒角的倒角步骤以及将以载体支承外周部的晶圆的双面予以研磨的双面研磨步骤，其中在切割步骤后，于倒角步骤前包含将多个晶圆的翘曲方向排列到一个方向上的翘曲方向调整步骤；在翘曲方向调整步骤之后，在多个晶圆的翘曲方向经排列到一个方向上的状态下，实施倒角步骤以及双面研磨步骤。由此，即使在双面研磨步骤之前实施将晶圆的翘曲方向排列到一个方向上的步骤的情况下，也能抑制双面研磨后的晶圆的平坦度的恶化。

公开(公告)号：CN105612605A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480049474.3

申请日：2014-08-20

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 桥本浩昌 ,  宇佐美佳宏 ,  青木一晃 ,  大葉茂

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02024 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

摘要： 本发明是一种镜面研磨晶圆的制造方法，其对于从硅晶棒切片而成的多片硅晶圆，以批次方式分别实施下述各工序来制造多片镜面研磨晶圆，这些工序包含：切片歪斜除去工序，其除去因切片所产生的表面的歪斜；蚀刻工序，其除去在切片歪斜除去工序中所产生的歪斜；以及，双面研磨工序，其将蚀刻后的硅晶圆的双面进行镜面研磨；其特征在于，从在切片歪斜除去工序中的同一批次内已处理的硅晶圆当中，选择要在双面研磨工序中以批次方式处理的硅晶圆，且将该选择的硅晶圆的数量设定为与在切片歪斜除去工序中已处理的硅晶圆的数量相同或其约数。由此，提供一种镜面研磨晶圆的制造方法，其能够制造平坦度良好的镜面研磨晶圆。

公开(公告)号：CN108778623B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201780018553.1

申请日：2017-02-24

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 宇佐美佳宏

IPC分类号： B24B27/06 ,  B28D5/04 ,  H01L21/304

摘要： 本发明提供一种线锯装置的制造方法，该线锯装置包括钢线供给轴盘、长型辊、导线器、钢线卷收轴盘及被控制而在经设定的控制角度±A(°)内动作并且对该钢线赋予张力的张力臂，该线锯装置的制造方法包括下列步骤：测定该长型辊的表面粗糙度Rmax；自该钢线供给轴盘伸出该钢线时，测定该张力臂的角度摆动至该经设定的控制角度的范围外时的该张力臂的角度a(°)；将该经测定的该长型辊的表面粗糙度Rmax作为R1(μm)，计算出R1×2×A÷(|a|+A)＝R2；以及使该长型辊的表面粗糙度Rmax成为该计算出的数值R2以下。由此，可防止张力臂大幅摆动至控制范围外。

公开(公告)号：CN108778623A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780018553.1

申请日：2017-02-24

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 宇佐美佳宏

IPC分类号： B24B27/06 ,  B28D5/04 ,  H01L21/304

摘要： 本发明提供一种线锯装置的制造方法，该线锯装置包括钢线供给轴盘、长型辊、导线器、钢线卷收轴盘及被控制而在经设定的控制角度±A(°)内动作并且对该钢线赋予张力的张力臂，该线锯装置的制造方法包括下列步骤：测定该长型辊的表面粗糙度Rmax；自该钢线供给轴盘伸出该钢线时，测定该张力臂的角度摆动至该经设定的控制角度的范围外时的该张力臂的角度a(°)；将该经测定的该长型辊的表面粗糙度Rmax作为R1(μm)，计算出R1×2×A÷(|a|+A)＝R2；以及使该长型辊的表面粗糙度Rmax成为该计算出的数值R2以下。由此，可防止张力臂大幅摆动至控制范围外。

公开(公告)号：CN107851569B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201680042042.9

申请日：2016-07-15

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 宇佐美佳宏 ,  天海史郎

IPC分类号： H01L21/304

摘要： 本发明提供一种半导体晶圆的制造方法，包含：自晶棒切割出多个晶圆的切割步骤、将经切割出的多个晶圆的外周部予以倒角的倒角步骤以及将以载体支承外周部的晶圆的双面予以研磨的双面研磨步骤，其中在切割步骤后，于倒角步骤前包含将多个晶圆的翘曲方向排列到一个方向上的翘曲方向调整步骤；在翘曲方向调整步骤之后，在多个晶圆的翘曲方向经排列到一个方向上的状态下，实施倒角步骤以及双面研磨步骤。由此，即使在双面研磨步骤之前实施将晶圆的翘曲方向排列到一个方向上的步骤的情况下，也能抑制双面研磨后的晶圆的平坦度的恶化。

公开(公告)号：CN105980103A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580008363.2

