-
公开(公告)号：CN107615455B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201680029245.4
申请日：2016-03-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/013 , B24B37/07 , B24B49/12
Abstract: 一种尺寸量测装置，配置于研磨装置，以激光干涉测定研磨中晶圆厚度，包含用于对研磨中晶圆照射激光的光源、接受被照射光源的激光的研磨中晶圆的反射光的受光件、自受光件受光的反射光计算出照射激光的研磨中晶圆的厚度的测定值的计算件，其中计算件基于预先求得的晶圆的电阻率及晶圆的厚度的测定误差的值的相关关系，自研磨中晶圆的电阻率计算出研磨中晶圆的厚度的测定误差的值，修正测定误差而计算出研磨中晶圆厚度。由此在连续研磨中，即使有研磨基板的批次变更的情况，能防止尺寸量测精密度低下，得到高尺寸量测精密度。
-
公开(公告)号：CN103889655A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280052936.8
申请日：2012-10-04
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/08 , B24B49/10 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/08 , B24B37/042 , B24B49/00 , B24B49/03 , H01L21/02024 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明是一种双面研磨方法，其以粘贴有研磨布的上下平台夹入保持于载具的晶片，并使载具自转和公转，一边供给研磨剂一边同时研磨晶片的双面而进行晶片的双面研磨，上述双面研磨方法其特征在于，具有：第一研磨工序，其以高研磨速率进行研磨；以及，第二研磨工序，其继而以低研磨速率进行研磨，并包括：研磨后测定晶片的平坦度的工序；以及，基于平坦度的测定结果设定下一次研磨时的第二研磨工序的研磨条件的工序。由此提供一种双面研磨方法，其不受载具厚度的经时变化影响，能够稳定地改进晶片的平坦度。
-
公开(公告)号：CN103733314A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280039229.5
申请日：2012-08-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B57/02
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/005 , B24B37/044 , B24B37/08 , C09G1/02
Abstract: 本发明是一种硅晶片的研磨方法，该研磨方法一边将存储于槽（12）内的研磨剂向粘贴于平台（2、3）上的砂布（4）供给一边使硅晶片（W）与上述砂布滑动接触而进行研磨，并将上述所供给的研磨剂回收至上述槽内而使其循环，上述硅晶片的研磨方法其特征在于，具有一边将上述槽内的研磨剂中所含的硅酸离子的浓度调整为规定范围内的浓度一边研磨上述硅晶片的工序。由此，本发明提供一种研磨剂及硅晶片的研磨方法，上述研磨剂能够将高研磨速度在各批次间保持一定，上述硅晶片的研磨方法使用上述研磨剂而能够高精度地控制所期望的研磨余量或加工完成厚度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116900924A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310291355.X
申请日：2023-03-23
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 提供一种双面研磨装置，其能够准确地评价在研磨中的晶圆外周部的厚度(形状)，并能够进行可靠的厚度测量。本发明的晶圆的双面研磨装置还配置有厚度测量装置，其在保持于载具的晶圆在研磨中通过的位置测量晶圆的厚度，双面研磨装置还具有评价处理部，该评价处理部构成为：通过所述厚度测量装置测量晶圆的厚度，确定测量出厚度的晶圆，获得在该确定出的晶圆上连续得到的厚度测量位置的通过轨迹，以使通过轨迹收敛于晶圆模板的方式，使通过轨迹相对于晶圆模板相对地进行平行移动，之后，获得从晶圆模板中心起的通过轨迹的半径位置，从而评价所述确定出的晶圆的形状。
-
公开(公告)号：CN116504660A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310020947.8
申请日：2023-01-06
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 大叶茂
IPC: H01L21/66 , G01D21/02 , H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 提供一种端面部测量装置及端面部测量方法，其不受晶圆的端面部的表面状态影响，能够在短时间内对端面部的整体进行形状测量。该端面部测量装置具备：保持部，其保持晶圆；旋转单元，其使晶圆旋转；以及传感器，其具有：向利用保持部保持的晶圆的端面部投射来自光源的激光的投射部、以及接受该激光在晶圆的端面部反射的扩散反射光的受光检测部，该端面部测量装置一边保持晶圆并使其旋转，一边至少在从保持有晶圆的面的法线方向到保持的面的相反侧的面的法线方向的范围利用传感器投射激光以及接受扩散反射光，能够利用三角测距法测量晶圆的端面部的整个区域的形状。
-
公开(公告)号：CN107615455A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680029245.4
申请日：2016-03-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/013 , B24B37/07 , B24B49/12
Abstract: 一种尺寸量测装置，配置于研磨装置，以激光干涉测定研磨中晶圆厚度，包含用于对研磨中晶圆照射激光的光源、接受被照射光源的激光的研磨中晶圆的反射光的受光件、自受光件受光的反射光计算出照射激光的研磨中晶圆的厚度的测定值的计算件，其中计算件基于预先求得的晶圆的电阻率及晶圆的厚度的测定误差的值的相关关系，自研磨中晶圆的电阻率计算出研磨中晶圆的厚度的测定误差的值，修正测定误差而计算出研磨中晶圆厚度。由此在连续研磨中，即使有研磨基板的批次变更的情况，能防止尺寸量测精密度低下，得到高尺寸量测精密度。
-
公开(公告)号：CN103889655B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201280052936.8
申请日：2012-10-04
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/08 , B24B49/10 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/08 , B24B37/042 , B24B49/00 , B24B49/03 , H01L21/02024 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明是一种双面研磨方法，其以粘贴有研磨布的上下平台夹入保持于载具的晶片，并使载具自转和公转，一边供给研磨剂一边同时研磨晶片的双面而进行晶片的双面研磨，上述双面研磨方法其特征在于，具有：第一研磨工序，其以高研磨速率进行研磨；以及，第二研磨工序，其继而以低研磨速率进行研磨，并包括：研磨后测定晶片的平坦度的工序；以及，基于平坦度的测定结果设定下一次研磨时的第二研磨工序的研磨条件的工序。由此提供一种双面研磨方法，其不受载具厚度的经时变化影响，能够稳定地改进晶片的平坦度。
-
公开(公告)号：CN103733314B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280039229.5
申请日：2012-08-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B57/02
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/005 , B24B37/044 , B24B37/08 , C09G1/02
Abstract: 本发明是一种硅晶片的研磨方法，该研磨方法一边将存储于槽（12）内的研磨剂向粘贴于平台（2、3）上的砂布（4）供给一边使硅晶片（W）与上述砂布滑动接触而进行研磨，并将上述所供给的研磨剂回收至上述槽内而使其循环，上述硅晶片的研磨方法其特征在于，具有一边将上述槽内的研磨剂中所含的硅酸离子的浓度调整为规定范围内的浓度一边研磨上述硅晶片的工序。由此，本发明提供一种研磨剂及硅晶片的研磨方法，上述研磨剂能够将高研磨速度在各批次间保持一定，上述硅晶片的研磨方法使用上述研磨剂而能够高精度地控制所期望的研磨余量或加工完成厚度。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.026 seconds)
