公开(公告)号：CN105612605B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201480049474.3

申请日：2014-08-20

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 桥本浩昌 ,  宇佐美佳宏 ,  青木一晃 ,  大葉茂

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明是一种镜面研磨晶圆的制造方法，其对于从硅晶棒切片而成的多片硅晶圆，以批次方式分别实施下述各工序来制造多片镜面研磨晶圆，这些工序包含：切片歪斜除去工序，其除去因切片所产生的表面的歪斜；蚀刻工序，其除去在切片歪斜除去工序中所产生的歪斜；以及，双面研磨工序，其将蚀刻后的硅晶圆的双面进行镜面研磨；其特征在于，从在切片歪斜除去工序中的同一批次内已处理的硅晶圆当中，选择要在双面研磨工序中以批次方式处理的硅晶圆，且将该选择的硅晶圆的数量设定为与在切片歪斜除去工序中已处理的硅晶圆的数量相同或其约数。由此，提供一种镜面研磨晶圆的制造方法，其能够制造平坦度良好的镜面研磨晶圆。

公开(公告)号：CN103889655A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280052936.8

申请日：2012-10-04

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 青木一晃 ,  大叶茂

IPC: B24B37/08 ,  B24B49/10 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/08 ,  B24B37/042 ,  B24B49/00 ,  B24B49/03 ,  H01L21/02024 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明是一种双面研磨方法，其以粘贴有研磨布的上下平台夹入保持于载具的晶片，并使载具自转和公转，一边供给研磨剂一边同时研磨晶片的双面而进行晶片的双面研磨，上述双面研磨方法其特征在于，具有：第一研磨工序，其以高研磨速率进行研磨；以及，第二研磨工序，其继而以低研磨速率进行研磨，并包括：研磨后测定晶片的平坦度的工序；以及，基于平坦度的测定结果设定下一次研磨时的第二研磨工序的研磨条件的工序。由此提供一种双面研磨方法，其不受载具厚度的经时变化影响，能够稳定地改进晶片的平坦度。

公开(公告)号：CN110832622B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201880043631.8

申请日：2018-06-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 青木一晃

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明提供一种研磨方法，其为供给研磨剂，并同时使以研磨头保持的半导体硅晶圆在贴附于平板的研磨布上滑动，从而进行研磨的研磨方法，其中，对半导体硅晶圆依次实施一次研磨、二次研磨、精研磨时，二次研磨由使用含有游离磨粒且不含水溶性高分子剂的碱基的研磨剂的研磨、以及后续的使用含有水溶性高分子剂的研磨剂的冲洗研磨构成，冲洗研磨由两个阶段的研磨构成，供给含有水溶性高分子剂的研磨剂并同时实施第一阶段的冲洗研磨，然后切换为水溶性高分子剂的平均分子量比第一阶段的研磨剂大的研磨剂而进行供给，并同时实施第二阶段的冲洗研磨。由此，可提供一种晶圆表面的微小缺陷少，DIC缺陷也少，且表面粗糙度良好的半导体硅晶圆的研磨方法。

公开(公告)号：CN105612605A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480049474.3

申请日：2014-08-20

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 桥本浩昌 ,  宇佐美佳宏 ,  青木一晃 ,  大葉茂

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明是一种镜面研磨晶圆的制造方法，其对于从硅晶棒切片而成的多片硅晶圆，以批次方式分别实施下述各工序来制造多片镜面研磨晶圆，这些工序包含：切片歪斜除去工序，其除去因切片所产生的表面的歪斜；蚀刻工序，其除去在切片歪斜除去工序中所产生的歪斜；以及，双面研磨工序，其将蚀刻后的硅晶圆的双面进行镜面研磨；其特征在于，从在切片歪斜除去工序中的同一批次内已处理的硅晶圆当中，选择要在双面研磨工序中以批次方式处理的硅晶圆，且将该选择的硅晶圆的数量设定为与在切片歪斜除去工序中已处理的硅晶圆的数量相同或其约数。由此，提供一种镜面研磨晶圆的制造方法，其能够制造平坦度良好的镜面研磨晶圆。