申请日：2015-01-23

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 宇佐美佳宏

IPC分类号： B24B7/17 ,  H01L21/304

CPC分类号： B24B7/17 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02024

摘要： 本发明是一种工件的双头磨削方法，其通过环状支持器将薄板状的工件沿着径向从外周边侧支承并使其自转，并且通过一对磨石来同时磨削通过所述环状支持器所支承的所述工件的双面，该工件的双头磨削方法的特征在于，相对于所述工件的每1μm的磨削加工量，将所述磨石的磨耗量设定为0.10μm以上且0.33μm以下，来同时磨削所述工件的双面。由此，提供一种工件的双头磨削方法，其在双头磨削步骤中，能够不使平坦度恶化地，降低在切片步骤等前面步骤所形成的纳米形貌。

公开(公告)号：CN109153104B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201780027731.7

申请日：2017-06-30

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 宇佐美佳宏

IPC分类号： B24B27/06 ,  B24B49/10 ,  B28D5/04 ,  H01L21/304

摘要： 本发明为一种线锯装置，包含：伸出钢线的钢线供给轴盘、通过螺旋状缠绕于多个钢线导线器的周围的钢线而形成的钢线列、卷收钢线的钢线卷收轴盘、以及将切断目标的工件予以支承的工件支承部，此外于将被工件支承部所支承的工件予以推压至以至少重复前进后退1次以上而行进的钢线列进行切断加工，其中该线锯装置具备装设于工件支承部的振动传感器，以及检测钢线张力的荷重元。由此提供能透过于工件的切断之前判断发生钢线过紧或线锯装置异常振动的状态，而防止自工件切出的晶圆质量恶化的线锯装置及工件的切断方法。

公开(公告)号：CN107530867B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201680024410.7

申请日：2016-03-11

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 宇佐美佳宏

IPC分类号： B24D7/06 ,  B24D3/14 ,  H01L21/304

摘要： 本发明提供一种研磨用磨石，于圆环状底座的外周配置有多个陶瓷黏合剂研磨片，并于旋转圆环状底座的同时以研磨片研磨工件，其中陶瓷黏合剂研磨片，为长方体，具有位于圆环状底座的相反侧的研磨工件的长方形的研磨面以及与研磨面相邻的四个侧面，其中侧面彼此之间的四个棱部作C倒角，研磨面的长边沿圆环状底座的外周而配置，四个棱部为研磨面的短边的长度的五分之一以上的范围作C倒角。如此一来，能提供一种研磨用磨石，在研磨时不至于破损，并能以简单的成型来抑制由于对工件中心部的过度的切入所引起的工件的严重损伤。

公开(公告)号：CN109153104A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780027731.7

申请日：2017-06-30

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 宇佐美佳宏

IPC分类号： B24B27/06 ,  B24B49/10 ,  B28D5/04 ,  H01L21/304

摘要： 本发明为一种线锯装置，包含：伸出钢线的钢线供给轴盘、通过螺旋状缠绕于多个钢线导线器的周围的钢线而形成的钢线列、卷收钢线的钢线卷收轴盘、以及将切断目标的工件予以支承的工件支承部，此外于将被工件支承部所支承的工件予以推压至以至少重复前进后退1次以上而行进的钢线列进行切断加工，其中该线锯装置具备装设于工件支承部的振动传感器，以及检测钢线张力的荷重元。由此提供能透过于工件的切断之前判断发生钢线过紧或线锯装置异常振动的状态，而防止自工件切出的晶圆质量恶化的线锯装置及工件的切断方法。

公开(公告)号：CN105612605B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201480049474.3

申请日：2014-08-20

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 桥本浩昌 ,  宇佐美佳宏 ,  青木一晃 ,  大葉茂

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02024 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

摘要： 本发明是一种镜面研磨晶圆的制造方法，其对于从硅晶棒切片而成的多片硅晶圆，以批次方式分别实施下述各工序来制造多片镜面研磨晶圆，这些工序包含：切片歪斜除去工序，其除去因切片所产生的表面的歪斜；蚀刻工序，其除去在切片歪斜除去工序中所产生的歪斜；以及，双面研磨工序，其将蚀刻后的硅晶圆的双面进行镜面研磨；其特征在于，从在切片歪斜除去工序中的同一批次内已处理的硅晶圆当中，选择要在双面研磨工序中以批次方式处理的硅晶圆，且将该选择的硅晶圆的数量设定为与在切片歪斜除去工序中已处理的硅晶圆的数量相同或其约数。由此，提供一种镜面研磨晶圆的制造方法，其能够制造平坦度良好的镜面研磨晶圆。