公开(公告)号：CN103889655B

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201280052936.8

申请日：2012-10-04

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 青木一晃 ,  大叶茂

IPC: B24B37/08 ,  B24B49/10 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/08 ,  B24B37/042 ,  B24B49/00 ,  B24B49/03 ,  H01L21/02024 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明是一种双面研磨方法，其以粘贴有研磨布的上下平台夹入保持于载具的晶片，并使载具自转和公转，一边供给研磨剂一边同时研磨晶片的双面而进行晶片的双面研磨，上述双面研磨方法其特征在于，具有：第一研磨工序，其以高研磨速率进行研磨；以及，第二研磨工序，其继而以低研磨速率进行研磨，并包括：研磨后测定晶片的平坦度的工序；以及，基于平坦度的测定结果设定下一次研磨时的第二研磨工序的研磨条件的工序。由此提供一种双面研磨方法，其不受载具厚度的经时变化影响，能够稳定地改进晶片的平坦度。

公开(公告)号：CN110832622A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880043631.8

申请日：2018-06-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 青木一晃

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明提供一种研磨方法，其为供给研磨剂，并同时使以研磨头保持的半导体硅晶圆在贴附于平板的研磨布上滑动，从而进行研磨的研磨方法，其中，对半导体硅晶圆依次实施一次研磨、二次研磨、精研磨时，二次研磨由使用含有游离磨粒且不含水溶性高分子剂的碱基的研磨剂的研磨、以及后续的使用含有水溶性高分子剂的研磨剂的冲洗研磨构成，冲洗研磨由两个阶段的研磨构成，供给含有水溶性高分子剂的研磨剂并同时实施第一阶段的冲洗研磨，然后切换为水溶性高分子剂的平均分子量比第一阶段的研磨剂大的研磨剂而进行供给，并同时实施第二阶段的冲洗研磨。由此，可提供一种晶圆表面的微小缺陷少，DIC缺陷也少，且表面粗糙度良好的半导体硅晶圆的研磨方法。

公开(公告)号：CN104602864B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201380046138.9

申请日：2013-08-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐佐木正直 ,  青木一晃 ,  安田太一 ,  佐藤勇章 ,  汤浅雄大 ,  浅井一将 ,  古川大辅

IPC: B24B37/28 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/28 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种双面研磨方法，其在载体上保持晶圆，且利用粘贴有研磨布的上平板和下平板来夹持所述载体，并同时研磨所述晶圆的双面，其中，所述载体具有：保持孔，其用于保持所述晶圆；环状的树脂插入物，其沿着所述保持孔的内周而配置，且具有接触所述所保持的晶圆的周缘部的内周面；该双面研磨方法的特征在于，在将所述树脂插入物的内周面上的凹凸的最大高低差定义为所述内周面的平面度，并将连结所述内周面的上端部与下端部的直线与垂直于载体主面的直线所夹的角度定义为所述内周面的垂直度时，一边将所述平面度维持在100μm以下，并将所述垂直度维持在5°以下，一边研磨所述晶圆的双面。由此，提供一种双面研磨方法，该双面研磨方法尤其能够抑制如外周塌边这样的研磨后的晶圆的平坦度的恶化，该平坦度的恶化由于载体的树脂插入物的内周面的形状变化所导致。

公开(公告)号：CN104602864A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380046138.9

申请日：2013-08-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐佐木正直 ,  青木一晃 ,  安田太一 ,  佐藤勇章 ,  汤浅雄大 ,  浅井一将 ,  古川大辅

IPC: B24B37/28 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/28 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种双面研磨方法，其在载体上保持晶圆，且利用粘贴有研磨布的上平板和下平板来夹持所述载体，并同时研磨所述晶圆的双面，其中，所述载体具有：保持孔，其用于保持所述晶圆；环状的树脂插入物，其沿着所述保持孔的内周而配置，且具有接触所述所保持的晶圆的周缘部的内周面；该双面研磨方法的特征在于，在将所述树脂插入物的内周面上的凹凸的最大高低差定义为所述内周面的平面度，并将连结所述内周面的上端部与下端部的直线与垂直于载体主面的直线所夹的角度定义为所述内周面的垂直度时，一边将所述平面度维持在100μm以下，并将所述垂直度维持在5°以下，一边研磨所述晶圆的双面。由此，提供一种双面研磨方法，该双面研磨方法尤其能够抑制如外周塌边这样的研磨后的晶圆的平坦度的恶化，该平坦度的恶化由于载体的树脂插入物的内周面的形状变化所导致。